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热蒸发法制备第Ⅳ族半导体纳米线的研究进展
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作者 李瑞 张析 +1 位作者 张丹青 向钢 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期27-32,共6页
系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理。同时,对国内外采用热蒸发法制备第Ⅳ族半导体(Si、Ge、SiGe)纳米线的研究现状进行了详细介绍,... 系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理。同时,对国内外采用热蒸发法制备第Ⅳ族半导体(Si、Ge、SiGe)纳米线的研究现状进行了详细介绍,并展望了其应用前景。 展开更多
关键词 热蒸发法 第ⅳ族半导体 SI纳米线 Ge纳米线 SiGe纳米线
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