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基于对偶原理的IGBT并联均流缓冲电路研究
1
作者
王嘉智
吴小涛
+2 位作者
刘福临
刘乾易
邹润民
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2023年第10期3962-3971,共10页
多个绝缘栅双极型晶体管(insulategatebipolar transistor,IGBT)并联是大功率电力电子应用领域提高设备电流等级的一条重要途径,而实现IGBT之间的并联均流则是保证其安全稳定运行的关键。文章在对IGBT串联均压缓冲机理研究的基础上,从在...
多个绝缘栅双极型晶体管(insulategatebipolar transistor,IGBT)并联是大功率电力电子应用领域提高设备电流等级的一条重要途径,而实现IGBT之间的并联均流则是保证其安全稳定运行的关键。文章在对IGBT串联均压缓冲机理研究的基础上,从在IGBT两端并联电容可降低电压变化率的原理出发,推断出可通过串联电感来抑制IGBT电流的变化,进而应用对偶原理构建出一类基于串联电感的并联均流缓冲电路及其改进型拓扑。结合模态图从理论上分析新型缓冲电路工作原理,发现所提出IGBT并联均流缓冲电路具备结构简单、易于实现的优点,还兼具静态和动态均流效果。仿真和实验表明所提出方法可以有效抑制过电流,降低电流不均衡度。
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关键词
绝缘
栅
双
极
型
晶体管
并联
串联电感
对偶原理
均流
缓冲电路
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职称材料
题名
基于对偶原理的IGBT并联均流缓冲电路研究
1
作者
王嘉智
吴小涛
刘福临
刘乾易
邹润民
机构
中南大学自动化学院
中国船舶重工集团有限公司第七一〇研究所
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2023年第10期3962-3971,共10页
基金
湖南省重点研发计划项目(2020WK2007)。
文摘
多个绝缘栅双极型晶体管(insulategatebipolar transistor,IGBT)并联是大功率电力电子应用领域提高设备电流等级的一条重要途径,而实现IGBT之间的并联均流则是保证其安全稳定运行的关键。文章在对IGBT串联均压缓冲机理研究的基础上,从在IGBT两端并联电容可降低电压变化率的原理出发,推断出可通过串联电感来抑制IGBT电流的变化,进而应用对偶原理构建出一类基于串联电感的并联均流缓冲电路及其改进型拓扑。结合模态图从理论上分析新型缓冲电路工作原理,发现所提出IGBT并联均流缓冲电路具备结构简单、易于实现的优点,还兼具静态和动态均流效果。仿真和实验表明所提出方法可以有效抑制过电流,降低电流不均衡度。
关键词
绝缘
栅
双
极
型
晶体管
并联
串联电感
对偶原理
均流
缓冲电路
Keywords
insulate gate bipolar transistor(IGBT)paralleling
series inductors
duality principle
current sharing
snubber
分类号
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于对偶原理的IGBT并联均流缓冲电路研究
王嘉智
吴小涛
刘福临
刘乾易
邹润民
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2023
0
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