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p-nitrobenzonitrile纳米有机薄膜的超高密度信息存储研究 被引量：3
1
作者 时东霞 巴德纯 +3 位作者 解思深 庞世瑾 高鸿钧 宋延林 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期603-606,共4页
采用扫描隧道显微镜 (STM)在p nitrobenzonitrile(PNBN)单体有机薄膜上进行信息记录点的写入研究。通过在STM针尖和高定向裂解石墨 (HOPG)衬底之间施加一系列的电压脉冲进行信息记录点的写入 ,得到了一个信息点点径小于 1nm ,对应存储... 采用扫描隧道显微镜 (STM)在p nitrobenzonitrile(PNBN)单体有机薄膜上进行信息记录点的写入研究。通过在STM针尖和高定向裂解石墨 (HOPG)衬底之间施加一系列的电压脉冲进行信息记录点的写入 ,得到了一个信息点点径小于 1nm ,对应存储密度高达 1 0 13 bit cm2 的信息存储点阵。电流-电压 (I-V)曲线表明 ,薄膜上非信息点存储区域是高电阻区 ,而信息点存储区域是导电区 ,具有 0-1信息存储特性。PNBN单体有机薄膜的存储机制可能是规则排列的PNBN分子在强电场作用下由有序向无序的转变 ,使得薄膜的电阻由高阻态向低阻态转变 。 展开更多
关键词 超高密度信息存储 扫描隧道显微镜 纳米有机薄膜 p-nitrobenzonitrile
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