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硅晶闸管烧结应力的红外光弹性研究 被引量:1
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作者 彭海鲸 赵寿南 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期42-47,共6页
参考热弹性理论和复合材料层间应力理论,研究了Si片/Al箔/Mo片烧结后的层间应力及硅片中的应力.热膨胀性能不同引起的热应力在硅片中的中间和边缘区域分布情况不一样,推导出适用于边缘区域的应力计算表达式.用红外光弹测量... 参考热弹性理论和复合材料层间应力理论,研究了Si片/Al箔/Mo片烧结后的层间应力及硅片中的应力.热膨胀性能不同引起的热应力在硅片中的中间和边缘区域分布情况不一样,推导出适用于边缘区域的应力计算表达式.用红外光弹测量获得晶闸管烧结工艺制备样品的应力分布光弹图.理论能较好地解释实验结果. 展开更多
关键词 应力 烧结 弹性 晶闸管 红外光弹性
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硅晶体中离子注入应力的红外光弹性测量及研究 被引量:1
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作者 蒋连生 赵寿南 梁汉成 《红外研究》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第6期425-429,共5页
根据光弹性原理,利用红外光弹性测量系统,采用Senarmont补偿法,对离子注入工艺应力进行了测量。对离子注入工艺应力、退火后应力、应力的分布、应力随剂量和表面浓度的变化进行了研究。
关键词 晶体 离子注入 应力 红外光弹性
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