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MBE生长的InAs_(1-x)Sb_x外延层Eg和x测量
1
作者
罗振华
吴仲墀
邱绍雄
《华东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期50-55,共6页
MBE生长的外延三元化合物材料InAs1 xSbx/AlSb/GaAs等是研制红外光通讯探测器的重要材料 ,准确检测这些半导体的禁带宽度Eg和组份x是个重要课题。该文简要地提出与本研究有关的二维 (2D)体系态密度D2D和自由载流子面密度等物理量的数...
MBE生长的外延三元化合物材料InAs1 xSbx/AlSb/GaAs等是研制红外光通讯探测器的重要材料 ,准确检测这些半导体的禁带宽度Eg和组份x是个重要课题。该文简要地提出与本研究有关的二维 (2D)体系态密度D2D和自由载流子面密度等物理量的数学表达式并采用变温Vander Pauw Hall实验对上述半导体样品进行测试 ,分别用 2D和 3D体系的理论对实验数据进行分析处理 ,实验结果表明 :2D理论得出的Eg和x比 3D理论处理有明显改善 。
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关键词
2D半导体
自由载流子面密度
禁带宽度
MBE
外延生长
红外
光通讯
探测器
三元化合物
InAs1-xSbx
测量
铟砷锑化合物
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职称材料
题名
MBE生长的InAs_(1-x)Sb_x外延层Eg和x测量
1
作者
罗振华
吴仲墀
邱绍雄
机构
华东师范大学物理系
复旦大学物理系
出处
《华东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期50-55,共6页
文摘
MBE生长的外延三元化合物材料InAs1 xSbx/AlSb/GaAs等是研制红外光通讯探测器的重要材料 ,准确检测这些半导体的禁带宽度Eg和组份x是个重要课题。该文简要地提出与本研究有关的二维 (2D)体系态密度D2D和自由载流子面密度等物理量的数学表达式并采用变温Vander Pauw Hall实验对上述半导体样品进行测试 ,分别用 2D和 3D体系的理论对实验数据进行分析处理 ,实验结果表明 :2D理论得出的Eg和x比 3D理论处理有明显改善 。
关键词
2D半导体
自由载流子面密度
禁带宽度
MBE
外延生长
红外
光通讯
探测器
三元化合物
InAs1-xSbx
测量
铟砷锑化合物
Keywords
Q2D semiconductors
area density for free carrier
band gap
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
TN215
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职称材料
题名
作者
出处
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1
MBE生长的InAs_(1-x)Sb_x外延层Eg和x测量
罗振华
吴仲墀
邱绍雄
《华东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001
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职称材料
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