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绝缘体上硅微环谐振腔电光调制器的分析与最优设计 被引量：7
1
作者 韦丽萍 王永华 +4 位作者 臧俊斌 崔丹凤 李艳娜 刘耀英 薛晨阳 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1473-1477,共5页
针对高频电光调制器的应用需求,提出了一种基于绝缘体上硅微环谐振腔的P-I-N型电光调制器.利用散射矩阵法描述了微环谐振腔谐振特性机理,结合等离子体色散效应中载流子浓度对硅有效折射率变化的影响,系统分析了微环谐振腔电光调制器的... 针对高频电光调制器的应用需求,提出了一种基于绝缘体上硅微环谐振腔的P-I-N型电光调制器.利用散射矩阵法描述了微环谐振腔谐振特性机理,结合等离子体色散效应中载流子浓度对硅有效折射率变化的影响,系统分析了微环谐振腔电光调制器的理论模型.在此基础上,利用Rsoft仿真软件对脊型波导截面光场分布进行了仿真分析,得到了光场局域性能较优的脊型纳米波导微环谐振腔设计;结合Sentaurus TCAD仿真软件对不同掺杂浓度下的P-I-N型二极管性能进行了仿真计算,理论得出了Q值仅为5×103时频移量达58.74GHz的微环谐振腔最优电光调制器结构,为电光调制器的深入研究提供了理论参考. 展开更多
关键词 等离子体色散效应 微环谐振腔 电光调制器 脊型波导 P—I—N型二极管
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SOI基亚微米光波导可调光衰减器的设计 被引量：2
2
作者 刘瑞丹 王玥 +2 位作者 吴远大 安俊明 胡雄伟 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第1期34-37,41,共5页
基于硅的等离子色散效应,构建了SOI基光波导可调光衰减器(VOA)仿真模型,对SOI基亚微米脊形波导结构的模式特性、VOA器件的掺杂区间距、掺杂深度及浓度对VOA特性的影响进行了系统的模拟分析,优化设计出了小尺寸、低损耗的VOA器件,仿真结... 基于硅的等离子色散效应,构建了SOI基光波导可调光衰减器(VOA)仿真模型,对SOI基亚微米脊形波导结构的模式特性、VOA器件的掺杂区间距、掺杂深度及浓度对VOA特性的影响进行了系统的模拟分析,优化设计出了小尺寸、低损耗的VOA器件,仿真结果表明:该器件在2.1V电压下即可获得30dB衰减量,功耗仅为14mW。 展开更多
关键词 绝缘体上硅 可调光衰减器 光波导 等离子体色散效应
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高局域性的可调硅基混合表面等离子体光相位调制器 被引量：1
3
作者 孙晓萌 周林杰 +2 位作者 李新碗 谢静雅 陈建平 《光学与光电技术》 2011年第5期20-24,共5页
设计和分析了一种可调硅基混合表面等离子体相位调制器。表面等离子体的引入打破了衍射极限的限制,使光场局域在一个纳米尺寸范围。该调制器的实现采用了两种原理:硅材料的等离子体色散效应以及聚合物的电光效应。由于器件结构的电容和... 设计和分析了一种可调硅基混合表面等离子体相位调制器。表面等离子体的引入打破了衍射极限的限制,使光场局域在一个纳米尺寸范围。该调制器的实现采用了两种原理:硅材料的等离子体色散效应以及聚合物的电光效应。由于器件结构的电容和寄生电阻较小,RC响应时间为3.77ps,调制带宽大约100GHz。当外加2.5V的驱动电压时,该调制器的功耗为0.9mW(相当于9fJ/bit)。光相位调制器在光通信和光互联中都有重要应用。 展开更多
关键词 表面等离子体 等离子体色散效应 电光效应 相位调制器
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Si基SiGe光波导开关的研究现状与最新进展 被引量：1
4
作者 李静 赵玉周 +3 位作者 林旭彬 胡巧燕 李章健 陈志文 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期417-422,425,共7页
　随着光纤通信技术的迅猛发展,作为光交叉连接和光分插复用核心器件的光开关的作用日益突出。其中Si基光波导开关由于其成本低、可靠性高、器件制作工艺成熟等诸多优点而备受重视。综述了目前Si基光波导开关,特别是SiGe材料光波导开关... 　随着光纤通信技术的迅猛发展,作为光交叉连接和光分插复用核心器件的光开关的作用日益突出。其中Si基光波导开关由于其成本低、可靠性高、器件制作工艺成熟等诸多优点而备受重视。综述了目前Si基光波导开关,特别是SiGe材料光波导开关的研究现状和进展。 展开更多
关键词 光开关 SIGE 光波导 等离子体色散效应
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SiGe/Si异质结PIN顶注入电光调制器的数值分析
5
作者 冯露露 冯松 +2 位作者 胡祥建 王迪 陈梦林 《西安工业大学学报》 CAS 2022年第4期408-413,共6页
针对电光调制器的调制效率低造成调制器的驱动电压较高的问题。文中基于等离子色散效应理论,利用计算机辅助设计模拟方法,设计了一种SiGe/Si异质结PIN顶注入硅基电光调制器,分析了不同结构尺寸、掺杂浓度下折射率变化、吸收系数变化和... 针对电光调制器的调制效率低造成调制器的驱动电压较高的问题。文中基于等离子色散效应理论,利用计算机辅助设计模拟方法,设计了一种SiGe/Si异质结PIN顶注入硅基电光调制器,分析了不同结构尺寸、掺杂浓度下折射率变化、吸收系数变化和衰减等影响。研究结果表明:该器件有效增大了折射率变化和吸收系数变化,增强了电光调制器的等离子体色散效应,提高了硅基调制器的调制效率。SiGe/Si异质结PIN顶注入电光调制器的20dB衰减所需的驱动电压从1.24V降到0.99V,其调制效率约为硅基调制器的1.25倍,SiGe/Si异质结可以有效增强等离子体色散效应,提高电光调制器的调制效率,改善电光调制器的性能。 展开更多
关键词 电光调制器 硅基调制器 等离子体色散效应 SIGE/SI异质结
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