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题名结型场效应晶体管放大器的噪声
被引量：3
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作者
王玲
郑善贤
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机构
湖南大学电气与信息工程学院
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出处
《电路与系统学报》
CSCD
2003年第3期132-134,共3页
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基金
国家自然科学基金资助项目(69873015)
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文摘
本文通过分析结型场效应管(JFET)放大器内部不同的噪声源,首次导出了场效应管放大器在较宽频率范围内的等效输入噪声电压表达式,估算了当信号源阻抗为容性时JFET放大器的总噪声,为场效应管电路低噪声优化设计提供有力的工具。
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关键词
结型场效应管放大器
等效输入噪声电压
功率谱
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Keywords
JFET amplifier
equivalent input noise voltage
power spectrum
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分类号
TN702
[电子电信—电路与系统]
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题名结型场效应晶体管低频噪声测试方法研究
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作者
崔莹
包军林
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机构
中国电子技术标准化研究所
西安电子科技大学
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出处
《信息技术与标准化》
2009年第10期27-30,共4页
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基金
总装可靠性增长共性项目"低频噪声测试与可靠性保证技术研究"(07041RK0003)
西安应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200817)
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文摘
在深入研究JFET低频噪声特性及产生机理的基础上,提出了一种通过测试宽频带功率谱密度得到其规定频率处等效输入噪声电压功率谱密度和噪声系数的测试方法,并给出了低频噪声测试的偏置电路、测试设备和测试方法。结合3DJ4和3DJ6型JFET器件的测试结果表明,采用本文提出的方法可适用于JFET的低频噪声的测试。
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关键词
结型场效应晶体管
低频噪声
等效输入噪声电压
噪声系数
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Keywords
JFET
low frequency noise
equivalent input noise voltage
noise figure
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分类号
TN32
[电子电信—物理电子学]
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题名采用BiCMOS制造工艺的高速运算放大器
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出处
《电子设计技术 EDN CHINA》
2005年第9期132-133,共2页
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文摘
意法半导体推出一系列超低噪声和超低功耗的高速运算放大器产品，新器件的目标应用为逻辑分析仪、示波器、视频驱动器、影像系统和电池供电的仪表。这个产品系列采用高速的BiCMOS技术和电流反馈结构，采用量产的BiCMOS制造工艺。在新推出的三个产品中，其中一个专门用于低电流和高带宽应用，而另外两个瞄准超低噪声的应用。TSH310的最大静态电流仅为400μA，带宽达到130MHz，压摆率115V／μs。这款低功耗的器件采用微型SOT-23封装，特别适合尺寸紧凑的手持应用，同时还提供SO-8封装。TSH330和TSH350的压摆率和带宽都很高，TSH330的带宽达到1．1GHz，压摆率达到1800v／μs，噪声（等效输入噪声电压）仅为1．3nV／sqrtHz。TSH310的典型静态电流保证低于470gA，典型输入噪声电压7．5nv／sqrtHz，输出级是为驱动高速ADC专门优化的，线性（SFDR）在F=1MHz时为-87dBc，在F=10MHz时为-55dBc（2Vp-P，1000Ω负载）。TSH330的单位增益带宽频率1．1GHz，静态电流仅为16mA，典型输入噪声电压1．3nV／sqrtHz。在增益为2时，增益平坦性0．1dB，频率高达160MHz，输出级是专门为驱动100Ω负载的视频或仪表线路优化的，SFDR在F=10MHz时为-78dBc，在F=20MHz时为-73dBc（2Vp-p,1000Ω负载）。TSH350带宽410MHz，压摆率940V／μs，静态电流4．1mA，输入噪声电压低达1．5nV/sqrtHz，输出级也是专门为驱动100Ω负载优化的，
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关键词
BICMOS技术
高速运算放大器
制造工艺
等效输入噪声电压
视频驱动器
SOT-23封装
静态电流
超低噪声
产品系列
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分类号
TN929.1
[电子电信—通信与信息系统]
TN722.77
[电子电信—信息与通信工程]
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题名一种专用宽带低噪声前置放大器
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作者
张旭光
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机构
中国兵器工业第
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出处
《集成电路通讯》
2001年第1期1-5,共5页
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文摘
描述了一种专用双极单片宽带噪声前置放大器。该放大器的开环增益60dB－3dB带宽2．5MHz，等效输入噪声电压1．6V√Hz。
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关键词
单片前置放大器
宽带
低噪声
等效输入噪声电压
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分类号
TN722.71
[电子电信—电路与系统]
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