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PECVD法低温制备二氧化硅薄膜(英文) 被引量：6
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作者 李东玲 尚正国 +1 位作者 温志渝 王胜强 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2013年第2期185-190,共6页
针对金属层间介质以及MEMS等对氧化硅薄膜的需求,介绍了采用等离子增强型化学气相沉积(PECVD)技术,以SiH4和N2O为反应气体,低温制备SiO2薄膜的方法.利用椭偏仪和应力测试系统对制得的SiO2薄膜的厚度、折射率、均匀性以及应力等性能指标... 针对金属层间介质以及MEMS等对氧化硅薄膜的需求,介绍了采用等离子增强型化学气相沉积(PECVD)技术,以SiH4和N2O为反应气体,低温制备SiO2薄膜的方法.利用椭偏仪和应力测试系统对制得的SiO2薄膜的厚度、折射率、均匀性以及应力等性能指标进行了测试,探讨了射频功率、反应腔室压力、气体流量比等关键工艺参数对SiO2薄膜性能的影响.结果表明:SiO2薄膜的折射率主要由N2O/SiH4的流量比决定,而薄膜均匀性主要受电极间距以及反应腔室压力的影响.通过优化工艺参数,在低温260℃下制备了折射率为1.45～1.52、均匀性为±0.64%、应力在-350～-16MPa可控的SiO2薄膜.采用该方法制备的SiO2薄膜均匀性好、结构致密、沉积速率快、沉积温度低且应力可控,可广泛应用于集成电路以及MEMS器件中. 展开更多
关键词 二氧化硅 等离子增强型化学气相沉积(pecvd) 折射率 均匀性 应力
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管式PECVD工艺对氮化硅薄膜折射率的影响 被引量：2
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作者 任现坤 马玉英 +6 位作者 张黎明 刘鹏 姜言森 徐振华 贾河顺 程亮 张春艳 《山东科学》 CAS 2012年第3期58-61,79,共5页
折射率是反映薄膜成分以及致密性的重要指标,是检验薄膜制备质量的重要参数,其变化直接影响太阳能电池的转化效率。本文研究了不同射频功率、腔体压强、衬底温度以及硅烷和氨气配比等沉积条件对在太阳能电池上沉积的氮化硅薄膜折射率的... 折射率是反映薄膜成分以及致密性的重要指标,是检验薄膜制备质量的重要参数,其变化直接影响太阳能电池的转化效率。本文研究了不同射频功率、腔体压强、衬底温度以及硅烷和氨气配比等沉积条件对在太阳能电池上沉积的氮化硅薄膜折射率的影响,分析了氮化硅薄膜折射率随各沉积条件变化的原因。 展开更多
关键词 折射率 致密性 转化效率 氮化硅 等离子增强型化学气相沉积(pecvd)
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