期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Cd:O共掺杂AlN的电子结构和p型特性研究 被引量:11
1
作者 高小奇 郭志友 +3 位作者 曹东兴 张宇飞 孙慧卿 邓贝 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期3418-3425,共8页
为研究Cd:O共掺杂纤锌矿AlN的p型特性,进而揭示导致纤锌矿AlN空穴浓度增加的机理,对Cd:O共掺杂AlN进行了基于密度泛函理论的第一性原理研究.通过计算Cdn-O(n=1,2,3,4)复合体掺杂AlN的结合能,发现Cd:O在AlN中可以稳定存在,共掺杂提高了Cd... 为研究Cd:O共掺杂纤锌矿AlN的p型特性,进而揭示导致纤锌矿AlN空穴浓度增加的机理,对Cd:O共掺杂AlN进行了基于密度泛函理论的第一性原理研究.通过计算Cdn-O(n=1,2,3,4)复合体掺杂AlN的结合能,发现Cd:O在AlN中可以稳定存在,共掺杂提高了Cd在AlN中的固溶度.分析Cd和Cd2-O掺杂AlN体系的激活能,发现Cd2-O的激活能比Cd减小0.21eV,表明Cd2-O的空穴浓度比单掺Cd大约提高了103倍.对比各掺杂体系的能带及态密度,发现Cd-4d和N-2p态由轨道杂化在费米能级附近形成的杂质能级始终位于价带顶,空穴态随着Cdn-O复合体中Cd数目的增加占据了更多的能态密度.研究表明共掺体系中,适当控制Cd和O的浓度,可以减小Cd和O的复合概率,加强Cd-N的共价特性,对改善AlN的p型特性有重要意义. 展开更多
关键词 Cd:O共掺杂 纤锌矿aln 电子结构 p型掺杂特性
原文传递
高压下AlN的电子结构和光学性质 被引量:4
2
作者 李泽涛 党随虎 李春霞 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1123-1129,共7页
基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA)方法,利用第一性原理计算了不同压强下六方纤锌矿AlN的晶体结构、电子结构和光学性质.通过比较压力作用下能带结构的变化行为,得出AlN在16.7 GPa附近存在等结构相变,即由直接带隙结构转变为... 基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA)方法,利用第一性原理计算了不同压强下六方纤锌矿AlN的晶体结构、电子结构和光学性质.通过比较压力作用下能带结构的变化行为,得出AlN在16.7 GPa附近存在等结构相变,即由直接带隙结构转变为间接带隙结构.结合电子结构分析了高压对AlN光学性质的影响,发现在压力的作用下AlN吸收光谱有蓝移的趋势. 展开更多
关键词 密度泛函理论 六方纤锌矿结构aln 电子结构 光学性质
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部