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等离子体微细加工技术的新进展 被引量：13
1
作者 李效白 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第3期179-186,共8页
在大规模集成电路制造中常用反应离子刻蚀 ,但对于加工 2 0 0mm以上直径的片子和 0 2 5 μm的线宽及孔洞 ,它的能力已达到极限。低压等离子刻蚀设备 (ECR ,ICP ,HWP)和高浓度等离子体可以解决这一问题。已经在整个片子上均匀地获得高... 在大规模集成电路制造中常用反应离子刻蚀 ,但对于加工 2 0 0mm以上直径的片子和 0 2 5 μm的线宽及孔洞 ,它的能力已达到极限。低压等离子刻蚀设备 (ECR ,ICP ,HWP)和高浓度等离子体可以解决这一问题。已经在整个片子上均匀地获得高的刻蚀速率。剖面控制精确 ,可改善图形的保真度。本文介绍了干法刻蚀技术的这一最新进展 ,阐述了电子回旋共振等离子体源、感应耦合等离子体源、螺旋波等离子体源的工作原理和干法刻蚀的关键技术问题。 展开更多
关键词 等离子刻蚀 干法刻蚀 集成电路 制造工艺
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金刚石表面刻蚀技术研究进展 被引量：10
2
作者 窦志强 肖长江 栗正新 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期90-95,共6页
金刚石在量子信息器件、生物医药载体、生物传感器、高性能电极、化学分析传感器等诸多领域具有极大的应用价值,金刚石表面刻蚀技术是实现金刚石上述应用的关键所在。常见的刻蚀技术可根据刻蚀剂的物相分为熔盐刻蚀、气相刻蚀、固相刻... 金刚石在量子信息器件、生物医药载体、生物传感器、高性能电极、化学分析传感器等诸多领域具有极大的应用价值,金刚石表面刻蚀技术是实现金刚石上述应用的关键所在。常见的刻蚀技术可根据刻蚀剂的物相分为熔盐刻蚀、气相刻蚀、固相刻蚀、气固相混合刻蚀、等离子刻蚀这五类。熔盐刻蚀是利用熔融离子化合物对金刚石表面进行刻蚀,其刻蚀机理主要是金刚石碳原子的氧化过程。气相刻蚀是利用氧气等气体与金刚石表面发生气固相反应,使金刚石中的碳原子变为一氧化碳等气态化合物进行刻蚀。气固相混合刻蚀主要是以镍、铂等金属作为催化剂,辅助氢气与金刚石发生反应生成甲烷,对金刚石进行刻蚀。固相刻蚀是金刚石合成的逆过程,主要用铁钴镍及其盐对金刚石进行催化石墨化,之后这些金属作为溶剂形成碳固溶体对金刚石进行刻蚀。等离子体刻蚀主要是用氧等离子体与金刚石发生反应,对金刚石进行刻蚀。文章着重介绍了这五种金刚石表面刻蚀技术近年来的研究进展,简要分析了这些技术的原理、特点与用途。 展开更多
关键词 金刚石 表面刻蚀 等离子刻蚀 熔盐刻蚀 气相刻蚀 固相刻蚀
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利用室温等离子体预处理和紫外光引发接枝聚合构造聚丙烯超疏水表面研究 被引量：12
3
作者 霍正元 陈枫 +1 位作者 杨晋涛 钟明强 《科技通报》 北大核心 2009年第6期711-714,共4页
采用紫外光引发自由基聚合液相接枝的方法,将甲基丙烯酸十二氟庚酯(G04)接枝聚合到使用室温等离子体预处理的聚丙烯(PP)片材表面,成功构建水接触角大于150°的超疏水表面。通过FTIR表征显示含氟聚合物以化学键的方式接枝在PP片材表... 采用紫外光引发自由基聚合液相接枝的方法,将甲基丙烯酸十二氟庚酯(G04)接枝聚合到使用室温等离子体预处理的聚丙烯(PP)片材表面,成功构建水接触角大于150°的超疏水表面。通过FTIR表征显示含氟聚合物以化学键的方式接枝在PP片材表面上。考察实验条件发现增大引发剂浓度、增加单体浓度以及提高反应温度均有利于提高表面接枝率,同时发现使用等离子体刻蚀的方法可以进一步提高表面接枝率。对接枝PP表面进行金相显微镜观察和水接触角(WCA)测量等表征,发现接枝PP表面形成了包括含氟聚合物的粗糙表面结构,水接触角随接枝率的增加而逐渐增大至150°以上。 展开更多
关键词 紫外光引发接枝聚合 等离子刻蚀 聚丙烯 疏水性能
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双金属热致动微型泵 被引量：4
4
作者 杨岳 周兆英 +1 位作者 叶雄英 江小宁 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第S1期341-345,共5页
微型泵是一种重要的微型执行器，在微流体供给和控制、微量元素分析、芯片冷却系统等方面将有重要应用。本文利用硅微细加工技术制作出热致动微型泵，该泵采用薄膜型结构设计及双向驱动方式，它具有体积较小、工艺简单、易于集成，效率... 微型泵是一种重要的微型执行器，在微流体供给和控制、微量元素分析、芯片冷却系统等方面将有重要应用。本文利用硅微细加工技术制作出热致动微型泵，该泵采用薄膜型结构设计及双向驱动方式，它具有体积较小、工艺简单、易于集成，效率高和流量较大等特点。 展开更多
关键词 热致动 微型泵 双金属 结构设计 制作工艺 硅微细加工 技术制作 动力学特性 等离子刻蚀 微型机械
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等离子体刻蚀前处理对碳基薄膜结合力的影响 被引量：8
5
作者 李振东 詹华 +2 位作者 王亦奇 汪瑞军 王伟平 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期64-68,共5页
目的通过等离子刻蚀处理使基体表面更洁净,从而提高薄膜与基体的结合力。方法采用阳极层离子源,通过不同的离子源功率和处理时间对M50轴承钢样品进行处理,并在处理过的样品表面制备钨掺杂类金刚石薄膜。利用原子力显微镜对等离子刻蚀处... 目的通过等离子刻蚀处理使基体表面更洁净,从而提高薄膜与基体的结合力。方法采用阳极层离子源,通过不同的离子源功率和处理时间对M50轴承钢样品进行处理,并在处理过的样品表面制备钨掺杂类金刚石薄膜。利用原子力显微镜对等离子刻蚀处理前后的样品表面形貌进行研究,利用Raman光谱分析薄膜的微观结构,利用划痕仪对薄膜与基体的结合力进行研究。结果不同的离子源功率和刻蚀时间,得到了不同的基体微观表面粗糙度;钨掺杂类金钢石薄膜的D峰和G峰分别在1350 cm^(-1)附近和1580 cm^(-1)附近,为典型的类金刚石结构,ID/IG值在1.5左右;未经等离子刻蚀前处理样品的膜/基结合力是23 N;而优化等离子刻蚀前处理参数样品的膜/基结合力高达69 N,最佳的离子源功率和刻蚀时间为2 k W、60 min。结论等离子刻蚀前处理能够有效提高薄膜与基体的结合力。 展开更多
关键词 等离子刻蚀 阳极层离子源 M50轴承钢 钨掺杂类金刚石薄膜 离子源功率
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C/C复合材料表面CoNiCrAlTaHfY/Co复合涂层的组织 被引量：4
6
作者 郭麒 孟天旭 +3 位作者 席雯 丁文强 于盛旺 刘小萍 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期29-38,共10页
在H2+Ar等离子刻蚀后的C/C复合材料表面进行等离子渗Co和CoNiCrAlTaHfY共渗复合处理,形成CoNiCrAlTaHfY/Co多元复合涂层,通过与刻蚀前后制备的CoNiCrAlTaHfY涂层对比分析,研究了刻蚀与Co过渡层对CoNiCrAlTaHfY/Co复合涂层组织、成分及... 在H2+Ar等离子刻蚀后的C/C复合材料表面进行等离子渗Co和CoNiCrAlTaHfY共渗复合处理,形成CoNiCrAlTaHfY/Co多元复合涂层,通过与刻蚀前后制备的CoNiCrAlTaHfY涂层对比分析,研究了刻蚀与Co过渡层对CoNiCrAlTaHfY/Co复合涂层组织、成分及结合强度的影响。结果表明,刻蚀前、后形成的CoNiCrAlTaHfY涂层厚度分别为10μm和14μm。刻蚀处理后,原棒状炭纤维与紧密包裹其的碳基体分别被刻蚀成针状和薄壁管,在炭纤维与基体碳之间形成孔隙,比表面积也相应增大,促进元素形核和扩散,使涂层与基体结合强度增加。在刻蚀表面与CoNiCrAlTaHfY多元涂层间增加Co过渡层,形成的CoNiCrAlTaHfY/Co复合涂层厚约30μm,复合涂层成分连续,组织均匀致密,由CrCoTa,Al2Ta,Cr2Ta,Alx Cry,Al Co2Ta,Co,AlxNiy组成,Co过渡层与CoCrAlTaHfYNi表层分别以三维岛状和柱状生长。CoNiCrAlTaHfY表层/Co过渡层/基体间的互扩散导致涂层与基体间的结合力明显提高。 展开更多
关键词 C/C复合材料 等离子渗金属 等离子刻蚀 Co过渡层 CoNiCrAlTaHfY/Co复合涂层
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沟槽栅IGBT深槽工艺研究 被引量：4
7
作者 罗海辉 黄建伟 +1 位作者 Ian Deviny 刘国友 《大功率变流技术》 2013年第2期8-12,共5页
基于Lam 4420反应离子刻蚀(RIE)设备和Cl2气体开发了适用于沟槽栅IGBT的深槽等离子刻蚀工艺。通过调整HBr、O2和SF6等添加气体含量得到了无底切、底角圆滑、槽壁斜度3°左右、深度6μm的沟槽;通过系统优化气体流量、气压、电极间距... 基于Lam 4420反应离子刻蚀(RIE)设备和Cl2气体开发了适用于沟槽栅IGBT的深槽等离子刻蚀工艺。通过调整HBr、O2和SF6等添加气体含量得到了无底切、底角圆滑、槽壁斜度3°左右、深度6μm的沟槽;通过系统优化气体流量、气压、电极间距和RF功率等工艺参数,得到了<5%的硅片内不均匀性,刻蚀速率可达800 nm/min。在完成CF4/Ar刻蚀和牺牲氧化等后续工艺后,槽型得到进一步改善。 展开更多
关键词 沟槽栅IGBT 等离子刻蚀 CL2 槽型
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SU-8光刻胶去胶工艺研究 被引量：4
8
作者 张笛 王英 +2 位作者 瞿敏妮 孔路瑶 程秀兰 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第6期910-913,共4页
SU-8光刻胶因具有良好的机械耐久性、聚合物水密性、介电性能、生物兼容性和抗化学腐蚀性而被广泛用于MEMS器件、生物医学和芯片封装等领域。现有制作工艺中,在不损伤器件的同时完全去除和剥离SU-8光刻胶仍是一个难题。文章研究了一种基... SU-8光刻胶因具有良好的机械耐久性、聚合物水密性、介电性能、生物兼容性和抗化学腐蚀性而被广泛用于MEMS器件、生物医学和芯片封装等领域。现有制作工艺中,在不损伤器件的同时完全去除和剥离SU-8光刻胶仍是一个难题。文章研究了一种基于O2/CF4等离子刻蚀配合湿法刻蚀的去除方法,实现了SU-8光刻胶在硅基底、非晶无机非金属材料、电镀金属等材料上的有效去除。 展开更多
关键词 SU-8光刻胶 O2/CF4 等离子刻蚀 去胶
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基于二氧化硅溅射的PMMA和PDMS亲水改性 被引量：4
9
作者 叶雄英 李子尚 +1 位作者 冯金扬 马增帅 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期2096-2102,共7页
为了提高以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚二甲基硅氧烷(PDMS)为材料的微流体通道的浸润性,通过溅射SiO2对PMMA和PDMS进行了表面亲水改性处理。首先,对PMMA和PDMS进行氧等离子刻蚀,改变其表面形貌;然后,溅射SiO2进行表面亲水改性处理,由不... 为了提高以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚二甲基硅氧烷(PDMS)为材料的微流体通道的浸润性,通过溅射SiO2对PMMA和PDMS进行了表面亲水改性处理。首先,对PMMA和PDMS进行氧等离子刻蚀,改变其表面形貌;然后,溅射SiO2进行表面亲水改性处理,由不同溅射时间得到不同厚度的SiO2薄膜。在亲水处理后一段时间之内对PMMA和PDMS表面分别进行接触角测量,评价不同条件下的改性效果,并对改性后的样片进行黏接性测试。结果表明:氧等离子刻蚀后,溅射时间10min以上的PMMA表面可在10天内保持极亲水的状态;溅射时间15min后的PMMA在35天之内接触角不超过10°;PDMS的亲水性可保持10天,接触角不超过60°;高温老化处理能延缓PDMS表面疏水性的恢复。实验结果显示:氧等离子刻蚀之后,溅射SiO2的方法可使PMMA和PDMS获得较长时间的表面亲水改性效果。另外,亲水改性处理后的PDMS之间仍可实现有效黏接,改性PMMA与未改性PDMS也能有效黏接。 展开更多
关键词 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 聚二甲基硅氧烷(PDMS) 亲水改性 溅射 二氧化硅 等离子刻蚀
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微米、亚微米掩模等离子刻蚀技术初探
10
作者 严剑荫 赵丽新 张仲毅 《微电子技术》 1995年第4期22-26,共5页
本文将着重阐述等离子刻蚀技术在制作超大规模集成电路中精细掩模的优越性及工艺原理。然后结合介绍等刻设备LFE501的特性和具体实验报告，分析等刻技术在进入实用阶段时的技术难点。最后简述一下等刻技术在掩模工艺中的应用前景和由此... 本文将着重阐述等离子刻蚀技术在制作超大规模集成电路中精细掩模的优越性及工艺原理。然后结合介绍等刻设备LFE501的特性和具体实验报告，分析等刻技术在进入实用阶段时的技术难点。最后简述一下等刻技术在掩模工艺中的应用前景和由此带来的经济效益。 展开更多
关键词 离子刻蚀技术 刻蚀速率 亚微米 等离子刻蚀 射频功率 反应气体 低温等离子体 体等离子体 干法腐蚀 刻蚀条件
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CL_2+SF_6混合气体对Si和SiN_x的离子刻蚀研究 被引量：3
11
作者 郑载润 陈正伟 +2 位作者 蒋冬华 李正勳 李斗熙 《现代显示》 2008年第3期48-50,共3页
采用统计实验方法研究了利用SF6+Cl2混合气体产生的等离子体进行Si和SiNx的反应离子刻蚀技术。在相同的输出功率和压力的条件下,将Si和SiNx的刻蚀速率和选择比表示为SF6百分比含量的函数。文中讨论了SF6含量的变化对刻蚀速率、选择比和... 采用统计实验方法研究了利用SF6+Cl2混合气体产生的等离子体进行Si和SiNx的反应离子刻蚀技术。在相同的输出功率和压力的条件下,将Si和SiNx的刻蚀速率和选择比表示为SF6百分比含量的函数。文中讨论了SF6含量的变化对刻蚀速率、选择比和坡度角的影响及刻蚀机理,证实了即使是SF6含量的少量改变也会对Si和SiNx的刻蚀速率、选择比和坡度角有重要的影响。并通过光谱分析来深层次地讨论刻蚀速率受SF6含量影响的原因。 展开更多
关键词 等离子刻蚀 刻蚀速率 选择比
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等离子刻蚀制造硅场发射阵列
12
作者 范忠 李琼 +2 位作者 刘新福 周江云 徐静芳 《微细加工技术》 1998年第1期27-32,共6页
本文介绍了一种全干法二步刻蚀制造高发射效率的场发射阵列（ＦｉｅｌｄＥｍｉｔｔｅｒＡｒｒａｒｙ－ＦＥＡ）的方法。首先利用等离子刻蚀（ＰｌａｓｍａＥｔｃｈｉｎｇ－ＰＥ）的各向同性在由ＳｉＯ２掩模的硅衬底上刻出平顶尖锥，然... 本文介绍了一种全干法二步刻蚀制造高发射效率的场发射阵列（ＦｉｅｌｄＥｍｉｔｔｅｒＡｒｒａｒｙ－ＦＥＡ）的方法。首先利用等离子刻蚀（ＰｌａｓｍａＥｔｃｈｉｎｇ－ＰＥ）的各向同性在由ＳｉＯ２掩模的硅衬底上刻出平顶尖锥，然后再利用反应离子刻蚀（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ－ＲＩＥ）的各向异性，在ＰＥ的基础上进一步刻蚀来拔高尖锥并减少尖锥顶部的面积，以得到理想形状的ＦＥＡ尖锥。这种方法比ＲＩＥ一步刻蚀法和湿法刻蚀加ＲＩＥ二步法简单可靠。 展开更多
关键词 等离子刻蚀 反应离子刻蚀 硅 FEA 硅尖锥
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等离子刻蚀二氧化硅 被引量：3
13
作者 余山 章定康 黄敞 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第1期38-40,共3页
本文对一般的平行板式等离子刻蚀机的电极进行了改进,在改进的刻蚀机上,用CF_4+H_2刻蚀SiO_2,刻蚀速率为700(?)/min,选择性、各向异性均较好。
关键词 等离子刻蚀 二氧化硅 细细加工 LDD
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等离子刻蚀工艺中UV坚膜技术研究 被引量：2
14
作者 李祥 孙峰 《微电子技术》 1994年第1期36-39,共4页
对正性光刻胶进行UV坚膜处理，可有效地保持图形形貌的完整性，并提高抗蚀性能，可消除等离子刻蚀中容易产生的燃胶等现象，但坚膜用起始温度、终点温度、温升速率及UV光照时间等参数对坚膜效果均会产生较大的影响。参数选择不当，同样... 对正性光刻胶进行UV坚膜处理，可有效地保持图形形貌的完整性，并提高抗蚀性能，可消除等离子刻蚀中容易产生的燃胶等现象，但坚膜用起始温度、终点温度、温升速率及UV光照时间等参数对坚膜效果均会产生较大的影响。参数选择不当，同样会产生不良效果。 展开更多
关键词 等离子刻蚀 工艺 UV坚膜
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离心渗透等离子刻蚀法制备无基底阵列式碳纳米管复合膜 被引量：3
15
作者 曾效舒 罗超 杜招红 《南昌大学学报（工科版）》 CAS 2009年第3期281-284,共4页
介绍了一种将聚乙烯醇渗透于碳纳米管中的方法,然后采用等离子刻蚀碳纳米管薄膜制备出了无基底阵列式碳纳米管复合膜。实验发现,聚乙烯醇可以起到固定碳纳米管的作用,而且找到最佳聚乙烯醇溶液粘度,并且研究了刻蚀时间对刻蚀效果的影响... 介绍了一种将聚乙烯醇渗透于碳纳米管中的方法,然后采用等离子刻蚀碳纳米管薄膜制备出了无基底阵列式碳纳米管复合膜。实验发现,聚乙烯醇可以起到固定碳纳米管的作用,而且找到最佳聚乙烯醇溶液粘度,并且研究了刻蚀时间对刻蚀效果的影响。此外还研究了膜表面处理对聚乙烯醇渗入碳纳米管膜性能的影响,结果表明,膜表面处理能有效改善聚乙烯醇对碳纳米管膜的渗入性。 展开更多
关键词 阵列式碳纳米管 无基底 聚乙烯醇 等离子刻蚀
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非光敏BCB工艺技术研究 被引量：3
16
作者 刘欣 谢廷明 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期754-757,共4页
非光敏BCB介质具有介电常数小、吸水率低、热稳定性好、力学性能优良、固化温度低,以及表面平坦化特性好等优点,作为重要的介质材料,已经应用于薄膜多芯片组件(MCM)基板布线中。文章研究了薄膜多层布线工艺中非光敏BCB介质的涂覆、固化... 非光敏BCB介质具有介电常数小、吸水率低、热稳定性好、力学性能优良、固化温度低,以及表面平坦化特性好等优点,作为重要的介质材料,已经应用于薄膜多芯片组件(MCM)基板布线中。文章研究了薄膜多层布线工艺中非光敏BCB介质的涂覆、固化工艺,以及等离子刻蚀工艺;提出了优化的涂覆和固化工艺参数,使用适当的刻蚀掩膜以及优化后的刻蚀工艺参数,进行图形刻蚀,获得了厚度为4μm、表面粗糙度小于150 nm的表面平整的非光敏BCB介质膜,并在薄膜MCM多层布线基板中得到较好运用。 展开更多
关键词 多芯片组件 非光敏BCB 涂覆 固化 等离子刻蚀
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硅的横向刻蚀技术研究 被引量：1
17
作者 范忠 赖宗声 +1 位作者 秦元菊 孔庆粤 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期195-197,203,共4页
研究了 SF6等离子体横向刻蚀硅的速率和对 Si O2 的选择性 ,主要通过改变 SF6气体流量和加入 O2 ,提高硅的横向刻蚀速率和对 Si O2 选择性。实验发现 ,加入 O2 能提高 SF6等离子对 Si的横向刻蚀速率和 Si/Si O2 的刻蚀速率比。Si的横向... 研究了 SF6等离子体横向刻蚀硅的速率和对 Si O2 的选择性 ,主要通过改变 SF6气体流量和加入 O2 ,提高硅的横向刻蚀速率和对 Si O2 选择性。实验发现 ,加入 O2 能提高 SF6等离子对 Si的横向刻蚀速率和 Si/Si O2 的刻蚀速率比。Si的横向刻蚀速率最高可达 0 .45μm/min,Si/Si O2 的刻蚀比可达 50∶ 1。最后提出 ,在一定刻蚀条件下 ,可增加 Si O2 掩膜厚度 ,或用金属铝作掩膜来加大 展开更多
关键词 MEMS 等离子刻蚀 横向刻蚀 硅
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基于非晶硅的红外焦平面阵列微桥结构的研究 被引量：2
18
作者 刘欢 王珊珊 宋亮 《科技资讯》 2008年第27期8-,10,共2页
近年来,集成非制冷红外焦平面阵列技术的发展和应用成为国内外研究的热点。本文从红外材料的确定,探测结构的选择入手,通过大量的流片实验,对基于非晶硅的非制冷红外探测微桥结构制作工艺进行了系统的研究,得到一套合适的工艺参数,并成... 近年来,集成非制冷红外焦平面阵列技术的发展和应用成为国内外研究的热点。本文从红外材料的确定,探测结构的选择入手,通过大量的流片实验,对基于非晶硅的非制冷红外探测微桥结构制作工艺进行了系统的研究,得到一套合适的工艺参数,并成功制作出160×120规模的微桥结构阵列。 展开更多
关键词 光刻 等离子刻蚀 牺牲层 非晶硅 微桥结构
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GaAs器件工艺中等离子刻蚀及计算机辅助监控技术研究 被引量：2
19
作者 陈正明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期182-185,共4页
用Ｎ２气和ＮＦ３反应气体，在较低的刻蚀功率下实现了用薄正性光刻胶ＡＺ１５１８作掩模，均匀、快速刻蚀ＳｉＯ２，ＳｉＯＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＷＮ，Ｗ等材料的等离子刻蚀技术。利用到蚀过程中射频参数的变化和计算机技术，将射频参数的... 用Ｎ２气和ＮＦ３反应气体，在较低的刻蚀功率下实现了用薄正性光刻胶ＡＺ１５１８作掩模，均匀、快速刻蚀ＳｉＯ２，ＳｉＯＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＷＮ，Ｗ等材料的等离子刻蚀技术。利用到蚀过程中射频参数的变化和计算机技术，将射频参数的变化在计算机屏幕上实时显示，实现了计算机辅助监控和终点检测技术。 展开更多
关键词 等离子刻蚀 砷化镓 CAD 监控
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抗蚀剂的干法显影技术研究
20
作者 管会 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期1-4,共4页
在以前还只是处于想象境地的抗蚀剂干显影（等离子体显影）已展示了实现的可能性。一方面开发了能够干显影的抗蚀剂，另一方面还发展了能对现有抗蚀剂作干显影的新工艺。本文简述了至今为止所发表的抗蚀剂的干显影技术方法和技术动向，... 在以前还只是处于想象境地的抗蚀剂干显影（等离子体显影）已展示了实现的可能性。一方面开发了能够干显影的抗蚀剂，另一方面还发展了能对现有抗蚀剂作干显影的新工艺。本文简述了至今为止所发表的抗蚀剂的干显影技术方法和技术动向，也介绍了我们所做的有关工作。 展开更多
关键词 等离子刻蚀 抗蚀剂 干显影 工艺
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