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金刚石薄膜在氧化铝陶瓷上低压成核
被引量：
6
1
作者
王志明
夏义本
+5 位作者
杨莹
方志军
王林军
居建华
范轶敏
张伟丽
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期765-770,共6页
在微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）系统中,用低压成核方法,在氧化铝陶瓷基片上获得了高成核密度的金刚石薄膜.实验表明,金刚石成核密度随系统压强减小而提高.在此基础上,提出一种MPCVD系统中金刚石成核的动力学模型,并指出对应于最...
在微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）系统中,用低压成核方法,在氧化铝陶瓷基片上获得了高成核密度的金刚石薄膜.实验表明,金刚石成核密度随系统压强减小而提高.在此基础上,提出一种MPCVD系统中金刚石成核的动力学模型,并指出对应于最高成核密度有一临界压强存在.
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关键词
金刚石薄膜
MPCVD
氧化铝陶瓷
系统
压强
成核
化学气相沉积
集成电路
基片
动力学
下载PDF
职称材料
题名
金刚石薄膜在氧化铝陶瓷上低压成核
被引量：
6
1
作者
王志明
夏义本
杨莹
方志军
王林军
居建华
范轶敏
张伟丽
机构
上海大学材料科学与工程学院
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期765-770,共6页
基金
上海应用材料研究与发展基金(0006)
文摘
在微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）系统中,用低压成核方法,在氧化铝陶瓷基片上获得了高成核密度的金刚石薄膜.实验表明,金刚石成核密度随系统压强减小而提高.在此基础上,提出一种MPCVD系统中金刚石成核的动力学模型,并指出对应于最高成核密度有一临界压强存在.
关键词
金刚石薄膜
MPCVD
氧化铝陶瓷
系统
压强
成核
化学气相沉积
集成电路
基片
动力学
Keywords
diamond film
MPCVD
alumina substrates
gas pressure
nucleation
分类号
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
TN304.055
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金刚石薄膜在氧化铝陶瓷上低压成核
王志明
夏义本
杨莹
方志军
王林军
居建华
范轶敏
张伟丽
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
6
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职称材料
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