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题名绝热式渐次充电技术在CMOS电路中的应用
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作者
陈梦浩
程耕国
程骅
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机构
武汉科技大学信息科学与工程学院
武汉科技大学冶金自动化与检测技术教育部工程研究中心
武汉科技大学冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室
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出处
《现代电子技术》
北大核心
2017年第10期138-141,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61304129)
湖北教育科研项目(Q20121107)
武汉科技大学基金会(2012x2009)
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文摘
随着集成电路技术的不断发展,功耗带来的挑战也日益突出,因此各种节能方法被不断地提出。基于以上所提及的功耗问题,提出一种绝热式渐次充电技术,它能够有效地降低CMOS电路中的能量损耗,达到节能的目的,同时还能降低电路中信号传播时延。这种绝热式渐次充电驱动器是由若干电容、直流电源和相关MOSFET组成的,在这种电路中,渐次式电压的产生几乎不消耗能量。为了凸显该技术的优势,将这种方法与传统的变化电压降低功耗的方法进行比较,经过最终的仿真对比发现该技术比传统的变化电压节能方法在能耗上大幅度降低,与此同时电路中信号传播时延也相应地得以降低。
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关键词
节能
CMOS电路
绝热式渐次充电
传播时延
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Keywords
energy conservation
CMOS circuit
adiabatic stepwise charging
propagation delay
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分类号
TN433-34
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN710.2
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