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纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光 被引量：2
1
作者 黄伟其 黄忠梅 +4 位作者 苗信建 尹君 周年杰 刘世荣 秦朝建 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期123-130,共8页
纳米硅结构使能带的带隙展宽,并形成准直接能带带隙结构.弯曲表面上的某些键合可以在带隙中产生局域电子态,计算表明:纳米硅弯曲表面上的Si-N,Si=O和Si-O-Si键合能够分别在带隙中2.02 eV,1.78 eV和2.03 eV附近形成局域态子带,对应了实... 纳米硅结构使能带的带隙展宽,并形成准直接能带带隙结构.弯曲表面上的某些键合可以在带隙中产生局域电子态,计算表明:纳米硅弯曲表面上的Si-N,Si=O和Si-O-Si键合能够分别在带隙中2.02 eV,1.78 eV和2.03 eV附近形成局域态子带,对应了实验光致荧光谱(PL)中605 nm处的LN线、693 nm处的LO1线和604 nm处的LO2线特征发光.特别是,Si-Yb键合在纳米硅弯曲表面上可以将发光波长调控到光通信窗口,在1310 nm到1600 nm范围形成LYb线特征发光. 展开更多
关键词 纳米硅结构 弯曲表面效应 局域态 特征线
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SiH_2Cl_2-NH_3配比对a-SiN_x∶H薄膜PL峰的影响 被引量：4
2
作者 王小波 刘渝珍 +2 位作者 奎热西 董立军 陈大鹏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期502-506,共5页
低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H薄膜,在3.75 eV的激光激发下,室温下发射1～3个高强度的可见荧光.在相同的沉积温度下(900℃),选择不同的SiH2Cl2和NH3气体配比时,所得薄膜表现出不同的荧光属性,荧光峰的峰位和数目有着... 低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H薄膜,在3.75 eV的激光激发下,室温下发射1～3个高强度的可见荧光.在相同的沉积温度下(900℃),选择不同的SiH2Cl2和NH3气体配比时,所得薄膜表现出不同的荧光属性,荧光峰的峰位和数目有着显著的变化.通过TEM、IR、XPX等分析手段对其原因进行了研究分析,认为不同配比下,生成的薄膜中缺陷态的种类和密度有所不同,这影响了其PL峰个数及其各峰的相对强弱. 展开更多
关键词 纳米硅镶嵌结构 SiNx膜 光致发光 低压化学气相沉积
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氢退火注碳外延硅发光特性研究 被引量：1
3
作者 王强 李玉国 +1 位作者 石礼伟 薛成山 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期256-258,共3页
外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀相继处理之后,发出位于 431 nm 左右的蓝色荧光峰。随电化学腐蚀条件的增强,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于 716 nm 处的红光峰。样品中随碳注入而注入的杂质 C=O复合体镶嵌在退火... 外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀相继处理之后,发出位于 431 nm 左右的蓝色荧光峰。随电化学腐蚀条件的增强,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于 716 nm 处的红光峰。样品中随碳注入而注入的杂质 C=O复合体镶嵌在退火过程所形成的纳米硅颗粒的表面,形成典型的纳米硅镶嵌结构。正是这种结构导致了蓝光发射。 展开更多
关键词 碳注入 氢退火 电化学腐蚀 纳米硅镶嵌结构
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退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响
4
作者 李忠 赵显 +1 位作者 李玉国 薛成山 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期46-47,50,共3页
获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱,分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响,发现退火温度为 1 000℃样品具有最强的发射强度。认为经碳注入所引入的杂质C = O 复合体是发光的重要因素;经碳注入氮气氛中退火及电化学腐蚀处理形... 获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱,分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响,发现退火温度为 1 000℃样品具有最强的发射强度。认为经碳注入所引入的杂质C = O 复合体是发光的重要因素;经碳注入氮气氛中退火及电化学腐蚀处理形成纳米硅镶嵌结构,因量子限制效应–表面复合效应而发光。 展开更多
关键词 注碳外延硅 蓝光发射 纳米硅镶嵌结构 氮气氛中退火
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沉积温度对a-SiN_x∶H薄膜PL峰的影响
5
作者 刘渝珍 陈大鹏 +1 位作者 王小波 董立军 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1553-1557,共5页
在3.75eV的激光激发下，利用LPCVD在800-950℃不同温度下沉积富硅的SiNx薄膜中，在室温下观测到1～5个高强度可见荧光的发射．通过TEM，IR，XPS等的分析研究表明，文中所获样品为纳米硅镶嵌结构的a-SiNx：H薄膜．PL峰数目及其各峰的强... 在3.75eV的激光激发下，利用LPCVD在800-950℃不同温度下沉积富硅的SiNx薄膜中，在室温下观测到1～5个高强度可见荧光的发射．通过TEM，IR，XPS等的分析研究表明，文中所获样品为纳米硅镶嵌结构的a-SiNx：H薄膜．PL峰数目及其各峰的强弱与生成薄膜过程中反应气体SiH2Cl2的分解速率、沉积温度、SiNx生长过程有关，还与薄膜中纳米硅的团簇密度、尺寸大小以及各种不同类型的缺陷态种类和密度有十分重要的关系． 展开更多
关键词 LPCVD 纳米硅镶嵌结构 SiNx薄膜 可见荧光
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