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反应离子刻蚀工艺中的充电效应
被引量：
1
1
作者
胡恒升
张敏
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第11期81-83,67,共4页
本文阐述了反应离子刻蚀 (RIE)工艺过程中充电效应产生的机理 ,认为它是由等离子体分布的不均匀性引起的 ,推导了等离子体充电电流的表达式 .
关键词
反应
离子
刻蚀
等离子体
不
均匀
充电效应
下载PDF
职称材料
题名
反应离子刻蚀工艺中的充电效应
被引量：
1
1
作者
胡恒升
张敏
机构
中国科学院上海冶金研究所微电子学分部
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第11期81-83,67,共4页
文摘
本文阐述了反应离子刻蚀 (RIE)工艺过程中充电效应产生的机理 ,认为它是由等离子体分布的不均匀性引起的 ,推导了等离子体充电电流的表达式 .
关键词
反应
离子
刻蚀
等离子体
不
均匀
充电效应
Keywords
RIE
plasma nonuniformity
charging effect
分类号
TN405.983 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
反应离子刻蚀工艺中的充电效应
胡恒升
张敏
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
1
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职称材料
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