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多源感应耦合等离子体的产生及等离子体诊断
被引量：
3
1
作者
辛煜
狄小莲
+1 位作者
虞一青
宁兆元
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第7期3494-3500,共7页
基于单组多匝线圈的小腔体感应耦合等离子体,研究了线圈配置与耦合效率等之间的关联,并将实验结果应用到多组并联螺旋天线感应耦合等离子体放电体系中.采用了改进的朗谬尔探针方法对单源和多源感应耦合等离子体的电参量分别进行了表征....
基于单组多匝线圈的小腔体感应耦合等离子体,研究了线圈配置与耦合效率等之间的关联,并将实验结果应用到多组并联螺旋天线感应耦合等离子体放电体系中.采用了改进的朗谬尔探针方法对单源和多源感应耦合等离子体的电参量分别进行了表征.结果表明,使用多螺旋天线并联方式可以产生低气压高密度的感应耦合等离子体放电,通过调整工艺参量,可以将等离子体密度和光刻胶的刻蚀均匀性控制在80%以上.
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关键词
多源感应耦合
等离子体
朗谬尔探针
等离子体
灰化
原文传递
用低温氧等离子体灰化法测定煤中矿物质
被引量：
3
2
作者
秦匡宗
《煤炭科学技术》
CAS
1988年第9期19-21,57+63,共5页
本文介绍了用低温氧等离子体灰化法测定煤中矿物质,从而突破了长期以来限于分析煤灰中金属氧化物的组成,提高了对煤中矿物质性质的认识。
关键词
等离子体
灰化
法
煤中矿物质
金属氧化物
干燥无矿物质基
煤质分析
原子态
工业分析
氧化反应器
氧
等离子体
衍射谱
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职称材料
等离子体与氧杂碳化硅低介电常数隔离膜的相互作用
3
作者
陈维
韩清源
+3 位作者
Robert Most
Carlo Waldfried
Orlando Escorcia
Ivan L.Berry
《电子工业专用设备》
2003年第4期75-78,共4页
为了进一步降低高级器件堆叠中铜连接线的电容延迟性,我们开发了一种先进的氧杂碳化硅隔离膜(O-SiC),其介电常数为3.5,能非常有效地阻止铜的扩散。如所期望的那样,O-SiC膜可用作蚀刻和CMP的终止盖层,即需要在集成过程中防止各种等离子...
为了进一步降低高级器件堆叠中铜连接线的电容延迟性,我们开发了一种先进的氧杂碳化硅隔离膜(O-SiC),其介电常数为3.5,能非常有效地阻止铜的扩散。如所期望的那样,O-SiC膜可用作蚀刻和CMP的终止盖层,即需要在集成过程中防止各种等离子化学的辐射。我们检测了等离子灰化化学:O2?H2?N2,H2?N2和H2?He等离子体与O-SiC膜的相互作用,测定了膜受到的等离子损伤并检测了化学结构的变化。此外,在薄膜受到这些等离子体的辐射之后,测定了其电学性质,如泄漏电流、介电常数和介质击穿电压。结果显示,H2?He等离子灰化化学可以有效应用于O-SiC薄膜,而不会造成薄膜的关键特性退化。
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关键词
氧杂碳化硅
等离子体
灰化
低介电材料
等离子体
引起的低介电薄膜损伤
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职称材料
TiN在氧等离子体灰化器中的氧化
4
作者
甘德昌
《等离子体应用技术快报》
1996年第2期19-20,共2页
关键词
氮化钛
等离子体
灰化
器
变化
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职称材料
题名
多源感应耦合等离子体的产生及等离子体诊断
被引量：
3
1
作者
辛煜
狄小莲
虞一青
宁兆元
机构
苏州大学物理科学与技术学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第7期3494-3500,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:10305008)资助的课题.~~
文摘
基于单组多匝线圈的小腔体感应耦合等离子体,研究了线圈配置与耦合效率等之间的关联,并将实验结果应用到多组并联螺旋天线感应耦合等离子体放电体系中.采用了改进的朗谬尔探针方法对单源和多源感应耦合等离子体的电参量分别进行了表征.结果表明,使用多螺旋天线并联方式可以产生低气压高密度的感应耦合等离子体放电,通过调整工艺参量,可以将等离子体密度和光刻胶的刻蚀均匀性控制在80%以上.
关键词
多源感应耦合
等离子体
朗谬尔探针
等离子体
灰化
Keywords
inductively coupled plasma with multi-sources, Langmuir porbe, plasma ashing
分类号
O531 [理学—等离子体物理]
原文传递
题名
用低温氧等离子体灰化法测定煤中矿物质
被引量：
3
2
作者
秦匡宗
机构
华东石油学院
出处
《煤炭科学技术》
CAS
1988年第9期19-21,57+63,共5页
文摘
本文介绍了用低温氧等离子体灰化法测定煤中矿物质,从而突破了长期以来限于分析煤灰中金属氧化物的组成,提高了对煤中矿物质性质的认识。
关键词
等离子体
灰化
法
煤中矿物质
金属氧化物
干燥无矿物质基
煤质分析
原子态
工业分析
氧化反应器
氧
等离子体
衍射谱
分类号
R15 [医药卫生—营养与食品卫生学]
下载PDF
职称材料
题名
等离子体与氧杂碳化硅低介电常数隔离膜的相互作用
3
作者
陈维
韩清源
Robert Most
Carlo Waldfried
Orlando Escorcia
Ivan L.Berry
机构
道康宁公司
亚舍立科技公司
出处
《电子工业专用设备》
2003年第4期75-78,共4页
文摘
为了进一步降低高级器件堆叠中铜连接线的电容延迟性,我们开发了一种先进的氧杂碳化硅隔离膜(O-SiC),其介电常数为3.5,能非常有效地阻止铜的扩散。如所期望的那样,O-SiC膜可用作蚀刻和CMP的终止盖层,即需要在集成过程中防止各种等离子化学的辐射。我们检测了等离子灰化化学:O2?H2?N2,H2?N2和H2?He等离子体与O-SiC膜的相互作用,测定了膜受到的等离子损伤并检测了化学结构的变化。此外,在薄膜受到这些等离子体的辐射之后,测定了其电学性质,如泄漏电流、介电常数和介质击穿电压。结果显示,H2?He等离子灰化化学可以有效应用于O-SiC薄膜,而不会造成薄膜的关键特性退化。
关键词
氧杂碳化硅
等离子体
灰化
低介电材料
等离子体
引起的低介电薄膜损伤
Keywords
Oxygen Doped Silicon Carbide
Plasma Ashing Low-k Films
Film Damage by Ashing Plasma
分类号
TN405.95 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
TiN在氧等离子体灰化器中的氧化
4
作者
甘德昌
出处
《等离子体应用技术快报》
1996年第2期19-20,共2页
关键词
氮化钛
等离子体
灰化
器
变化
分类号
TN204 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多源感应耦合等离子体的产生及等离子体诊断
辛煜
狄小莲
虞一青
宁兆元
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
原文传递
2
用低温氧等离子体灰化法测定煤中矿物质
秦匡宗
《煤炭科学技术》
CAS
1988
3
下载PDF
职称材料
3
等离子体与氧杂碳化硅低介电常数隔离膜的相互作用
陈维
韩清源
Robert Most
Carlo Waldfried
Orlando Escorcia
Ivan L.Berry
《电子工业专用设备》
2003
0
下载PDF
职称材料
4
TiN在氧等离子体灰化器中的氧化
甘德昌
《等离子体应用技术快报》
1996
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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