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纳米氧化钒薄膜的制备
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作者 许静 龙永福 +1 位作者 谢凯 毛仙鹤 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期35-38,共4页
以钒醇盐为原料,采用溶胶—凝胶法制备了具有纳米结构的氧化钒薄膜,对影响氧化钒溶胶稳定性的因素进行了系统研究,并初步探讨了焙烧工艺条件对氧化钒薄膜价态的影响。
关键词 纳米氧化薄膜 溶胶-凝胶法 醇盐
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红外微测辐射热计用纳米氧化钒薄膜的制备和性能研究 被引量:1
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作者 吕宇强 胡明 +3 位作者 吴淼 韩雷 梁继然 刘志刚 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2006年第3期221-224,共4页
具有优异热敏性能的氧化钒薄膜材料是红外测辐射热计的首选热敏电阻材料,合适的薄膜电阻及高温度电阻系数的氧化钒薄膜的制备是实现高探测率红外测辐射热计的保证.利用新型对靶反应磁控溅射工艺制备了具有纳米颗粒的氧化钒薄膜材料,确... 具有优异热敏性能的氧化钒薄膜材料是红外测辐射热计的首选热敏电阻材料,合适的薄膜电阻及高温度电阻系数的氧化钒薄膜的制备是实现高探测率红外测辐射热计的保证.利用新型对靶反应磁控溅射工艺制备了具有纳米颗粒的氧化钒薄膜材料,确定了最佳工艺参数.对其组成、结构和性能进行了分析,原子力显微镜AFM形貌分析表明薄膜具有均匀致密的表面,X射线光电子能谱分析XPS确定了其组成成分主要为V_2O_5、VO_2和少量的V_2O_3.在常用作微测辐射热计结构层材料的氮化硅基底上,该薄膜材料在室温附近具有合适的薄膜电阻(大约为每方14 kΩ)以及高的温度电阻系数(-3.17%/℃),有望适用于非致冷红外测辐射热计探测器. 展开更多
关键词 纳米氧化薄膜 测辐射热计 温度电阻系数TCR 直流对靶磁控溅射
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对向靶磁控溅射纳米氧化钒薄膜的热氧化处理 被引量:1
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作者 梁继然 胡明 +1 位作者 陈涛 刘志刚 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期721-726,共6页
采用直流对向靶磁控溅射方法制备低价态纳米氧化钒薄膜,研究热氧化处理温度和时间对氧化钒薄膜的组分、结构和电阻温度特性的影响采用X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对氧化钒薄膜的组分、结晶结构和... 采用直流对向靶磁控溅射方法制备低价态纳米氧化钒薄膜,研究热氧化处理温度和时间对氧化钒薄膜的组分、结构和电阻温度特性的影响采用X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对氧化钒薄膜的组分、结晶结构和微观形貌进行分析,利用热敏感系统对薄膜的电阻温度特性进行测量.结果表明,经300~360℃热处理后,氧化钒薄膜的组分逐渐由V2O3和VO向VO2转变,薄膜由非晶态变为单斜金红石结构,具有金属半导体相变性能;增加热处理温度后,颗粒尺寸由20nm增大为100nm,薄膜表面变得致密,阻碍氧与低价态氧化钒的进一步反应,薄膜内VO2组分舍量的改变量不大;增加热处理时间后,薄膜内VO2组分的含量明显增加,相变幅度超过2个数量级. 展开更多
关键词 直流对向靶磁控溅射 纳米氧化薄膜 氧化处理
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纳米二氧化钒薄膜的制备及红外光学性能 被引量:19
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作者 梁继然 胡明 +6 位作者 王晓东 李贵柯 季安 杨富华 刘剑 吴南健 陈弘达 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1523-1529,共7页
采用双离子束溅射方法在Si3N4/SiO2/Si基底表面沉积氧化钒薄膜,在氮气气氛下热处理获得二氧化钒薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了热处理温度对氧化钒薄膜晶体结构、表面形貌和组分的影响,利... 采用双离子束溅射方法在Si3N4/SiO2/Si基底表面沉积氧化钒薄膜,在氮气气氛下热处理获得二氧化钒薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了热处理温度对氧化钒薄膜晶体结构、表面形貌和组分的影响,利用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对二氧化钒薄膜的红外透射性能进行了测试分析.结果表明,所制备的氧化钒薄膜以非晶态V2O5和四方金红石结构VO2为主,经400℃、2h热处理后获得了(011)择优取向的单斜金红石结构纳米VO2薄膜,提高热处理温度至450℃,纳米结构VO2薄膜的晶粒尺寸减小.FT-IR结果显示,纳米VO2薄膜透射率对比因子超过0.99,高温关闭状态下透射率接近0.小晶粒尺寸纳米VO2薄膜更适合在热光开关器件领域应用. 展开更多
关键词 双离子束溅射 纳米氧化薄膜 透射率
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纳米二氧化钒薄膜的电学与光学相变特性 被引量:11
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作者 梁继然 胡明 +7 位作者 王晓东 李贵柯 阚强 季安 杨富华 刘剑 吴南健 陈弘达 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期1002-1007,共6页
采用双离子束溅射氧化钒薄膜附加热处理的方式制备了纳米二氧化钒薄膜。在热驱动方式下,分别利用四探针测试技术和傅里叶变换红外光谱技术对纳米二氧化钒薄膜的电学与光学半导体-金属相变特性进行了测试与分析。实验结果表明,电学相变... 采用双离子束溅射氧化钒薄膜附加热处理的方式制备了纳米二氧化钒薄膜。在热驱动方式下,分别利用四探针测试技术和傅里叶变换红外光谱技术对纳米二氧化钒薄膜的电学与光学半导体-金属相变特性进行了测试与分析。实验结果表明,电学相变特性与光学相变特性之间存在明显的偏差,电学相变温度为63℃,高于光学相变温度,60℃;电学相变持续的温度宽度较光学相变持续温度宽度宽;在红外光波段,随着波长的增加,纳米二氧化钒薄膜的光学相变温度逐渐增大,由半导体相向金属相转变的初始温度逐渐升高,相变持续的温度宽度变窄。在红外光波段,纳米二氧化钒薄膜的光学相变特性可以通过光波波长进行调控,电学相变特性更适合表征纳米VO2薄膜的半导体-金属相变特性。 展开更多
关键词 纳米氧化薄膜 光学相变 电学相变
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用于微测辐射热探测器的纳米VO_2薄膜 被引量:6
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作者 何少伟 黄鹰 +3 位作者 戴君 赖建军 王兴治 易新建 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期609-612,共4页
用离子束溅射和后退火工艺制备了一种适用于微测辐射热探测器热敏材料的新型纳米结构二氧化钒(VO_2)薄膜材料,薄膜具有平均粒度8 nm,在半导体相区具有电阻温度系数(TCR)为-7%/K,性能高于传统的VO_2材料(平均粒度为1-2μm,在半导体相区具... 用离子束溅射和后退火工艺制备了一种适用于微测辐射热探测器热敏材料的新型纳米结构二氧化钒(VO_2)薄膜材料,薄膜具有平均粒度8 nm,在半导体相区具有电阻温度系数(TCR)为-7%/K,性能高于传统的VO_2材料(平均粒度为1-2μm,在半导体相区具有TCR约为-2%/K).基于纳米结构的VO_2薄膜材料的器件比基于传统的VO_2薄膜材料具有更高的性能,而两者的噪声基本相当. 展开更多
关键词 无机非金属材料 纳米氧化薄膜 非致冷红外探测器 电阻温度系数(TCR)
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纳米二氧化钒薄膜的制备及其特性研究 被引量:1
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作者 李建国 惠龙飞 +3 位作者 冯昊 秦利军 龚婷 安忠维 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第1期75-80,共6页
采用原子层沉积(ALD)方法,分别以VO(OC3H7)3和H2O2为钒源和氧源,在载玻片基底上沉积钒氧化物薄膜;在还原气氛的管式炉中,对钒氧化物薄膜进行还原退火结晶,进而得到VO2薄膜晶体。通过扫描电镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)及X-射线光电子能谱(X... 采用原子层沉积(ALD)方法,分别以VO(OC3H7)3和H2O2为钒源和氧源,在载玻片基底上沉积钒氧化物薄膜;在还原气氛的管式炉中,对钒氧化物薄膜进行还原退火结晶,进而得到VO2薄膜晶体。通过扫描电镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)及X-射线光电子能谱(XPS)研究所制备的钒氧化物薄膜表面形貌、晶体结构以及组分的变化;利用傅里叶红外光谱(FT-IR)对VO2薄膜的红外透射性进行测试分析。结果表明:ALD所制备的薄膜以非晶态V2O5、VO2和V2O3为主;在通以还原气氛(95%Ar,5%H2)并500℃热处理2h后得到以(011)择优取向的单斜金红石纳米VO2薄膜,VO2晶体薄膜相变前后红外透过率突变量较大。 展开更多
关键词 原子层沉积(ALD) 纳米氧化薄膜 半导体-金属相变 红外透过率
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溶胶-凝胶法制备高c轴取向纳米V_2O_5薄膜 被引量:3
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作者 甄恩明 徐刚 +1 位作者 苗蕾 徐雪青 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第9期530-534,539,共6页
采用溶胶-凝胶法,以二乙酰丙酮氧钒(VO(C5H7O2)2)为前驱物,通过提拉方式,在预镀非晶SiO2薄膜的硼硅玻璃上制备多晶纳米五氧化二钒(V2O5)薄膜。通过X射线衍射、傅里叶变换红外吸收光谱、紫外-可见-近红外光谱等表征手段对不同热处理条件... 采用溶胶-凝胶法,以二乙酰丙酮氧钒(VO(C5H7O2)2)为前驱物,通过提拉方式,在预镀非晶SiO2薄膜的硼硅玻璃上制备多晶纳米五氧化二钒(V2O5)薄膜。通过X射线衍射、傅里叶变换红外吸收光谱、紫外-可见-近红外光谱等表征手段对不同热处理条件下的样品进行了结构和光学性能分析。结果表明,热处理温度在350~550℃,无论是在空气中还是在氧分压为0.1Pa的氮气中,均能得到高c轴取向生长的纳米V2O5薄膜,结晶性能良好,晶粒尺寸分布在21~45nm,样品在810cm-1和1026cm-1附近存在对应于5价钒氧化物的红外吸收峰,在500nm出现强烈的带间吸收。与现有的溶胶-凝胶法相比,本实验选用的VO(C5H7O2)2是制备高c轴生长、结晶性好的纳米V2O5薄膜的理想前驱物。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 纳米氧化薄膜 高c轴生长取向 二乙酰丙酮氧 非晶衬底
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