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MEMS开关的失效模式及机理的分析 被引量：8
1
作者 胡小东 《微纳电子技术》 CAS 2002年第10期31-34,44,共5页
主要探讨了微电子机械系统中普遍存在的失效模式及机理,对几种没有明确对应模式的失效机理也做了介绍。最后针对一种具体的微机械开关器件,研究了它的可靠性问题,给出了相应的可靠性提高措施。该微机械开关主要受限于两种失效模式,其中... 主要探讨了微电子机械系统中普遍存在的失效模式及机理,对几种没有明确对应模式的失效机理也做了介绍。最后针对一种具体的微机械开关器件,研究了它的可靠性问题,给出了相应的可靠性提高措施。该微机械开关主要受限于两种失效模式,其中结构粘附主要发生在结构释放工艺,大大降低了成品率;而金属接触电极之间的压降引起的电弧现象,则对开关的工作寿命形成了严重限制。通过对几种结构释放工艺的比较,指出SCCO2是最佳的释放措施,并比较了几种不同的金属接触电极以降低电弧效应。该微机械开关的工作寿命已由初期的106开关次数提高到了普遍高于108开关次数。 展开更多
关键词 MEMS开关 失效模式 微机械开关 可靠性 结构释放
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基于SU-8负胶的微流体器件的制作及研究 被引量：5
2
作者 王彬 陈翔 +3 位作者 许宝建 金庆辉 赵建龙 徐元森 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期215-219,共5页
采用SU-8结构释放并键合玻片制作了多层结构的微流体芯片,探讨了影响芯片气密性和沟道堵塞的因素,并通过荧光显示验证,提供了一种快速、低成本的塑性微流体器件制作方法。
关键词 微流体器件 结构释放 SU-8键合 塑性
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MEMS矢量水听器敏感结构的后CMOS释放工艺研究
3
作者 谭皓宇 刘国昌 +3 位作者 张文栋 张国军 杨玉华 王任鑫 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第4期33-36,共4页
纤毛式微机电系统(MEMS)矢量水听器可探测水下质点振速等矢量信息,与互补金属氧化物半导体(CMOS)集成能够很大程度地提升其性能。针对纤毛式MEMS矢量水听器的CMOS集成提出了一种方案,该方案在MEMS后处理工艺中,利用侧墙保护和各向异性... 纤毛式微机电系统(MEMS)矢量水听器可探测水下质点振速等矢量信息,与互补金属氧化物半导体(CMOS)集成能够很大程度地提升其性能。针对纤毛式MEMS矢量水听器的CMOS集成提出了一种方案,该方案在MEMS后处理工艺中,利用侧墙保护和各向异性湿法腐蚀从正面释放水听器的十字梁敏感结构。整个后处理过程不需要光刻,降低加工难度的同时,保证了加工结构的精确性。设计出了一种验证性的工艺流程,具体分析了4种不同结构的湿法腐蚀过程。最终完成了这4种结构的工艺流片,对实验结果进行了分析。实验验证了该方案的可行性,为纤毛式MEMS矢量水听器的CMOS集成奠定了基础。 展开更多
关键词 矢量水听器 互补金属氧化物半导体集成 各向异性湿法腐蚀 侧墙保护 结构释放
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高垂直度和低沉积的MEMS陀螺梳齿结构释放工艺 被引量：1
4
作者 梁德春 庄海涵 +1 位作者 李新坤 刘福民 《飞控与探测》 2019年第1期56-60,共5页
梳齿型微机电系统(MEMS)陀螺的释放要求结构具有垂直度高、释放过程沉积聚合物少的特点,通过优化深硅刻蚀的工艺参数,包括钝化气体八氟环丁烷(C_4F_8)的流量、衬底温度、刻蚀气体六氟化硫(SF_6)的流量和钝化气体C_4F_8的压力,实现了结... 梳齿型微机电系统(MEMS)陀螺的释放要求结构具有垂直度高、释放过程沉积聚合物少的特点,通过优化深硅刻蚀的工艺参数,包括钝化气体八氟环丁烷(C_4F_8)的流量、衬底温度、刻蚀气体六氟化硫(SF_6)的流量和钝化气体C_4F_8的压力,实现了结构垂直度为90.0°、支撑层表面沉积物厚度为87.1nm的梳齿结构释放工艺。深硅刻蚀工艺的优化为高性能MEMS陀螺的加工提供了基础。 展开更多
关键词 MEMS陀螺 结构释放 深硅刻蚀 高垂直度 聚合物
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ARJ的特点及使用方法
5
作者 钱盛华 《中国金融电脑》 1998年第1期25-27,共3页
ＡＲＪ的特点及使用方法工商银行江西省景德镇市分行钱盛华我们知道，ＡＲＪＥＸＥ是一个很有用的加、解压程序，它已被广泛应用于我行计划、统计、会计、信贷等办公室自动化业务的数据备份、文件存储、数据通讯之中。一般用户因对Ａ... ＡＲＪ的特点及使用方法工商银行江西省景德镇市分行钱盛华我们知道，ＡＲＪＥＸＥ是一个很有用的加、解压程序，它已被广泛应用于我行计划、统计、会计、信贷等办公室自动化业务的数据备份、文件存储、数据通讯之中。一般用户因对ＡＲＪ功能了解不多，只能使用ＡＲＪ的... 展开更多
关键词 压缩包 开关参数 命令参数 使用方法 压缩率 自解压文件 当前目录 软件工具 结构释放 驱动器名
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ICP硅刻蚀中底部掏蚀现象研究
6
作者 黄斌 陈璞 +1 位作者 吕东锋 郭群英 《集成电路通讯》 2011年第4期1-5,共5页
等离子硅深槽刻蚀中，反射离子造成的掏蚀现象直接影响MEMS器件的加工质量，通过在现有ICP硅深槽刻蚀工艺条件的基础上进行改进，有效的降低了等离子的反射密度和能量，大大改善了结构释放过程中底部掏蚀的不良影响，为底部掏蚀问题提... 等离子硅深槽刻蚀中，反射离子造成的掏蚀现象直接影响MEMS器件的加工质量，通过在现有ICP硅深槽刻蚀工艺条件的基础上进行改进，有效的降低了等离子的反射密度和能量，大大改善了结构释放过程中底部掏蚀的不良影响，为底部掏蚀问题提供了一种可供参考的解决方案。 展开更多
关键词 深槽刻蚀 结构释放 Log效应 掏蚀
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MEMS芯片正面结构释放时的保护 被引量：1
7
作者 张筱朵 秦明 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2007年第4期335-338,共4页
提出了一种MEMS后处理中正面结构释放的正面保护方法.尤其是针对在CMOS-MEMS工艺制造单片集成传感器时,MEMS后处理工艺中正面体硅湿法腐蚀时对已制作完成的CMOS电路部分的表面铝引线、铝焊盘和钝化层下多晶层的保护方法.将一种新型的复... 提出了一种MEMS后处理中正面结构释放的正面保护方法.尤其是针对在CMOS-MEMS工艺制造单片集成传感器时,MEMS后处理工艺中正面体硅湿法腐蚀时对已制作完成的CMOS电路部分的表面铝引线、铝焊盘和钝化层下多晶层的保护方法.将一种新型的复合膜结构和优化后的TMAH腐蚀液相结合,可以保证长时间高温腐蚀时腐蚀液不会渗透到钝化层下,同时完成正面MEMS结构释放.具有与CMOS工艺兼容、工艺实现简单等特点. 展开更多
关键词 MEMS后处理 正面腐蚀 正面保护 正面结构释放
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三维掩膜硅各向异性腐蚀工艺释放微悬空结构 被引量：1
8
作者 黄占喜 吴亚明 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第5期326-332,共7页
提出了一种新颖的基于三维掩膜的硅各向异性腐蚀工艺,即利用深反应离子刻蚀、湿法腐蚀等常规体硅刻蚀工艺和氧化、化学气相沉积(CVD)等薄膜工艺制作出具有三维结构的氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)薄膜,以该三维薄膜作为掩膜进行各向异性... 提出了一种新颖的基于三维掩膜的硅各向异性腐蚀工艺,即利用深反应离子刻蚀、湿法腐蚀等常规体硅刻蚀工艺和氧化、化学气相沉积(CVD)等薄膜工艺制作出具有三维结构的氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)薄膜,以该三维薄膜作为掩膜进行各向异性腐蚀,该工艺可以应用于MEMS微悬空结构的制作。利用该工艺成功地在单片n-Si(100)衬底上完成了一种十字梁结构的释放,并对腐蚀的过程和工艺参数进行了研究。 展开更多
关键词 微悬空结构释放 体硅工艺 三维掩膜 各向异性腐蚀 腐蚀模拟
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核素在引力常数减小过程中的放射性衰变 被引量：9
9
作者 袁立新 《云南大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期252-260,共9页
推动地球板块运动、地震及火山活动的动力机制,地球圈层及岩石结构的形成,以及地球资源和能源等,是当代地球物理急待解决的问题.依据引力常数变化对核素的作用,以及核物理基本原理,建立起了一个核素结构随引力常数变化的动态核力模型,... 推动地球板块运动、地震及火山活动的动力机制,地球圈层及岩石结构的形成,以及地球资源和能源等,是当代地球物理急待解决的问题.依据引力常数变化对核素的作用,以及核物理基本原理,建立起了一个核素结构随引力常数变化的动态核力模型,此核力模型与宇宙天体的演化过程密切相关且同步.此模型对上述多方面存在问题的解决,作了合理的解释.通过引力常数减小而产生的地球结构能释放的论证,求证出核素放射性衰变是地球结构能的释放方式;论证及量化计算了地幔岩石化学结合能是对于地球结构能释放或核衰变能的吸收;证明了引力常数减小对宇宙宏观与原子核微观作用的内在一致性或宏观与微观的统一性;得出了原子核结构的稳定和非稳定性具有相对性的结论. 展开更多
关键词 引力常数减小 动力机制 地球结构能的释放 动态核力模型 核素放射性衰变 宏观与微观的统一
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