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线性升温条件下纳米ZnSe的生成动力学 被引量:2
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作者 李焕勇 胡荣祖 +1 位作者 张红 介万奇 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第4期315-319,共5页
用非等温TG-DTG技术,在5.0、10.0、15.0和20.0K·min-14个不同线性升温条件下,研究了从配合物ZnSe(C2H8N2)制备纳米ZnSe的过程动力学.结果表明:该过程为三维扩散机理;机理函数为反Jander方程,f(α)=23(1+α)2/3[(1+α)1/3-1]-{}1,G(... 用非等温TG-DTG技术,在5.0、10.0、15.0和20.0K·min-14个不同线性升温条件下,研究了从配合物ZnSe(C2H8N2)制备纳米ZnSe的过程动力学.结果表明:该过程为三维扩散机理;机理函数为反Jander方程,f(α)=23(1+α)2/3[(1+α)1/3-1]-{}1,G(α)=[(1+α)1/3-1]2;表观活化能E=209.61kJ·mol-1,指前因子A=1015.7s-1,动力学方程为dαdt=1015.732(1+α)2/3[(1+α)1/3-1]-{}1exp-25211.7()T.并用结果解释了实验现象.初次报导了纳米ZnSe在420℃左右氧化为粒度低于40nm的纳米ZnO. 展开更多
关键词 纳米znse 线性升温 硒化锌 半导体材料 动力学 生成过程 TG—DTG
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微波法制备Mn^(2+)掺杂ZnSe纳米材料及谱学性能研究 被引量:2
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作者 韩冬梅 宋春风 李效玉 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期2331-2334,共4页
过渡金属掺杂的Ⅱ-Ⅳ族纳米材料有望替代CdSe类量子点作为新型的荧光标记物而受到广泛关注。利用微波加热法的体加热特点,以不同有机胺为配体溶剂,控制反应条件,制备了Mn2+掺杂的ZnSe纳米材料,并分别利用TEM、EDS、荧光光谱等手段对其... 过渡金属掺杂的Ⅱ-Ⅳ族纳米材料有望替代CdSe类量子点作为新型的荧光标记物而受到广泛关注。利用微波加热法的体加热特点,以不同有机胺为配体溶剂,控制反应条件,制备了Mn2+掺杂的ZnSe纳米材料,并分别利用TEM、EDS、荧光光谱等手段对其形貌、结构和性能的关系进行了探索。Mn2+掺杂的纳米ZnSe粒子为200~500 nm的球形粒子,表面平整,为单晶的纤锌矿结构。掺杂后纳米粒子的发射峰显示Mn2+的跃迁发射,但不同的配体溶剂和掺杂量对产物的发光性能有明显影响。 展开更多
关键词 微波合成 过渡金属掺杂 纳米znse 发光性能
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