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高k栅介质材料的研究进展
被引量：
2
1
作者
蔡苇
符春林
陈刚
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期97-100,共4页
综述了超薄SiO2栅介质层引起的问题、MOS栅介质层材料的要求、有希望取代传统SiO2的高k栅介质材料的研究进展。提出了高k栅介质材料研究中需进一步解决的问题。
关键词
高K栅介质
SIO2栅介质
等效
氧化物
下载PDF
职称材料
题名
高k栅介质材料的研究进展
被引量：
2
1
作者
蔡苇
符春林
陈刚
机构
重庆科技学院冶金与材料工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期97-100,共4页
基金
重庆科技学院科技创新团队建设工程(CX06-9)
文摘
综述了超薄SiO2栅介质层引起的问题、MOS栅介质层材料的要求、有希望取代传统SiO2的高k栅介质材料的研究进展。提出了高k栅介质材料研究中需进一步解决的问题。
关键词
高K栅介质
SIO2栅介质
等效
氧化物
Keywords
high k gate dielectrics
SiO2 gate dielectrics
equivalent oxide
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高k栅介质材料的研究进展
蔡苇
符春林
陈刚
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
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职称材料
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