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半导体器件辐射效应数值模拟技术研究现状与发展趋势 被引量:7
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作者 陈伟 丁李利 郭晓强 《现代应用物理》 2018年第1期1-7,共7页
半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电... 半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电子技术的快速发展,新材料、新结构和新器件的应用为辐射效应建模与数值仿真带来了新挑战。辐射效应数值模拟涉及材料学、电子学和核科学的交叉领域,技术难度大,建模和仿真比较复杂,一些瓶颈问题尚未完全解决。围绕粒子输运模拟、器件级辐射效应数值模拟和电路级辐射效应数值模拟3个方面,梳理急需解决的关键技术问题,介绍半导体器件辐射效应数值模拟技术的发展趋势。 展开更多
关键词 辐射效应 粒子输运模拟 器件模拟 电路模拟 发展趋势
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双层膜结构测量CMOS器件X射线相对剂量增强因子及其理论模拟 被引量:2
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作者 郭红霞 陈雨生 +6 位作者 张义门 周辉 吴国荣 林东升 韩福斌 关颖 龚建成 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期47-51,共5页
首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法。用该方法测量了 CMOS器件 X射线的相对剂量增强因子 RDEF(Relative Dose Enhancement Factor)。同时用 Monte- Carlo粒子输运方法计算了实验条件下 Al/ Au/ Si、Au/ Al/ Si结构界面过渡区剂... 首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法。用该方法测量了 CMOS器件 X射线的相对剂量增强因子 RDEF(Relative Dose Enhancement Factor)。同时用 Monte- Carlo粒子输运方法计算了实验条件下 Al/ Au/ Si、Au/ Al/ Si结构界面过渡区剂量分布 ,理论模拟与实验验证 ,符合较好。 展开更多
关键词 双层膜结构 剂量增强 粒子输运模拟 相对增强因子 相对测量法 平衡剂量 CMOS器件 X射线 半导体器件 辐射效应
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卫星介质深层充电的两类计算模型对比分析 被引量:1
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作者 王松 唐小金 +1 位作者 武占成 易忠 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期202-208,共7页
计算模拟是评估航天器介质深层充电危害的重要研究方法之一.通过粒子输运模拟,可以得到特定空间辐射环境下介质中的电荷沉积分布,进而根据电位/电场计算模型,得到深层充电结果.前期研究多是围绕RIC(辐射诱导电导率)模型及其改进模型展开... 计算模拟是评估航天器介质深层充电危害的重要研究方法之一.通过粒子输运模拟,可以得到特定空间辐射环境下介质中的电荷沉积分布,进而根据电位/电场计算模型,得到深层充电结果.前期研究多是围绕RIC(辐射诱导电导率)模型及其改进模型展开的,而目前通常采用基于电流守恒定律的简单计算模型.为了研究二者关系,给出其各自求解方法,并采用已发表数据对计算结果进行验证;从理论上阐述了后者是RIC模型的进一步简化,只要二者考虑相同的介质电导率,则对应计算结果就是一致的;结合GEO恶劣电子辐射环境下平板介质模型在三类边界条件下的充电情况,进行了充分的仿真验证.相关结论为介质深层充电效应评估提供了有益参考. 展开更多
关键词 介质深层充电 RIC模型 电流守恒定律 粒子输运模拟 辐射诱导电导率
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应用蒙特卡罗方法对比研究ADS颗粒靶和块状靶(英文) 被引量:1
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作者 陈建琪 张雅玲 +3 位作者 张勋超 闫雪松 李建洋 杨磊 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期330-335,共6页
应用蒙特卡罗软件FLUKA对比研究了颗粒靶和块状实体靶在中子、质子泄露,中子、质子流强,能量沉积,残余核活度及Gamma射线剂量率的差异。最终结果显示在靶的轴对称方向,相较块状靶,颗粒靶中的中子流强和能量沉积更加均匀,且侧壁泄露中子... 应用蒙特卡罗软件FLUKA对比研究了颗粒靶和块状实体靶在中子、质子泄露,中子、质子流强,能量沉积,残余核活度及Gamma射线剂量率的差异。最终结果显示在靶的轴对称方向,相较块状靶,颗粒靶中的中子流强和能量沉积更加均匀,且侧壁泄露中子更多而反冲中子较少。除此之外,在散裂产物放射性方面,尽管有部分核素两种靶具有相似的活度,但是颗粒靶总的放射性活度要比块状靶低。因此以上特性使得颗粒靶相较块状实体靶更适合用于ADS的靶。 展开更多
关键词 ADS 散裂靶 颗粒靶 块状靶 活度 粒子输运模拟 残余Gamma剂量率
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