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PECVD技术制备光学薄膜的研究进展 被引量:7
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作者 杭良毅 刘卫国 +1 位作者 杭凌侠 周顺 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2020年第13期37-48,共12页
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在制备高激光损伤阈值的激光薄膜和渐变折射率结构的光学薄膜方面有独特的优点。通过大量的工艺研究,人们掌握了调控光学薄膜材料折射率和降低消光系数的方法。目前已知薄膜的最低折射率为1.16±... 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在制备高激光损伤阈值的激光薄膜和渐变折射率结构的光学薄膜方面有独特的优点。通过大量的工艺研究,人们掌握了调控光学薄膜材料折射率和降低消光系数的方法。目前已知薄膜的最低折射率为1.16±0.01(632.8 nm波长处),有效拓展了薄膜材料的折射率范围。当薄膜的消光系数小于10-3时,薄膜折射率的可变范围为1.33~2.06,基本满足光学薄膜设计和制造的需求,且获得了大量中间折射率的制备工艺,基本满足光学薄膜设计和制造的需求。此外,薄膜制备工艺的稳定性和重复性也通过实验得到了验证。目前,PECVD技术已被用于制备多层光学薄膜,如减反膜、高反膜、Rugate滤光片、陷波滤光片,薄膜的光谱特性及抗激光损伤特性明显优于传统光学薄膜。特别是在渐变折射率薄膜的制造领域,PECVD技术有广阔的工程应用前景。 展开更多
关键词 光学薄膜 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 折射率 消光系数
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大面积应用的RF-PECVD技术研究 被引量:4
2
作者 杭凌侠 Y.Yin 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期172-176,180,共6页
本文探讨采用小电极与大面积基片相对移动的方法来制造大面积薄膜的可行性,提出了采用小电极等离子体源在大面积基片上移动工作的新方法,可用于沉积(或刻蚀)均匀大面积薄膜或根据需求设计的大面积上非均匀膜厚分布的薄膜,从原理上避免... 本文探讨采用小电极与大面积基片相对移动的方法来制造大面积薄膜的可行性,提出了采用小电极等离子体源在大面积基片上移动工作的新方法,可用于沉积(或刻蚀)均匀大面积薄膜或根据需求设计的大面积上非均匀膜厚分布的薄膜,从原理上避免大电极带来的不均匀性。介绍了这种方法中由两个电极构成的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统。分析了当电极移动时,电极与真空室壁相对位置发生变化时对等离子体参数的影响。我们发现当两个射频电极之间的相位差为定值时,等离子体的分布随电极与真空室壁的距离(极地距)变化而变化。当极地距小于80mm时,随极地距的增加,等离子体的悬浮电位和基片的自偏压下降,离子密度变化不明显。当极地距大于80mm时,等离子体的分布呈稳定状态,各参数变化不明显。采用PECVD方法镀制了大面积薄膜厚度呈均匀分布和非均匀分布的两种薄膜,提供了膜厚呈线性渐变和抛物线变化的两种薄膜样片,显示了该方法的灵活性和可行性。 展开更多
关键词 大面积 均匀性 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 双移动电极
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PECVD工艺参数对SiO_2薄膜光学性能的影响 被引量:5
3
作者 杭凌侠 张霄 周顺 《西安工业大学学报》 CAS 2010年第2期117-120,共4页
为探索利用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Depo-sition,PECVD)技术制作光学薄膜的有效方法.以SiH4和N2O作为反应气体,通过采用M-2000UI型宽光谱变角度椭圆偏振仪对制作样片进行测试,分析了薄膜沉积过程中的... 为探索利用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Depo-sition,PECVD)技术制作光学薄膜的有效方法.以SiH4和N2O作为反应气体,通过采用M-2000UI型宽光谱变角度椭圆偏振仪对制作样片进行测试,分析了薄膜沉积过程中的不同的工艺参数对SiO2薄膜光学性能的影响.实验结果表明:在PECVD技术工作参数范围内,基底温度为350℃,射频功率为150 W,反应气压为100 Pa时,能够沉积消光系数小于10-5,沉积速率为(15±1)nm/min,折射率为(1.465±0.5)×10-4的SiO2薄膜. 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 二氧化硅薄膜 工艺参数 薄膜光学特性
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PECVD喷淋板上微通道结构对射流均匀性的影响性分析
4
作者 刘万锁 岳向吉 蔺增 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期222-233,共12页
喷淋板微通道结构对等离子体增强化学气相沉积镀膜工艺成膜均匀性具有重要影响,目前缺少对不同微通道差异性的研究。通过采用滑移边界修正的连续流计算方法,获得克努森数为0.009~0.01的微通道流动特性结果,计算结果与其他微通道试验与... 喷淋板微通道结构对等离子体增强化学气相沉积镀膜工艺成膜均匀性具有重要影响,目前缺少对不同微通道差异性的研究。通过采用滑移边界修正的连续流计算方法,获得克努森数为0.009~0.01的微通道流动特性结果,计算结果与其他微通道试验与计算结果具有一致性。结果表明,等径型与收缩型微通道几何尺寸对均匀性影响较小,出口射流所形成的涡流会降低均匀性,扩张型微通道提高出口扩散性,其射流均匀性明显优于前两者。通过提出均匀性量化方法,研究等径型、收缩型和扩张型三种具有代表性的微通道结构,进一步完善了喷淋板及稀薄环境微通道研究的不足。 展开更多
关键词 微通道 射流均匀性 均匀性量化 扩张腔 等离子体增强化学气相沉积(pecvd)
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10m长管道内壁类金刚石薄膜沉积及性能
5
作者 靳朋礼 田修波 巩春志 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期49-56,共8页
工业生产过程中管道内壁经常受到输送物质的腐蚀和磨损,对管道内壁进行涂层防护十分必要,而目前鲜有在大长径比管道内壁镀膜的报道,且缺乏对大长径比管道内壁膜层性能的研究。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在直径100 mm、长1... 工业生产过程中管道内壁经常受到输送物质的腐蚀和磨损,对管道内壁进行涂层防护十分必要,而目前鲜有在大长径比管道内壁镀膜的报道,且缺乏对大长径比管道内壁膜层性能的研究。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在直径100 mm、长10 m管道内壁沉积类金刚石(DLC)薄膜,并研究管道内工作气体的等离子体放电辉光光谱、膜层表面亮度、水静态接触角、硬度、摩擦因数和拉曼光谱等。结果表明:管道内等离子体光谱显示管内等离子体中有Ar^(+)和乙炔分解成的C_(2)、H和CH;膜层表面的亮度L*最高达到37.4和色差ΔE^(*)最大1.9,膜层拉曼光谱结果表明靠近管道两端和中间位置膜层的I_(D)/I_(G)均匀,膜层水静态接触角显示靠近管道两端的膜层接触角略小;靠近管道两端膜层硬度相比中间位置的膜层硬度高,并且磨损测试中膜层均未出现破损剥落,膜层具有高的耐磨性。试验实现了在大长径比的管道内壁沉积耐磨损的DLC膜层,为长管道内壁均匀镀膜提供了理论支持和技术指导。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 长管道 内壁镀膜 类金刚石
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等离子体增强化学气相沉积法制备类金刚石薄膜研究综述
6
作者 马会中 路军涛 张兰 《科学技术与工程》 北大核心 2023年第18期7597-7606,共10页
类金刚石薄膜由于其独特的物理化学特性,使得该薄膜在光学、电学、机械、医学、航空航天等领域得到了广泛应用。等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)制备类金刚石是近几十年兴起的新的制备类金... 类金刚石薄膜由于其独特的物理化学特性,使得该薄膜在光学、电学、机械、医学、航空航天等领域得到了广泛应用。等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)制备类金刚石是近几十年兴起的新的制备类金刚石薄膜的方法,因其对沉积温度要求低,对基底友好,同时还具有沉积速率快和无转移生长的优势,获得了越来越多的研究者关注。详细介绍了类金刚石薄膜优异的特性,阐述了在等离子化学气相沉积条件下,不同沉积条件对沉积类金刚石薄膜结构特性的影响。衬底的选择直接影响着沉积类金刚石薄膜的性能,不同的衬底直接决定着生成类金刚石结构中sp^(3)相的数量和质量;沉积参数是最为常见的控制条件,对沉积薄膜的总体效果影响也是最大的,改变沉积参数,沉积薄膜的表面将会变得更加光滑致密;常用的掺杂元素是硅和氮,掺杂元素的引入往往是为了降低沉积薄膜的内应力,提高与衬底间的结合力,延长使用寿命等;由于很难直接在金属上沉积类金刚石薄膜,所以常通过制备复合层来改善沉积效果。最后对类金刚石薄膜的发展以及今后研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 类金刚石薄膜 沉积条件 掺杂 复合层
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发光二极管表面结构对出光特性的影响 被引量:4
7
作者 张玉敏 邹德恕 +1 位作者 韩金茹 沈光地 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期174-177,共4页
用传输矩阵法模拟计算了AlGaInP发光二极管(LED)不同表面结构的光学特性,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或磁控溅射掺铟氧化锡(ITO)设备,在带有DBR结构的外延衬底上制备出具有不同表面层结构的LED。通过实验结果对比表明,表面生长λ... 用传输矩阵法模拟计算了AlGaInP发光二极管(LED)不同表面结构的光学特性,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或磁控溅射掺铟氧化锡(ITO)设备,在带有DBR结构的外延衬底上制备出具有不同表面层结构的LED。通过实验结果对比表明,表面生长λ/4nSiON加λ/2nITO增透膜结构复合增透膜的LED,器件光学性能提高最佳,在20 mA注入电流下,光强和光通量分别达到141.7 mcd和0.473 3 lm。比同样结构的无增透膜LED轴向光强和光通量分别提高138%和91%。 展开更多
关键词 ALGAINP发光二极管 增透膜 传输矩阵法 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 掺铟氧化锡(ITO)
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氩稀释无氨氮化硅薄膜的制备 被引量:3
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作者 赵润 高鹏飞 +2 位作者 刘浩 李庆伟 何刚 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第5期345-350,共6页
氮化硅(SiNx)薄膜是一种广泛应用于半导体光电器件的介质膜,其性质的优劣直接影响器件的性能。使用SiH4与NH3作为反应气体制备出的氮化硅薄膜含有大量氢,应用于某些光电器件时,会导致器件工作时光电特性不稳定。针对此问题研发了一种使... 氮化硅(SiNx)薄膜是一种广泛应用于半导体光电器件的介质膜,其性质的优劣直接影响器件的性能。使用SiH4与NH3作为反应气体制备出的氮化硅薄膜含有大量氢,应用于某些光电器件时,会导致器件工作时光电特性不稳定。针对此问题研发了一种使用SiH4与N2作为反应气体,Ar作为稀释气体的工艺方法,即无氨工艺。使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,通过研究各工艺参数对薄膜性能的影响,制备出了一种含氢量低的氮化硅薄膜。通过傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)测试了无氨工艺制备的氮化硅薄膜的含氢量,和使用SiH4与NH3作为反应气体制备出的氮化硅薄膜相比含氢量明显降低。 展开更多
关键词 氮化硅(SiNx)薄膜 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 无氨工艺 氩稀释 傅里叶变换红外光谱分析法(FTIR)
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氧化后退火技术对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响 被引量:3
9
作者 杨涛涛 韩军 +5 位作者 林文魁 曾春红 张璇 孙玉华 张宝顺 鞠涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期48-52,共5页
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响。在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层并经N2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH3,N... 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响。在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层并经N2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH3,N2O,H2和N2的后退火处理,之后进行高温快速退火,最后制备Al电极4H-SiC MOS电容。I-V和C-V测试结果表明,各样品的氧化层击穿场强均大于9 MV/cm,PH3处理可以降低界面有效负电荷和近界面氧化层陷阱电荷,但PH3处理样品的界面态密度比N2O处理的结果要高。经N2O氛围PECVD后退火样品在距离导带0.2和0.4 eV处的界面态密度分别约为1.7×10^12和4×10^11eV^-1·cm^-2,有望用于SiC MOSFET器件的栅氧处理。 展开更多
关键词 4H-SIC MOS电容 C-V测试 界面态密度 等离子体增强化学气相沉积(pecvd)
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RF-PECVD法研究碳纳米管的生长特性 被引量:3
10
作者 李玮玮 李明吉 杨保和 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期79-81,共3页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD),以Fe作为催化剂,在Si基片上生长了碳纳米管(CNT),采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HR TEM)以及显微Raman光谱等对制备的CNT的形貌及结构进行了表征。结果表明:700... 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD),以Fe作为催化剂,在Si基片上生长了碳纳米管(CNT),采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HR TEM)以及显微Raman光谱等对制备的CNT的形貌及结构进行了表征。结果表明:700℃和800℃温度下生长的CNT均取向无序、弯曲缠结,由整齐排列的圆筒状石墨片构成,层间距约为0.34 nm,属于结晶性多壁CNT;在700℃基片温度下生长的CNT均匀细长,管径约为15~20 nm,长度约2μm;800℃基片温度下生长的CNT纯度较高。 展开更多
关键词 碳纳米管(CNT) 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) Fe催化剂 基片温度
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基于PECVD的TSV深孔绝缘层沉积工艺优化 被引量:2
11
作者 唐伟 王文杰 +3 位作者 吴道伟 李宝霞 杜亚飞 赵鸿 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第6期492-497,共6页
研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法的硅通孔(TSV)中(孔径5μm,深宽比10∶1)二氧化硅(SiO2)薄膜的生长技术。分析了低频功率、腔室压力和分步沉积次数对TSV深孔SiO2膜层覆盖率的影响。实验结果表明,深孔内底部的膜层覆盖率最... 研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法的硅通孔(TSV)中(孔径5μm,深宽比10∶1)二氧化硅(SiO2)薄膜的生长技术。分析了低频功率、腔室压力和分步沉积次数对TSV深孔SiO2膜层覆盖率的影响。实验结果表明,深孔内底部的膜层覆盖率最高,孔内拐角处的膜层覆盖率最低。在低频功率为300 W、腔室压力为1.6 Torr (1 Torr=133.3 Pa)、分步沉积8次时,孔内最薄处的拐角覆盖率由2.23%提高到了4.88%,有效提高了膜层的覆盖率。最后,对膜层的击穿电压、漏电流、表面应力和沉积速率进行了检测,结果表明在保证膜层电性能基础上,将深孔SiO2薄膜的沉积速率提高到了480.075 nm/min。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 硅通孔(TSV) 二氧化硅(SiO2) 覆盖率 沉积速率
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沉积温度对Ni辅助合成石墨烯质量的影响 被引量:2
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作者 于成磊 王伟 +2 位作者 段赛赛 于龙宇 刘孟杰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期553-557,共5页
研究了不同沉积温度下借助牺牲层Ni合成石墨烯的质量。在氧化铟锡(ITO)玻璃表面先后蒸镀了厚度分别为120 nm的Ta2O5和50 nm的图形化Ni,采用低温(500,600和700℃)下的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在Ni和绝缘层Ta2O5的界面处获得... 研究了不同沉积温度下借助牺牲层Ni合成石墨烯的质量。在氧化铟锡(ITO)玻璃表面先后蒸镀了厚度分别为120 nm的Ta2O5和50 nm的图形化Ni,采用低温(500,600和700℃)下的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在Ni和绝缘层Ta2O5的界面处获得了大面积的图形化石墨烯薄膜。去除Ni后,将图形化的石墨烯保留在绝缘衬底上,采用原子力显微镜(AFM)和喇曼光谱对3种不同沉积温度下合成的石墨烯薄膜的表面形貌和质量进行了表征,研究了沉积温度对Ni辅助合成石墨烯表面形貌和导电性能的影响。结果表明,借助图形化牺牲层Ni能够在绝缘衬底Ta2O5上直接合成图形化的石墨烯,沉积温度对石墨烯的表面形貌和质量有很大影响,沉积温度在600℃时,制备的石墨烯具有较高的质量和良好的导电性能。 展开更多
关键词 石墨烯 沉积温度 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 牺牲层Ni 图形化
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多晶硅薄膜的工艺研究 被引量:1
13
作者 王军 祁康成 成建波 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期4-6,共3页
研究了制备性能优良非晶硅薄膜的工艺参数 ,对薄膜进行高温退火得到多晶硅薄膜。用X射线衍射仪 (XRD)和扫描电镜 (SEM)观察薄膜的结晶情况以及晶粒的大小。结果表明 :退火温度越高 ,退火时间越长 ,得到多晶硅薄膜的比例越高 ,晶粒也相... 研究了制备性能优良非晶硅薄膜的工艺参数 ,对薄膜进行高温退火得到多晶硅薄膜。用X射线衍射仪 (XRD)和扫描电镜 (SEM)观察薄膜的结晶情况以及晶粒的大小。结果表明 :退火温度越高 ,退火时间越长 ,得到多晶硅薄膜的比例越高 ,晶粒也相对较大 ;薄膜在 (111)方向上优先结晶 ,晶粒大小可以达到 1μm 。 展开更多
关键词 多晶硅 薄膜 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 退火
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FDLC薄膜的化学结构对光学性能的影响 被引量:1
14
作者 刘雄飞 张德恒 齐海兵 《应用光学》 CAS CSCD 2007年第1期51-54,共4页
研究氟化类金刚石(FDLC)薄膜化学结构对光学性能的影响,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃基底上沉积氟化类金刚石(FDLC)薄膜,用俄歇能谱、傅里叶红外光谱(FT IR)、紫外-可见光分光光度计(UV-V IS)对薄膜进行分析。分析结果表... 研究氟化类金刚石(FDLC)薄膜化学结构对光学性能的影响,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃基底上沉积氟化类金刚石(FDLC)薄膜,用俄歇能谱、傅里叶红外光谱(FT IR)、紫外-可见光分光光度计(UV-V IS)对薄膜进行分析。分析结果表明:沉积薄膜是典型的类金刚石结构,薄膜中氟主要以C-F2键存在;随着沉积温度的提高,C-F2含量先增后减;随着F含量的增加,FDLC薄膜的sp3含量减少,sp2含量增加;光学带隙与sp2键含量密切相关,sp2含量越大,薄膜的光学带隙越小。 展开更多
关键词 氟化类金刚石薄膜 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 光学带隙 沉积温度
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大马士革工艺中等离子体损伤的天线扩散效应
15
作者 赵悦 杨盛玮 +2 位作者 韩坤 刘丰满 曹立强 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期51-57,72,共8页
等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一。针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性。根据... 等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一。针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性。根据不同介质层沉积对器件的影响,确定了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是大马士革工艺中易造成等离子体损伤的薄弱环节之一。实验结果表明,同种工艺满足相同的天线扩散效应,此时工艺参数的改变不会影响天线扩散系数。对带有不同天线结构的PMOS器件进行可靠性分析,得知与密齿状天线相比,疏齿状天线对器件的损伤更严重,确定了结构面积和间距是影响PECVD工艺可靠性水平的关键参数。 展开更多
关键词 大马士革工艺 天线扩散效应 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 等离子体损伤 经时击穿(TDDB)
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用于FET的PECVD SiN_x掺杂MoS_2的有效性与可控性
16
作者 战俊 粟雅娟 +3 位作者 罗军 贾昆鹏 段宁远 闫祥宇 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第4期229-234,共6页
通过化学气相沉积(CVD)工艺成功生长出少层MoS_2薄膜,用Raman光谱仪对材料进行表征,验证了三层MoS_2材料的存在。基于CVD生长出的三层MoS_2薄膜材料完成了背栅场效应晶体管(FET)的制作工艺研发。对MoS_2FET器件进行了电学特性表征,研制... 通过化学气相沉积(CVD)工艺成功生长出少层MoS_2薄膜,用Raman光谱仪对材料进行表征,验证了三层MoS_2材料的存在。基于CVD生长出的三层MoS_2薄膜材料完成了背栅场效应晶体管(FET)的制作工艺研发。对MoS_2FET器件进行了电学特性表征,研制的MoS_2FET器件的开关比可达到1.45×10~6,器件的电子载流子场效应迁移率约为1 cm^2·V^(-1)·s^(-1)。对等离子增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅(SiN_x)工艺掺杂MoS_2材料进行了研究,掺杂后器件的驱动电流提高了3倍多,验证了SiN_x掺杂MoS_2材料的有效性。通过控制PECVD SiN_x时间工艺参数对SiN_x薄膜厚度与掺杂浓度的关系进行了研究,随着SiN_x薄膜厚度增加器件的驱动电流逐渐增强,验证了SiN_x掺杂MoS_2材料的可控性。最后,对PECVD SiN_x工艺掺杂MoS_2材料的机理进行了讨论。 展开更多
关键词 二硫化钼场效应晶管(MoS2 FET) 掺杂 二维(2D)半导材料 过渡金属硫化物(TMD) 等离子体增强化学气相沉积(pecvd)
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CO2/SiH4气体流量比对氢化硅氧(SiOx:H)薄膜微结构和光学特性的影响
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作者 刘小娇 施光辉 +3 位作者 涂晔 刘洁青 王书荣 胡志华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期149-153,共5页
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法,以不同的二氧化碳与硅烷气体流量比(R℃C=[CO℃2]/[Si H℃4]=0、0.5、1、2)和不同的衬底温度(200和250℃)在高气压(220 Pa)和高功率密度(1 W/cm^2)条件下制备了一系列的氢化硅氧(Si... 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法,以不同的二氧化碳与硅烷气体流量比(R℃C=[CO℃2]/[Si H℃4]=0、0.5、1、2)和不同的衬底温度(200和250℃)在高气压(220 Pa)和高功率密度(1 W/cm^2)条件下制备了一系列的氢化硅氧(SiO℃x∶H)薄膜。运用Raman谱、XRD和紫外-可见光透射谱(UV-VIS)对材料的微结构和光学特性进行测试与分析。实验发现,薄膜沉积速率高达0.60 nm/s;同时,随着掺入气体CO℃2流量增加,薄膜由微晶+非晶两相结构逐渐转化为非晶相;在500~750 nm波长范围内,氧的掺入使薄膜折射率下降(从3.67到2.65)、光学带隙增大(从1.52~2.26 eV)。 展开更多
关键词 氢化非晶硅氧 光学带隙 二氧化碳 等离子体增强化学气相沉积(pecvd)
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垂直直立石墨烯纳米墙的制备及光热感应
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作者 赵梦晗 陈肖 +5 位作者 李久荣 朱伟 杨志军 丁瑞 王刚 陈达 《宁波大学学报(理工版)》 CAS 2019年第6期82-86,共5页
基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,通过调节实验参数,在绝缘衬底玻璃上成功制备出了三维垂直直立的石墨烯纳米墙(GNWs)材料.生长过程中发现石墨烯的质量和尺寸大小与相应的生长时间有关,利用拉曼(Raman)光谱、扫描电子显微镜(S... 基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,通过调节实验参数,在绝缘衬底玻璃上成功制备出了三维垂直直立的石墨烯纳米墙(GNWs)材料.生长过程中发现石墨烯的质量和尺寸大小与相应的生长时间有关,利用拉曼(Raman)光谱、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等仪器对石墨烯纳米墙作了表征.并且,利用石墨烯纳米墙超高的比表面积和优异的散热特性,发现垂直直立的石墨烯纳米片-玻璃杂化混合材料在光热感应上有着良好的响应,将有望促进垂直直立石墨烯纳米片-玻璃杂化的混合材料在透明的太阳热装置和绿色保暖建筑材料上的应用. 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 石墨烯纳米墙 比表面积 光热
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PECVD在TSV领域的应用
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作者 李晶 《电子工业专用设备》 2014年第7期6-8,12,共4页
PECVD设备及工艺技术已在半导体前道互连工艺及TSV领域展现了其广阔的应用前景,介绍了拓荆PECVD在TSV领域的应用,展现其良好的工艺表现。
关键词 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 硅通孔技术(TSV) 正硅酸乙酯(TEOS) 二氧化硅薄膜(SiO2)
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器件质量级微晶硅薄膜光稳定性研究 被引量:7
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作者 韩晓艳 王岩 +5 位作者 薛俊明 赵书文 任慧志 赵颖 李养贤 耿新华 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期24-27,共4页
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,通过改变SiH4浓度制备了一系列不同晶化率(Xc)的本征Si薄膜材料。通过测量其Raman谱和光、暗电导率(σph、σd)研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微观结构的关系,然后对... 利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,通过改变SiH4浓度制备了一系列不同晶化率(Xc)的本征Si薄膜材料。通过测量其Raman谱和光、暗电导率(σph、σd)研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微观结构的关系,然后对样品进行老化实验,测量其光照前后的吸收系数α及量子效率、迁移率和寿命的乘积nμτ。分析其光照前后光电性能的变化规律结果表明,相变域附近的微晶硅(μc-Si∶H)薄膜材料适合制备μc-Si:H太阳电池;结合退火实验的结果发现,μc-Si∶H材料中的非晶成分是导致微晶材料光电特性衰退的主要原因。 展开更多
关键词 射频等离子体增强化学气相沉积(RF-pecvd) 微晶硅(μc-Si:H)薄膜 稳定性
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