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Fe催化生长β-SiC纳米分支结构
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作者 王秋实 吴宛泽 +1 位作者 谢永辉 王维龙 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期786-790,共5页
采用直流电弧等离子辅助法合成了β-SiC纳米分支结构。用扫描电镜和透射电镜,X射线电子能谱和拉曼光谱等对样品进行表征,发现分级生长的SiC纳米线为单晶结构,沿<111>方向生长。β-SiC纳米分支结构通过气-液-固(VSL)机制合成。β-... 采用直流电弧等离子辅助法合成了β-SiC纳米分支结构。用扫描电镜和透射电镜,X射线电子能谱和拉曼光谱等对样品进行表征,发现分级生长的SiC纳米线为单晶结构,沿<111>方向生长。β-SiC纳米分支结构通过气-液-固(VSL)机制合成。β-SiC纳米分支结构在425 nm处有一个强的发光峰。 展开更多
关键词 纳米分支结构 等离子辅助 真空电弧 Β-SIC
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