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类石墨烯单层结构ZnO和GaN的压电特性对比研究
被引量：
2
1
作者
向晖
全慧
+3 位作者
胡艺媛
赵炜骞
徐波
殷江
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期492-496,共5页
本研究采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了类石墨烯单层结构ZnO(g-ZnO)和GaN(g-GaN)的力学、电学和压电性质,重点研究了施加应变后原子坐标弛豫与否的Clamped-ion和Relaxed-ion两种模式的弹性刚度系数和压电张量。结果表明单层g-Zn...
本研究采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了类石墨烯单层结构ZnO(g-ZnO)和GaN(g-GaN)的力学、电学和压电性质,重点研究了施加应变后原子坐标弛豫与否的Clamped-ion和Relaxed-ion两种模式的弹性刚度系数和压电张量。结果表明单层g-ZnO和g-GaN均具有半导体属性和较好的弹性。单层g-ZnO和g-GaN的压电系数分别约为9.4和2.2 pm·V^(–1),预测这类单层材料在极薄器件中可能具有压电效应,且g-ZnO的压电性能更好。因此,类石墨烯单层ZnO有望用于压力传感器、制动器、换能器及能量收集器等纳米尺度器件。
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关键词
压电
弹性
电子结构
ZNO
GAN
类
石墨
烯
单层
下载PDF
职称材料
题名
类石墨烯单层结构ZnO和GaN的压电特性对比研究
被引量：
2
1
作者
向晖
全慧
胡艺媛
赵炜骞
徐波
殷江
机构
湖北理工学院数理学院
南京大学固体微结构物理国家重点实验室
中国药科大学理学院
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期492-496,共5页
基金
南京大学固体微结构物理国家重点实验室开放课题(M32016)
湖北理工学院人才引进项目(18xjz17R)
湖北省大学生创新创业训练项目(S201910920041)。
文摘
本研究采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了类石墨烯单层结构ZnO(g-ZnO)和GaN(g-GaN)的力学、电学和压电性质,重点研究了施加应变后原子坐标弛豫与否的Clamped-ion和Relaxed-ion两种模式的弹性刚度系数和压电张量。结果表明单层g-ZnO和g-GaN均具有半导体属性和较好的弹性。单层g-ZnO和g-GaN的压电系数分别约为9.4和2.2 pm·V^(–1),预测这类单层材料在极薄器件中可能具有压电效应,且g-ZnO的压电性能更好。因此,类石墨烯单层ZnO有望用于压力传感器、制动器、换能器及能量收集器等纳米尺度器件。
关键词
压电
弹性
电子结构
ZNO
GAN
类
石墨
烯
单层
Keywords
piezoelectricity
elasticity
electronic structure
ZnO
GaN
graphene-like monolayer
分类号
O482 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
类石墨烯单层结构ZnO和GaN的压电特性对比研究
向晖
全慧
胡艺媛
赵炜骞
徐波
殷江
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
2
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职称材料
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