MPCVD金刚石薄膜的红外椭偏光学性能研究

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作者 苏青峰 李东敏 +2 位作者 史伟民 王林军 夏义本 《红外》 CAS 2010年第11期11-14,24,共5页

椭圆偏振光谱法是一种非破坏性光谱技术。为了获得微波等离子体化学汽相沉积(MPCVD)金刚石薄膜的最佳沉积条件,用红外椭圆偏振光谱仪对MPCVD金刚石薄膜的红外光学性能进行了表征测量,并分析了衬底温度和反应室的压强对金刚石薄膜的红外... 椭圆偏振光谱法是一种非破坏性光谱技术。为了获得微波等离子体化学汽相沉积(MPCVD)金刚石薄膜的最佳沉积条件,用红外椭圆偏振光谱仪对MPCVD金刚石薄膜的红外光学性能进行了表征测量,并分析了衬底温度和反应室的压强对金刚石薄膜的红外光学性质的影响。当甲烷浓度不变,衬底温度为750℃,反应室的压强为4.0kPa时,金刚石膜的红外椭偏光学性质达到最佳,其折射率的平均值为2.393。研究结果表明,金刚石薄膜的光学性能与薄膜质量密切相关,同时也获得了最佳的金刚石薄膜工艺条件。 展开更多

关键词 红外椭偏 光学性能 折射率 金刚石薄膜

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液相外延制备的InAs0.94Sb0.06薄膜的光学性质

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作者 吕英飞 周炜 +3 位作者 王洋 俞国林 胡淑红 戴宁 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期42-46,128,共6页

采用液相外延方法在In As衬底上制备了In As0.94Sb0.06外延薄膜.分别通过高分辨率X射线衍射谱和扫描电子显微镜测试对样品的结构特性和截面形貌进行表征分析,外延薄膜的晶体质量较好.利用样品在3 000-6 000 nm波段内的椭圆偏振光谱,结... 采用液相外延方法在In As衬底上制备了In As0.94Sb0.06外延薄膜.分别通过高分辨率X射线衍射谱和扫描电子显微镜测试对样品的结构特性和截面形貌进行表征分析,外延薄膜的晶体质量较好.利用样品在3 000-6 000 nm波段内的椭圆偏振光谱,结合介电函数模型,拟合得到了室温下In As衬底和In As0.94Sb0.06薄膜位于禁带位置附近的的折射率和消光系数光谱.由禁带位置附近的折射率能量增强效应确定In As0.94Sb0.06薄膜的禁带宽度为0.308 e V. 展开更多

关键词 液相外延 铟砷锑薄膜 红外椭偏 光学性质

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400nm～2000nm椭偏光谱仪的研究 被引量：2

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作者 杜泉 郭建军 《四川工业学院学报》 2002年第4期88-90,共3页

建立了计算机自动控制测量 40 0nm～ 2 0 0 0nm椭偏光谱仪系统。经过实验检验了系统的重复性及准确度 。

关键词 椭偏光谱仪 薄膜检测 近红外椭偏光谱 计算机控制

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0.5～2.0eV红外光自动椭偏谱仪的研制与应用 被引量：3

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作者 朱惠贤 罗晋生 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第3期69-74,共6页

本文介绍了一种新型的0.5～2.0eV红外光自动椭偏谱仪.采用Boxcar积分平均仪来对红外探测器输出的信号进行平均处理.大大提高了信噪比.仪器波长的变换、检偏器的步进旋转、信号的采集与处理均由微机控制.测量精度高,适用于研究材料的红... 本文介绍了一种新型的0.5～2.0eV红外光自动椭偏谱仪.采用Boxcar积分平均仪来对红外探测器输出的信号进行平均处理.大大提高了信噪比.仪器波长的变换、检偏器的步进旋转、信号的采集与处理均由微机控制.测量精度高,适用于研究材料的红外光学特性.文中给出了GaSb单晶材料红外范围光学参数的测量结果. 展开更多

关键词 光学仪器 椭偏技术 红外椭偏谱仪

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可见、近红外椭偏光谱仪

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作者 杜泉 郭文胜 +1 位作者 朱自强 黄世平 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期165-168,共4页

介绍了计算机自动控制测量可见、近红外椭偏光谱仪。文中着重论述了将探测光波段由可见光区拓展到近红外范围时所需要注意的问题。其系统基本参数为：测量波长范围由可见光４００ｎｍ到近红外２０００ｎｍ；系统光谱分辩率：可见光范围... 介绍了计算机自动控制测量可见、近红外椭偏光谱仪。文中着重论述了将探测光波段由可见光区拓展到近红外范围时所需要注意的问题。其系统基本参数为：测量波长范围由可见光４００ｎｍ到近红外２０００ｎｍ；系统光谱分辩率：可见光范围０．５ｎｍ，近红外范围１．０ｎｍ；入射角６７．５度。经过实验检验了系统的重复性及准确度，证明系统可用于高精度薄膜厚度的检测。 展开更多

关键词 椭偏光谱仪 薄膜检测 近红外椭偏光谱

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红外光谱椭偏仪测量硫系玻璃As_2Se_3折射率的准确性 被引量：2

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作者 李阳 刘永兴 +3 位作者 戴世勋 徐铁峰 林常规 陈飞飞 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期168-173,共6页

采用自制的As_2Se_3玻璃棒,制备了具有不同厚度、背面粗糙度和表面光洁度的样品,借助红外光谱椭偏仪测试了样品折射率,通过光学模型拟合得到了其折射率参数。对比分析了厚度、背面粗糙度和表面光洁度对样品折射率的影响。结果表明:样品... 采用自制的As_2Se_3玻璃棒,制备了具有不同厚度、背面粗糙度和表面光洁度的样品,借助红外光谱椭偏仪测试了样品折射率,通过光学模型拟合得到了其折射率参数。对比分析了厚度、背面粗糙度和表面光洁度对样品折射率的影响。结果表明:样品厚度、背面粗糙度和表面光洁度都会明显影响椭偏仪的测量精度,其中表面光洁度是关键因素。样品厚度应控制在1~3mm,同时增大样品背面粗糙度和样品表面光洁度,可显著提高椭偏仪的测试精度。 展开更多

关键词 测量 折射率 准确性 红外椭偏仪 As2Se3硫系玻璃

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GaN外延膜的红外椭偏光谱研究 被引量：2

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作者 王静 李向阳 +1 位作者 刘骥 黄志明 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2005年第5期544-547,共4页

利用红外椭偏光谱法(IRSE)对生长在蓝宝石衬底上的非故意掺杂的GaN外延膜进行了研究。通过对椭偏光谱的理论计算,拟合了本征GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率及阻尼常量,并由此得到了各向异性的折射率和消光系数的色散曲线以及载... 利用红外椭偏光谱法(IRSE)对生长在蓝宝石衬底上的非故意掺杂的GaN外延膜进行了研究。通过对椭偏光谱的理论计算,拟合了本征GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率及阻尼常量,并由此得到了各向异性的折射率和消光系数的色散曲线以及载流子浓度和迁移率。将得到的电学参数同霍耳测量结果进行了比较。 展开更多

关键词 氮化镓 红外椭偏光谱 折射率 载流子浓度 迁移率

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化学沉积法低温生长锰钴镍薄膜结晶性及红外椭偏光谱研究 被引量：1

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作者 葛玉建 黄志明 +3 位作者 侯云 覃剑欢 李天信 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期413-416,共4页

使用化学沉积方法，在600℃温度下，成功制备锰钴镍（MnxCoyNi3-x-yO4（MCN）薄膜．传统的固熔烧结工艺合成MCN材料需要的温度条件约为1050—1200℃，这一温度相比，本文的方法使合成温度降低了许多．随着退火后处理温度从600℃升高到90... 使用化学沉积方法，在600℃温度下，成功制备锰钴镍（MnxCoyNi3-x-yO4（MCN）薄膜．传统的固熔烧结工艺合成MCN材料需要的温度条件约为1050—1200℃，这一温度相比，本文的方法使合成温度降低了许多．随着退火后处理温度从600℃升高到900℃，MCN薄膜的晶粒尺寸大小从20nm增大到50nm．同时还利用红外椭偏光谱测量获得MCN薄膜的介电常数和吸收系数． 展开更多

关键词 X射线衍射 原子力显微镜 红外椭偏光谱

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其它材料

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《电子科技文摘》 2006年第2期19-21,共3页

0603121 CO气体传感用ZnO溶胶-凝胶衍生多孔薄膜=ZnO sol-gel derived porous film for CO gas sensing [刊,英]/ H. -W. Ryu, B. -S. Park//Electronics Letters. -2003, 96 (3).-717-722(E)

关键词 天津工业大学 天工大 液晶光栅 共混膜 多孔薄膜 红外椭偏光谱 聚乙烯中空纤维膜 聚偏氟乙烯 含氟高聚物 凝胶膜 接枝率 大学学报

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Hg_(1- x)Cd_x Te禁带宽度附近折射率增强效应(英文)

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作者 黄志明 张展竑 +1 位作者 蒋春萍 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期161-164,共4页

用红外椭圆偏振光谱测量了室温下 Hg1 - x Cdx Te(x=0 .2 76 ,0 .30 9,0 .378)体材料位于禁带宽度之下、附近和之上的折射率 .对每一种组份样品均观察到明显的折射率增强效应 .折射率峰值所对应的能量位置近似等于其禁带宽度 .禁带宽度... 用红外椭圆偏振光谱测量了室温下 Hg1 - x Cdx Te(x=0 .2 76 ,0 .30 9,0 .378)体材料位于禁带宽度之下、附近和之上的折射率 .对每一种组份样品均观察到明显的折射率增强效应 .折射率峰值所对应的能量位置近似等于其禁带宽度 .禁带宽度之上折射率随波长 λ变化可用 Sellmeier色散关系 n2 (λ) =a1 + a2 / λ2 + a3/ λ4+ a4/ λ6进行拟合 . 展开更多

关键词 红外椭偏光谱 折射率 半导体 红外材料

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离子注入硅片快速退火后的红外椭偏光谱研究

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作者 刘显明 李斌成 +1 位作者 高卫东 韩艳玲 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期1632-1637,共6页

离子注入硅片经高温退火后晶体结构缺陷会被修复,其在可见光波段下的光学性质趋于单晶硅,常规的可见光椭偏光谱法对掺杂影响的测量不再有效.本研究将测量波段扩展到红外区域(2—20μm),报道了利用红外椭偏光谱法测量经离子注入掺杂并高... 离子注入硅片经高温退火后晶体结构缺陷会被修复,其在可见光波段下的光学性质趋于单晶硅,常规的可见光椭偏光谱法对掺杂影响的测量不再有效.本研究将测量波段扩展到红外区域(2—20μm),报道了利用红外椭偏光谱法测量经离子注入掺杂并高温退火的硅片掺杂层光学和电学性质的方法和结果.通过建立基于Drude自由载流子吸收的等效光学模型,得到了杂质激活后掺杂层的杂质浓度分布、电阻率和载流子迁移率等电学参数,以及掺杂层的红外光学常数色散关系,分析了这些参数随注入剂量的关系并对其物理机理给予了解释.研究表明,中远红外椭偏测量是表征退火硅片的有效方法,且测量波长越长,所能分辨的掺杂浓度越低. 展开更多

关键词 红外椭偏光谱 离子注入 Drude模型 色散关系

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