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Cd:O共掺杂AlN的电子结构和p型特性研究
被引量:
11
1
作者
高小奇
郭志友
+3 位作者
曹东兴
张宇飞
孙慧卿
邓贝
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期3418-3425,共8页
为研究Cd:O共掺杂纤锌矿AlN的p型特性,进而揭示导致纤锌矿AlN空穴浓度增加的机理,对Cd:O共掺杂AlN进行了基于密度泛函理论的第一性原理研究.通过计算Cdn-O(n=1,2,3,4)复合体掺杂AlN的结合能,发现Cd:O在AlN中可以稳定存在,共掺杂提高了Cd...
为研究Cd:O共掺杂纤锌矿AlN的p型特性,进而揭示导致纤锌矿AlN空穴浓度增加的机理,对Cd:O共掺杂AlN进行了基于密度泛函理论的第一性原理研究.通过计算Cdn-O(n=1,2,3,4)复合体掺杂AlN的结合能,发现Cd:O在AlN中可以稳定存在,共掺杂提高了Cd在AlN中的固溶度.分析Cd和Cd2-O掺杂AlN体系的激活能,发现Cd2-O的激活能比Cd减小0.21eV,表明Cd2-O的空穴浓度比单掺Cd大约提高了103倍.对比各掺杂体系的能带及态密度,发现Cd-4d和N-2p态由轨道杂化在费米能级附近形成的杂质能级始终位于价带顶,空穴态随着Cdn-O复合体中Cd数目的增加占据了更多的能态密度.研究表明共掺体系中,适当控制Cd和O的浓度,可以减小Cd和O的复合概率,加强Cd-N的共价特性,对改善AlN的p型特性有重要意义.
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关键词
Cd:O共掺杂
纤锌矿
aln
电子结构
p型掺杂特性
原文传递
高压下AlN的电子结构和光学性质
被引量:
4
2
作者
李泽涛
党随虎
李春霞
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期1123-1129,共7页
基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA)方法,利用第一性原理计算了不同压强下六方纤锌矿AlN的晶体结构、电子结构和光学性质.通过比较压力作用下能带结构的变化行为,得出AlN在16.7 GPa附近存在等结构相变,即由直接带隙结构转变为...
基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA)方法,利用第一性原理计算了不同压强下六方纤锌矿AlN的晶体结构、电子结构和光学性质.通过比较压力作用下能带结构的变化行为,得出AlN在16.7 GPa附近存在等结构相变,即由直接带隙结构转变为间接带隙结构.结合电子结构分析了高压对AlN光学性质的影响,发现在压力的作用下AlN吸收光谱有蓝移的趋势.
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关键词
密度泛函理论
六方
纤锌矿
结构
aln
电子结构
光学性质
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职称材料
题名
Cd:O共掺杂AlN的电子结构和p型特性研究
被引量:
11
1
作者
高小奇
郭志友
曹东兴
张宇飞
孙慧卿
邓贝
机构
华南师范大学光电子材料与技术研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期3418-3425,共8页
基金
国家自然科学基金(批准号:10674051
60877069)
+1 种基金
广东省科技攻关计划(批准号:2007A010500011
2008B010200041)资助的课题~~
文摘
为研究Cd:O共掺杂纤锌矿AlN的p型特性,进而揭示导致纤锌矿AlN空穴浓度增加的机理,对Cd:O共掺杂AlN进行了基于密度泛函理论的第一性原理研究.通过计算Cdn-O(n=1,2,3,4)复合体掺杂AlN的结合能,发现Cd:O在AlN中可以稳定存在,共掺杂提高了Cd在AlN中的固溶度.分析Cd和Cd2-O掺杂AlN体系的激活能,发现Cd2-O的激活能比Cd减小0.21eV,表明Cd2-O的空穴浓度比单掺Cd大约提高了103倍.对比各掺杂体系的能带及态密度,发现Cd-4d和N-2p态由轨道杂化在费米能级附近形成的杂质能级始终位于价带顶,空穴态随着Cdn-O复合体中Cd数目的增加占据了更多的能态密度.研究表明共掺体系中,适当控制Cd和O的浓度,可以减小Cd和O的复合概率,加强Cd-N的共价特性,对改善AlN的p型特性有重要意义.
关键词
Cd:O共掺杂
纤锌矿
aln
电子结构
p型掺杂特性
Keywords
Cd:O codoped
wurtzite
aln
electronic structure
p-type doping property
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
高压下AlN的电子结构和光学性质
被引量:
4
2
作者
李泽涛
党随虎
李春霞
机构
长江师范学院物理学与电子工程学院
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期1123-1129,共7页
基金
重庆市教委科技项目(KJ091312)
文摘
基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA)方法,利用第一性原理计算了不同压强下六方纤锌矿AlN的晶体结构、电子结构和光学性质.通过比较压力作用下能带结构的变化行为,得出AlN在16.7 GPa附近存在等结构相变,即由直接带隙结构转变为间接带隙结构.结合电子结构分析了高压对AlN光学性质的影响,发现在压力的作用下AlN吸收光谱有蓝移的趋势.
关键词
密度泛函理论
六方
纤锌矿
结构
aln
电子结构
光学性质
Keywords
Density function theory, wurtzite structure A1N,electronic structure,optical properties
分类号
O641 [理学—物理化学]
O617 [理学—化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Cd:O共掺杂AlN的电子结构和p型特性研究
高小奇
郭志友
曹东兴
张宇飞
孙慧卿
邓贝
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
11
原文传递
2
高压下AlN的电子结构和光学性质
李泽涛
党随虎
李春霞
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011
4
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职称材料
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