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嵌入式化合物嵌锂电压的表达式 被引量:2
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作者 李志友 张晓泳 +2 位作者 黄伯云 刘志坚 曲选辉 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期76-80,共5页
根据化合物单相嵌锂时的晶体结构和嵌锂能的变化特征 ,采用热力学和统计物理的分析方法 ,推导了任意嵌入式化合物的嵌锂电压的表达式 ,并用它来预测了Li1+xV3 O8的嵌锂电压。对该式中各参数的分析及Li1+xV3 O8嵌锂电压的计算结果表明 :... 根据化合物单相嵌锂时的晶体结构和嵌锂能的变化特征 ,采用热力学和统计物理的分析方法 ,推导了任意嵌入式化合物的嵌锂电压的表达式 ,并用它来预测了Li1+xV3 O8的嵌锂电压。对该式中各参数的分析及Li1+xV3 O8嵌锂电压的计算结果表明 :嵌锂电压主要取决于空位嵌锂能 ,嵌锂过程中的组态熵变对电压的贡献较小 ; 展开更多
关键词 嵌入式化合物 嵌锂电压 表达式 组态
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Tc Ⅺ离子4s_24p^2—4s4p^4跃迁的能级和振子强度计算
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作者 董晨钟 袁相津 +3 位作者 林波 赵仪 刘维庆 孙爱民 《量子电子学报》 CAS CSCD 1992年第1期41-42,共2页
TcⅪ离于属于AsⅠ等电子系列,其基组态是4s^24o^1,较低激发组态是4s4p^4。有关AsⅠ等电子系列离子这两个组态的能谱研究已有许多工作。截止目前,对AsⅠ-MoⅩ离子已有完整数据。近来Biement等人又从理论上预言了更高离化态离子TcⅪ、RuⅫ... TcⅪ离于属于AsⅠ等电子系列,其基组态是4s^24o^1,较低激发组态是4s4p^4。有关AsⅠ等电子系列离子这两个组态的能谱研究已有许多工作。截止目前,对AsⅠ-MoⅩ离子已有完整数据。近来Biement等人又从理论上预言了更高离化态离子TcⅪ、RuⅫ、RhⅩⅢ、FdⅩⅣ和AgⅩⅤ的4s^24p^3组态能级以及它们之间磁偶极和电四级跃迁波长和振子强度。然而,对这些离子的4s4p^4组态能级。 展开更多
关键词 强度计算 等电子系列 西北师范大学 振子强度 组态 跃迁谱线 高离化态离子 组态相互作用 跃迁波长
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嵌入式化合物嵌锂电压的统计热力学
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作者 李志友 黄伯云 +1 位作者 刘志坚 曲选辉 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 2002年第2期93-97,共5页
根据化合物单相嵌锂时的晶体结构和嵌锂能的变化特征,采用热力学和统计物理的分析方法,推导了任意嵌入式化合物的嵌锂电压的表达式。对该式中各参数的分析表明:嵌锂电压主要取决于空位嵌锂能,嵌锂过程中的组态熵的变化对电压的贡献较小... 根据化合物单相嵌锂时的晶体结构和嵌锂能的变化特征,采用热力学和统计物理的分析方法,推导了任意嵌入式化合物的嵌锂电压的表达式。对该式中各参数的分析表明:嵌锂电压主要取决于空位嵌锂能,嵌锂过程中的组态熵的变化对电压的贡献较小;已嵌入的锂离子及其邻近阳离子的还原所导致的嵌锂能的变化是影响电压平稳性的关键因素。 展开更多
关键词 嵌入 电压 组态
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