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晶粒尺寸对冷轧退火纯Cu晶界特征分布的影响 被引量:14
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作者 蔡正旭 王卫国 +1 位作者 方晓英 郭红 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期769-774,共6页
采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了晶粒尺寸不同的纯Cu试样经冷轧变形和高温退火后的晶界特征分布(GBCD).结果表明,细晶(约12μm)试样经小变形冷轧后在高温短时退火过程中形成了比例高达75.7%的∑3n(n=1,2,3)特殊晶界,而且具... 采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了晶粒尺寸不同的纯Cu试样经冷轧变形和高温退火后的晶界特征分布(GBCD).结果表明,细晶(约12μm)试样经小变形冷轧后在高温短时退火过程中形成了比例高达75.7%的∑3n(n=1,2,3)特殊晶界,而且具有∑3n(n=1,2,3)取向关系的特殊晶粒团的平均尺寸较大,达到200μm,试样的GBCD得到较好优化;随着原始晶粒尺寸的增大,试样经冷轧退火后,其特殊晶界比例和特殊晶粒团尺寸均显著减小.EBSD原位观察、孪晶过滤(twinfiltering)和五参数法(FPM)分析表明,三叉晶界(triple.junctions)是轧制退火过程中非共格∑3晶界的有利形核位置,非共格∑3晶界的迁移反应可促进GBCD的优化,这是细晶试样经轧制退火后,其GBCD得到较好优化的关键原因. 展开更多
关键词 cu 晶界特征分布 晶粒尺寸 三叉晶界
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纯Cu和铜包钢在大港土壤环境中的腐蚀行为研究 被引量:13
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作者 朱敏 杜翠薇 +4 位作者 李晓刚 刘智勇 王胜荣 李建宽 贾静焕 《中国腐蚀与防护学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期496-500,共5页
通过1 a现场实验,并结合腐蚀形貌宏观观察、SEM、XRD及失重法对纯Cu和铜包钢在大港土壤环境中的腐蚀行为进行了研究。结果表明,现场埋样的纯Cu、电镀铜包钢和连铸铜包钢的平均腐蚀速率分别为1.01,1.05和1.07 g/(dm2·a),其中电镀铜... 通过1 a现场实验,并结合腐蚀形貌宏观观察、SEM、XRD及失重法对纯Cu和铜包钢在大港土壤环境中的腐蚀行为进行了研究。结果表明,现场埋样的纯Cu、电镀铜包钢和连铸铜包钢的平均腐蚀速率分别为1.01,1.05和1.07 g/(dm2·a),其中电镀铜包钢和连铸铜包钢的平均腐蚀速率接近,纯Cu的腐蚀速率略小;腐蚀特征均表现为非均匀的全面腐蚀,腐蚀程度有所差异;腐蚀产物均主要由Cu2O,Cu(OH)2和CuCl组成。 展开更多
关键词 cu 铜包钢 大港土壤 腐蚀行为
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EBSD技术在ECAP法细化纯Cu晶粒研究中的应用 被引量:4
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作者 郜鲜辉 王晓夏 +1 位作者 罗慧倩 陈霞 《电子显微学报》 CAS CSCD 2012年第5期442-446,共5页
本文利用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了等径弯曲通道挤压(ECAP)不同道次下纯Cu样品取向差分布、晶粒尺寸和织构的演变规律。分析可知:随着ECAP挤压道次的增加,纯Cu样品晶粒由原始的等轴晶转变为挤压后的长轴晶,晶内出现大量位错进而... 本文利用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了等径弯曲通道挤压(ECAP)不同道次下纯Cu样品取向差分布、晶粒尺寸和织构的演变规律。分析可知:随着ECAP挤压道次的增加,纯Cu样品晶粒由原始的等轴晶转变为挤压后的长轴晶,晶内出现大量位错进而发展为亚晶,最终演变为均匀细化的等轴晶,从而达到细化晶粒的效果;经ECAP挤压后,纯Cu样品晶粒尺寸由原始的约34μm变为挤压6道次后的约6μm,晶粒发生取向择优,产生〈110〉纤维织构。 展开更多
关键词 EBSD ECAP cu 织构
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纯Cu固体法渗铝及内氧化研究 被引量:1
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作者 张毅 田保红 +3 位作者 陈小红 高颖颖 刘平 李炎 《特种铸造及有色合金》 CAS CSCD 北大核心 2005年第12期715-717,共3页
研究了CeCl3对固体粉末法纯Cu表面催渗渗铝的动力学过程、成分、组织和性能的影响。通过对纯Cu不同温度及时间渗铝层层深的测定,根据阿累乌斯经验公式计算出渗铝过程的扩散激活能,为渗铝层形成机制的研究提供数据。利用工业N2气中的余... 研究了CeCl3对固体粉末法纯Cu表面催渗渗铝的动力学过程、成分、组织和性能的影响。通过对纯Cu不同温度及时间渗铝层层深的测定,根据阿累乌斯经验公式计算出渗铝过程的扩散激活能,为渗铝层形成机制的研究提供数据。利用工业N2气中的余氧进行内氧化制备CuAl2O3复合材料。研究结果表明:在渗剂中添加CeCl3不仅具有明显的催渗作用,并且使渗入速度提高。内氧化后在Cu基体上均匀弥散分布着纳米级Al2O3粒子。 展开更多
关键词 cu 渗铝 内氧化 激活能
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RE元素对纯Cu显微组织和导电性的影响 被引量:2
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作者 孟祥锋 张伟强 《特种铸造及有色合金》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期286-288,共3页
研究了La、Ce、Nd和Y对纯Cu的电导率、硬度和显微组织的影响。结果表明,在纯Cu中加入适量的La、Ce、Nd和Y能起到净化、去除杂质的作用,从而改善纯Cu的导电性。4种元素La、Ce、Nd和Y的最佳添加量分别为0.05%、0.06%和0.02%,其中Y的效果... 研究了La、Ce、Nd和Y对纯Cu的电导率、硬度和显微组织的影响。结果表明,在纯Cu中加入适量的La、Ce、Nd和Y能起到净化、去除杂质的作用,从而改善纯Cu的导电性。4种元素La、Ce、Nd和Y的最佳添加量分别为0.05%、0.06%和0.02%,其中Y的效果最好。RE也可以使晶粒细化(但Nd例外),其中Y的细化作用最明显,从而有效改善纯Cu的力学性能。 展开更多
关键词 cu RE元素 电导率 硬度
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Cu在北京土壤环境中的腐蚀行为 被引量:2
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作者 朱敏 杜翠薇 +3 位作者 李晓刚 刘智勇 李月强 黄亮 《中国腐蚀与防护学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期306-310,共5页
通过现场实验(1,2和2.5 a)和电化学阻抗谱(EIS)测试,并结合腐蚀形貌宏观观察,SEM,XRD及失重法对纯Cu在北京土壤环境中的腐蚀行为及机理进行了研究。结果表明:现场埋样1,2和2.5 a的纯Cu的腐蚀特征均为非均匀的全面腐蚀,腐蚀程度较轻微。... 通过现场实验(1,2和2.5 a)和电化学阻抗谱(EIS)测试,并结合腐蚀形貌宏观观察,SEM,XRD及失重法对纯Cu在北京土壤环境中的腐蚀行为及机理进行了研究。结果表明:现场埋样1,2和2.5 a的纯Cu的腐蚀特征均为非均匀的全面腐蚀,腐蚀程度较轻微。随埋样时间的延长,纯Cu的腐蚀速率近乎呈线性关系减小,岛屿状腐蚀产物中的空隙等缺陷减少,其致密性有所改善。腐蚀产物均主要由Cu2(CO3)(OH)2,CuO.3H2O和CuCl组成。 展开更多
关键词 cu 北京土壤EIS 腐蚀行为
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Gr/Cu复合材料的阻尼行为
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作者 王金香 陈凯 彭小波 《特种铸造及有色合金》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期601-603,共3页
通过内耗测量法研究了石墨颗粒增强Cu基复合材料(Gr/Cu-MMCs)的阻尼行为,并结合微观结构进行分析,讨论了复合材料阻尼性能提高的机理。结果表明,石墨颗粒的引入提高了复合材料的阻尼能力,且随石墨颗粒体积分数的增加而增加。除了本征阻... 通过内耗测量法研究了石墨颗粒增强Cu基复合材料(Gr/Cu-MMCs)的阻尼行为,并结合微观结构进行分析,讨论了复合材料阻尼性能提高的机理。结果表明,石墨颗粒的引入提高了复合材料的阻尼能力,且随石墨颗粒体积分数的增加而增加。除了本征阻尼对复合材料有影响外,位错阻尼及界面阻尼是材料获得高阻尼性能的重要机制。 展开更多
关键词 复合材料 cu 石墨颗粒 内耗 阻尼
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表面粗糙度对磁控溅射纯Cu靶材刻蚀区表面形貌及溅射性能的影响 被引量:5
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作者 杨文灏 鲍明东 +4 位作者 唐宾 王钰鹏 赵国华 王帅康 王铎 《金属热处理》 CSCD 北大核心 2021年第8期230-236,共7页
通过将不同粗糙度的纯Cu试样安装在组合靶中以保证相同试验条件,采用白光干涉仪、离子镀膜机、电子分析天平和扫描电镜等方法研究了表面粗糙度对磁控溅射金属靶刻蚀区表面形貌及溅射性能的影响。结果表明,不同粗糙度的试样严重影响其溅... 通过将不同粗糙度的纯Cu试样安装在组合靶中以保证相同试验条件,采用白光干涉仪、离子镀膜机、电子分析天平和扫描电镜等方法研究了表面粗糙度对磁控溅射金属靶刻蚀区表面形貌及溅射性能的影响。结果表明,不同粗糙度的试样严重影响其溅射后的表面形貌,在靶材刻蚀最深区域出现凹坑和连续凸起分布的形貌,而在刻蚀较浅的区域出现了溅射蚀坑和不完全刻蚀的晶粒所形成的“亮点”;取向不同的晶粒内部和晶粒边界刻蚀后均出现台阶状形貌,但晶粒内部台阶高度和宽度远远小于晶粒边界,这是由于晶界刻蚀速率较晶粒内部快;表面初始粗糙度越大的试样溅射10 h后,其刻蚀最深区域的表面粗糙度越大;试样溅射过程的前10 h,初始表面粗糙度最小的试样其溅射产额最大。因此,可通过降低靶材表面粗糙度来增加薄膜沉积速率和溅射过程的稳定性。 展开更多
关键词 磁控溅射 cu靶材 表面粗糙度 表面形貌 溅射性能
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额外纯Cu对Cu-Nb复合线材力学及导电性能的影响 被引量:1
9
作者 邓丽萍 Han Ke +2 位作者 杨晓芳 孙泽元 刘庆 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期1696-1701,共6页
通过拉伸试验和四点测电阻法,对中心含额外纯Cu的Cu-Nb复合线材的力学及导电性能进行测试,并利用SEM观察其微观结构和断口形貌。结果表明:从断口中心到边沿,断裂方式从正断逐渐转向剪切断裂。中间纯Cu有利于导电性和强度的优化。线材的... 通过拉伸试验和四点测电阻法,对中心含额外纯Cu的Cu-Nb复合线材的力学及导电性能进行测试,并利用SEM观察其微观结构和断口形貌。结果表明:从断口中心到边沿,断裂方式从正断逐渐转向剪切断裂。中间纯Cu有利于导电性和强度的优化。线材的强度随着Nb芯丝间距的减小呈指数上升趋势。当间距小于100 nm时,尺寸效应对强度有显著影响,且77 K下强度随间距减小而增大的速度大于室温下强度随间距减小的速度。而当间距大于300 nm时,尺寸效应对强度的贡献很小。 展开更多
关键词 cu-Nb复合线材 额外cu 强度 导电性 尺寸效应
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突破强度-导电率制约关系:晶粒异构设计 被引量:1
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作者 侯嘉鹏 孙朋飞 +2 位作者 王强 张振军 张哲峰 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期1467-1477,共11页
采用冷拉拔工艺制备了具有不同晶粒特征的工业纯Al线和工业纯Cu线,研究了晶粒对强度和导电率的影响机制。性能测试结果表明,拉拔变形后期,工业纯Al线和工业纯Cu线的强度和导电率同步提高,打破了强度和导电率传统的倒置关系。微观组织观... 采用冷拉拔工艺制备了具有不同晶粒特征的工业纯Al线和工业纯Cu线,研究了晶粒对强度和导电率的影响机制。性能测试结果表明,拉拔变形后期,工业纯Al线和工业纯Cu线的强度和导电率同步提高,打破了强度和导电率传统的倒置关系。微观组织观察发现:随着拉拔变形量增大,轴向晶粒被拉长,径向晶粒逐渐细化,径向<001>织构向<111>织构转变,形成了晶粒形状异构和晶体取向异构的微观组织结构。理论分析表明:晶粒宽度和织构主要影响强度,晶粒长度主要影响导电率;提出了轴向长晶粒、径向细晶粒和径向硬取向织构是工业纯Al线和工业纯Cu线强度和导电率同步提高的根本原因。 展开更多
关键词 工业Al线 工业cu线 异构晶粒 强度 导电率
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α-Fe中刃型位错和富MnNi析出物相互作用的分子动力学模拟研究 被引量:1
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作者 豆艳坤 黄楚天 +4 位作者 王东杰 贺新福 贾丽霞 王瑾 曹金利 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第7期1200-1209,共10页
本文采用分子动力学方法对α-Fe中1/2〈111〉{110}刃型位错和富MnNi析出物的相互作用进行了系统性研究。发现体系的临界剪切应力随析出物尺寸的增加而增大,随温度的升高而降低。富MnNi析出物和位错相互作用的临界剪切应力大于纯Cu析出... 本文采用分子动力学方法对α-Fe中1/2〈111〉{110}刃型位错和富MnNi析出物的相互作用进行了系统性研究。发现体系的临界剪切应力随析出物尺寸的增加而增大,随温度的升高而降低。富MnNi析出物和位错相互作用的临界剪切应力大于纯Cu析出物的。对于2 nm和3 nm富MnNi析出物,Mn原子对位错滑移的影响作用大于Ni原子的,Mn原子倾向于聚集到位错段,起拖拽位错运动作用。4 nm富MnNi析出物出现了体心立方相转变为面心立方和密排六方相现象,进一步提高了析出物对位错滑移的阻碍作用。随着温度的升高,Mn原子对位错段的拖拽作用减弱、析出物的相变程度降低,导致富MnNi析出物对应的临界剪切应力降低,呈较显著的温度依赖性。总而言之,相比于纯Cu析出物,富MnNi析出物表现出对位错滑移更强的钉扎作用,增强了基体的辐照硬化程度。 展开更多
关键词 刃型位错 富MnNi析出物 cu析出物 分子动力学
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可熔金属芯铸造纯Cu氧枪喷头的工艺设计及试验
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作者 马震 邢书明 《特种铸造及有色合金》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期782-784,共3页
介绍了运用可熔金属芯,采用砂型铸造方法铸造纯Cu氧枪喷头的工艺方案。针对180mm的3孔氧枪喷头的铸造成形工艺进行了设计,包括工艺流程、可熔金属芯制备、工艺参数的设计,并验证了这一方法的可行性。
关键词 金属芯 cu氧枪喷头 铸造 工艺
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