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等离子体抛光对表面粗糙度的影响 被引量：5
1
作者 刘卫国 田园 《西安工业大学学报》 CAS 2010年第2期108-111,116,共5页
为了得到超光滑表面且无表层损伤的光学元件,引入一种新型的超光滑表面加工技术——等离子体抛光.在新设计的等离子加工实验平台上进行了等离子体加工工艺实验,对氧气流量,放电功率大小,磁场大小几个参数对基片表面粗糙度的影响进行了... 为了得到超光滑表面且无表层损伤的光学元件,引入一种新型的超光滑表面加工技术——等离子体抛光.在新设计的等离子加工实验平台上进行了等离子体加工工艺实验,对氧气流量,放电功率大小,磁场大小几个参数对基片表面粗糙度的影响进行了实验研究,且优化了工艺参数.结果表明增加氧气流量,合理控制功率和磁场强度都会使等离子体抛光基片表面粗糙度减小.当氧气流量为50 sccm,功率为80 W,磁场强度为17 mT时,粗糙度达到最小值0.9 nm. 展开更多
关键词 超光滑表面 等离子体抛光 表面粗糙度 氧气流量 等离子体功率 磁场强度
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微晶硅薄膜制备中等离子体功率的调制作用 被引量：4
2
作者 杨恢东 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期558-561,共4页
对甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）法制备氢化微晶硅（μc-SiH）薄膜中等离子体功率的影响进行了研究。原位光发射谱（OES）监测表明,SiH4等离子体中特征发光峰ISiH、IHα、IHβ和IH/ISiH均随等离子体激发功率的增加而增大... 对甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）法制备氢化微晶硅（μc-SiH）薄膜中等离子体功率的影响进行了研究。原位光发射谱（OES）监测表明,SiH4等离子体中特征发光峰ISiH、IHα、IHβ和IH/ISiH均随等离子体激发功率的增加而增大,并且变化趋势因功率区间的不同而异。由厚度与Raman光谱测量可知,随着等离子体功率的增加,μc-SiH薄膜的平均晶粒尺寸单调减小,而沉积速率与结晶体积分数则呈现出先增后减的变化,等离子体功率对薄膜的沉积速率与结构特征具有“调制作用”。光暗电导率测量进一步得到,μc-SiH薄膜的电导随等离子体功率增大而减小,暗电导率的变化与之相反,材料的光敏特性在较高功率条件下激剧恶化。研究结果表明,当前的沉积条件下,等离子体功率的优化值界于35-40W间。 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD) 氢化微晶硅(μc-SiH)薄膜 光发射谱 等离子体功率调制作用
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高等离子体功率密度下MPCVD法制备多晶金刚石膜 被引量：1
3
作者 何中文 马志斌 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2022年第2期156-161,共6页
通过自制的MPCVD双基片台设备,在微波功率为1400 W保持不变及中高气压,等离子体功率密度为357.5~807.4 W/cm^(3),基片温度为850±30℃,CH_(4)体积分数为1.0%~1.5%,沉积速率为1~8μm/h条件下,在直径11.5 mm的硅基片上沉积不同质量的... 通过自制的MPCVD双基片台设备,在微波功率为1400 W保持不变及中高气压,等离子体功率密度为357.5~807.4 W/cm^(3),基片温度为850±30℃,CH_(4)体积分数为1.0%~1.5%,沉积速率为1~8μm/h条件下,在直径11.5 mm的硅基片上沉积不同质量的多晶金刚石膜,并通过光谱仪、光学显微镜、拉曼光谱仪对等离子体中的氢原子及含碳基团、多晶薄膜的形貌及质量进行表征。结果表明:随着等离子体功率密度上升,等离子体椭球中的氢原子基团和含C的活性基团强度增加,金刚石膜生长速率大幅度提高,金刚石膜纯度也大幅度提升。在气压为21 kPa,等离子体功率密度为807.4 W/cm^(3),基片温度为850±30℃,生长时间为150 h,CH_(4)体积分数为1.0%及氢气流量为200 mL/min的条件下,金刚石膜的生长速率达到5μm/h,金刚石膜厚达752.0μm,金刚石拉曼峰的半高宽为6.48 cm^(−1),且生长的金刚石膜质量良好。 展开更多
关键词 微波等离子体化学气相沉积 金刚石膜 等离子体功率密度 沉积速率 薄膜质量
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HL-2M等离子体辐射量热计系统的研制
4
作者 高金明 董云波 +3 位作者 邓玮 卢杰 刘仪 苗祥淦 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2021年第S02期516-521,共6页
HL-2M装置辐射量热计系统采用16通道光电二极管阵列作为探测器,11个探测器阵列,共有176个探测通道,被设计在同一个小截面内,交叉覆盖上下偏滤器、等离子体边缘和等离子体芯部区域。数值模拟结果显示,根据这种视线布局能够精确地估算出... HL-2M装置辐射量热计系统采用16通道光电二极管阵列作为探测器,11个探测器阵列,共有176个探测通道,被设计在同一个小截面内,交叉覆盖上下偏滤器、等离子体边缘和等离子体芯部区域。数值模拟结果显示,根据这种视线布局能够精确地估算出等离子体的总辐射功率;运用相关层析反演方法能够重建出等离子体辐射功率密度的分布特征。在HL-2M初始等离子体放电中,根据中平面的探测器阵列对等离子体辐射特征进行了初步的实验分析。 展开更多
关键词 HL-2M装置 辐射量热计系统 等离子体辐射功率 层析反演
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ICRH天线发射谱n_(‖)对快波少数离子加热效果的影响
5
作者 任玉虎 龚学余 +3 位作者 杜丹 李圣 陈双粮 任静 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期121-126,共6页
采用等离子体分层模型,利用WKB近似研究了离子回旋共振加热(ICRH)天线发射谱n‖对离子回旋波在托卡马克等离子体的表面功率反射系数、吸收衰减的影响,数值模拟了不同天线发射谱n‖条件下快波少数离子加热的效果。模拟结果表明,当其它实... 采用等离子体分层模型,利用WKB近似研究了离子回旋共振加热(ICRH)天线发射谱n‖对离子回旋波在托卡马克等离子体的表面功率反射系数、吸收衰减的影响,数值模拟了不同天线发射谱n‖条件下快波少数离子加热的效果。模拟结果表明,当其它实验参数一定时,ICRH天线发射合适的n‖能提高天线与等离子体的耦合效率,增强少数离子加热的效果。 展开更多
关键词 等离子体分层模型 离子回旋共振加热 吸收衰减系数 等离子体表面功率反射系数
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