4-(1,2-二苯基)乙烯基-4′-(N,N-二苯基-4-乙烯基苯胺基)联苯及其二氟取代衍生物的电子结构与光谱性质 被引量：8

1

作者 崔明侠 董士红 +2 位作者 王文亮 尹世伟 吕剑 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第2期347-352,共6页

分别采用B3LYP/6-31G(d)和CIS/6-31G(d)方法对4-(1,2-二苯基)乙烯基-4′-(N,N-二苯基-4-乙烯基苯胺基)联苯(A)及其二氟取代衍生物(B-F)的基态(S0)和单重激发态(S1)的几何构型进行了全优化,计算获得了电离势IP、电子亲和势EA等相关数据,... 分别采用B3LYP/6-31G(d)和CIS/6-31G(d)方法对4-(1,2-二苯基)乙烯基-4′-(N,N-二苯基-4-乙烯基苯胺基)联苯(A)及其二氟取代衍生物(B-F)的基态(S0)和单重激发态(S1)的几何构型进行了全优化,计算获得了电离势IP、电子亲和势EA等相关数据,并采用含时密度泛函(TD-DFT)方法计算了上述化合物的电子吸收和荧光发射光谱.研究结果表明,化合物A及二氟取代衍生物B-F在469-474nm蓝光区域主发射峰的强度远远大于372-387nm范围的次发射峰,说明此类化合物具有纯度较高的发射光谱;主链苯环上的二氟取代(B,C和D)使最低空轨道(LUMO)能级明显降低,有利于提高电子注入;芳胺基苯环上的二氟取代(D和E)使分子最高占据轨道(HOMO)能级明显降低,电离势增加,能隙变大,有利于抑制空穴越过发光层向电子传输层输运,减少界面处激基复合物的形成,同时起到光谱蓝移的效果;既是主链苯环上也是芳胺基苯环上的二氟取代衍生物D更有利于平衡电子-空穴的注入,应该具有更加优良的发光性质. 展开更多

关键词 联苯乙烯基衍生物 密度泛函理论 空穴阻挡 光谱性质 电子结构

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不同掺杂顺序的磷光OLED器件发光性能的研究 被引量：3

2

作者 张微 张方辉 黄晋 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1763-1766,共4页

绿色GIr1和红色R-4B磷光染料,采用红绿红、绿红、红绿、绿红绿等顺序,与主体材料CBP共蒸,制备了四种红绿磷光器件,并结合TCTA和BCP对载流子和激子的阻挡作用,研究了发光层掺杂顺序对器件性能的影响。结果表明,四种器件光谱、光效、亮度... 绿色GIr1和红色R-4B磷光染料,采用红绿红、绿红、红绿、绿红绿等顺序,与主体材料CBP共蒸,制备了四种红绿磷光器件,并结合TCTA和BCP对载流子和激子的阻挡作用,研究了发光层掺杂顺序对器件性能的影响。结果表明,四种器件光谱、光效、亮度和发光颜色均有较大差异,且BCP和CBP界面附近是主要的激子复合区。在电压为5v,红绿红掺杂型器件,亮度、电流效率和色坐标分别为40.12cd.m-2,7.68cd.A-1和(0.630 1,0.365 4);而绿红绿掺杂型器件为104cd.m-2,19.75cd.A-1和(0.371 7,0.576 8)。分析认为:CBP与GIr1,R-4B,BCP,TCTA有较大的LUMO能级差异,发光层中电子的主要传输方式为掺杂分子上的俘获和分子间跳跃,不同掺杂顺序会形成不同能级势垒分布,发光层内电荷累积形成的空间电场分布不同。 展开更多

关键词 有机电致发光器件 磷光 电子阻挡 空穴阻挡

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基于DSA-ph的高效蓝色有机电致发光器件 被引量：2

3

作者 姜文龙 赵雷 +3 位作者 张刚 刘铁功 王艳玲 段羽 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期616-619,共4页

以NPBX掺杂3%的DSA-ph作为发光层,BCP或TAZ作为空穴阻挡层,Alq3或Bphen作为电子传输层制作了一组蓝色有机电致发光器件。通过调整不同的空穴阻挡层与电子传输层之间的组合,得到了一组高效的蓝光OLED。测试结果表明,当空穴阻挡层为TAZ,... 以NPBX掺杂3%的DSA-ph作为发光层,BCP或TAZ作为空穴阻挡层,Alq3或Bphen作为电子传输层制作了一组蓝色有机电致发光器件。通过调整不同的空穴阻挡层与电子传输层之间的组合,得到了一组高效的蓝光OLED。测试结果表明,当空穴阻挡层为TAZ,电子传输层为Bphen时,器件的性能最优。当驱动电压为5V时,器件最大电流效率为4.59cd/A。在12V时亮度最大,为6 087cd/m2。 展开更多

关键词 蓝色有机电致发光器件 电子传输 空穴阻挡 效率

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超薄氧化硅与氮化钛复合层对光生电子导出的作用

4

作者 兰自轩 王艺琳 +1 位作者 赵磊 马忠权 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第13期223-227,共5页

采用湿法化学氧化和直流磁控溅射制备了超薄氧化硅(a-SiO)和高电子浓度的氮化钛(TiN)复合薄膜,研究其对半导体-准绝缘体-半导体(SQIS)光伏器件中晶硅表面的钝化作用。实验结果表明:相对于铝背场电极,该光伏器件的光电转换效率相对提高了... 采用湿法化学氧化和直流磁控溅射制备了超薄氧化硅(a-SiO)和高电子浓度的氮化钛(TiN)复合薄膜,研究其对半导体-准绝缘体-半导体(SQIS)光伏器件中晶硅表面的钝化作用。实验结果表明:相对于铝背场电极,该光伏器件的光电转换效率相对提高了20.72%。结合少子寿命测量和AFORS-HET模拟软件分析,揭示了开路电压增加的原因。aSiO/TiN与n-Si有2.28 eV的价带偏移,可以减缓空穴在背部界面的复合,使复合速率降为原先的1/10,从而有效增加开路电压,达到提高异质结器件光电转换效率的目的,为SQIS光伏器件提供了一种工艺简单、制备成本低的背部钝化接触复合材料。 展开更多

关键词 太阳能电池 钝化层 复合速率 异质结 空穴阻挡 超薄氧化硅/氮化钛

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PTCDI-C_8作为阴极修饰层提高钙钛矿太阳能电池的性能（英文） 被引量：1

5

作者 李志成 妙亚 +5 位作者 刘少伟 王亚凌 曹焕奇 秦文静 杨利营 印寿根 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1291-1296,共6页

采用N,N'-二正辛烷基-3,4,9,10-苝四甲酰二亚胺(PTCDI-C8)对钙钛矿电池电子传输层(PCBM)进行界面修饰以减少PCBM与Al电极之间的漏电流,提高阴极的电子收集效率。通过调节PTCDI-C8薄膜的厚度优化界面接触和电子传输性能。实验结果表... 采用N,N'-二正辛烷基-3,4,9,10-苝四甲酰二亚胺(PTCDI-C8)对钙钛矿电池电子传输层(PCBM)进行界面修饰以减少PCBM与Al电极之间的漏电流,提高阴极的电子收集效率。通过调节PTCDI-C8薄膜的厚度优化界面接触和电子传输性能。实验结果表明:当PTCDI-C8薄膜的厚度为20 nm时得到的器件性能最优。光电转换效率(PCE)由5.26%提高到了8.65%,开路电压(Voc)为0.92 V,短路电流(Jsc)为15.68 m A/cm2,填充因子(FF)为60%。PTCDI-C8能够有效阻挡空穴向阴极传输,同时PTCDI-C8具有较高的电子迁移率以及较高的稳定性,在增加电子传输的同时,可减少环境对PCBM的侵蚀,提高了器件的稳定性。 展开更多

关键词 钙钛矿太阳能电池 界面修饰 空穴阻挡 电子传输

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ITIC与PVK共掺杂PCBM对钙钛矿太阳能电池性能的影响（英文）

6

作者 刘少伟 妙亚 +5 位作者 李志成 王亚凌 秦文静 曹焕奇 杨利营 印寿根 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期1151-1156,共6页

为了钝化钙钛矿表面的缺陷、改善PCBM溶液的粘度和成膜性以达到优化器件性能的目的,通过引入非富勒烯小分子(ITIC)和富电子聚合物(PVK)共掺杂修饰PCBM薄膜。结果表明:通过调节ITIC的含量可以优化界面形貌,提高器件的性能。当ITIC的质量... 为了钝化钙钛矿表面的缺陷、改善PCBM溶液的粘度和成膜性以达到优化器件性能的目的,通过引入非富勒烯小分子(ITIC)和富电子聚合物(PVK)共掺杂修饰PCBM薄膜。结果表明:通过调节ITIC的含量可以优化界面形貌,提高器件的性能。当ITIC的质量分数为6%时,获得了最优的器件性能。相比于纯PCBM的器件效率由5.26%提高到9.93%,器件没有回滞现象。ITIC和PVK的引入提高了PCBM的成膜性能。此外,还可以钝化钙钛矿表面的缺陷。这种协同作用有利于电荷传输和分离。综上所述,PVK和ITIC的加入抑制了大气中的水分和氧气,提高了器件的稳定性。 展开更多

关键词 钙钛矿太阳能电池 界面修饰 空穴阻挡 电子传输

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利用BCP空穴阻挡层改善白光OLED色度的研究 被引量：12

7

作者 吴晓明 华玉林 +6 位作者 王肇圻 印寿根 邓家春 刘嵩 朱飞剑 吴空物 牛霞 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1177-1180,共4页

分别将具有空穴传输特性的蓝光材料-βNPB和具有电子传输特性的蓝绿光材料Zn(BTZ)2作为2层发光层,将荧光染料rubrene掺入-βNPB中,在发光层间引入5 nm具有空穴阻挡作用的BCP层,制备了一种ITO/PVK:-βNPB:rubrene/BCP/Zn(BTZ)2/Mg:Ag/Ag... 分别将具有空穴传输特性的蓝光材料-βNPB和具有电子传输特性的蓝绿光材料Zn(BTZ)2作为2层发光层,将荧光染料rubrene掺入-βNPB中,在发光层间引入5 nm具有空穴阻挡作用的BCP层,制备了一种ITO/PVK:-βNPB:rubrene/BCP/Zn(BTZ)2/Mg:Ag/Ag结构白色有机电致发光器件(OLED)。该器件在5 V电压下起亮;18 V电压下亮度和色坐标分别为1 600 cd/m2和(0.31,0.33),最大外量子效率为0.21%。其色度比不含或含较厚BCP层(>5 nm)的器件均有了很大的改善,并从能带结构和空穴阻挡层厚度2方面探讨了色度改善的原因。 展开更多

关键词 有机电致发光 空穴阻挡层 白光

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BCP的厚度对OLED性能的影响 被引量：12

8

作者 王静 姜文龙 +3 位作者 魏风才 汪津 候晶莹 刘式墉 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1036-1039,共4页

设计了一种有机电致发光器件(OLED)结构:ITO/NPB(50 nm)/BCP(x)/Alq3(50 mm)/LiF(0.5mm)/Al(120 nm)。在实验中改变BCP的厚度,调整电子和空穴的注入平衡,控制发光层(EML)。研究发现:当BCP的厚度为0 nm时,器件为典型的双层OLED结构,光谱... 设计了一种有机电致发光器件(OLED)结构:ITO/NPB(50 nm)/BCP(x)/Alq3(50 mm)/LiF(0.5mm)/Al(120 nm)。在实验中改变BCP的厚度,调整电子和空穴的注入平衡,控制发光层(EML)。研究发现:当BCP的厚度为0 nm时,器件为典型的双层OLED结构,光谱为绿色的Alq3特征光谱;当厚度为8 nm或8 nm以上时,发光区完全基于NPB层,器件为蓝色发光;当厚度在1 nm到8 nm时,NPB层和Alq3层对发光都有贡献,EL谱线包括蓝光发射和绿光发射。BCP层起到了调节载流子复合区域和改变器件发光颜色的作用,因此控制BCP的厚度可以改善器件的性能。 展开更多

关键词 有机电致发光器件(OLED) 空穴阻挡层 器件的性能

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效率增强的新型蓝色有机发光器件 被引量：9

9

作者 张积梅 蒋雪茵 +5 位作者 张志林 朱文清 吴有智 许少鸿 姜标 付克洪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期34-38,共5页

使用一种新型空穴传输材料J0 5 0 3制备了不同结构、不同发光层厚度的两组蓝色发光器件 ,其结构为 :ITO/CuPc/J0 5 0 3 /JBEM∶perylene/Alq3 /LiF/Al和ITO/CuPc/J0 5 0 3 /JBEM∶perylene/TPBi/Alq3 /LiF/Al,这里CuPc(Copperphthalocya... 使用一种新型空穴传输材料J0 5 0 3制备了不同结构、不同发光层厚度的两组蓝色发光器件 ,其结构为 :ITO/CuPc/J0 5 0 3 /JBEM∶perylene/Alq3 /LiF/Al和ITO/CuPc/J0 5 0 3 /JBEM∶perylene/TPBi/Alq3 /LiF/Al,这里CuPc(Copperphthalocyanine)和LiF分别为空穴注入层 (HIL)和电子注入层 (EIL) ,J0 5 0 3为空穴传输层 (HTL) ,JBEM( 9,1 0 bis( 3 5 diaryl)phenylanthracene)为发光层 (EML) ,TPBi( 1 ,3 ,5 tri(phenyl 2 benzimidazole) benzene)为空穴阻挡层 (HBL) ,Alq3 (tris( 8 quinolinolato)aluminiumcomplex)为电子传输层 (ETL)。两种结构中前者为无阻挡层的普通型结构 ,后者在发光层和电子传输层中加入了空穴阻挡层 ,是新型阻挡层结构。研究了空穴阻挡层的引入在不同厚度发光层时对器件发光性能的影响 ,结果表明 ,新型阻挡层结构能明显提高器件的亮度和效率 ,但依赖于发光层厚度 ,利用能级图分析了其中的原因。 展开更多

关键词 蓝色发光器件 效率增强 阻挡层 空穴传输材料 空穴注入层 电子注入层 空穴阻挡层 电子传输层 电致发光器件

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有机发光材料DPVBi的空穴阻挡特性 被引量：7

10

作者 姜文龙 王静 +4 位作者 丁桂英 汪津 王立忠 韩强 刘式墉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期561-565,共5页

讨论了有机发光材料4，4’-bis（2，2＇-diphenyl vinyl）-1，1’-biphenyl（DPVBi），在结构为ITO／N，N＇-bis-（1-naphthyl）-N，N＇-diphenyl-1，1’-biphenyl-4，4’-diamine（NPB）／DPVBi／tfis-（8-hydroxyquinoline）aluminum... 讨论了有机发光材料4，4’-bis（2，2＇-diphenyl vinyl）-1，1’-biphenyl（DPVBi），在结构为ITO／N，N＇-bis-（1-naphthyl）-N，N＇-diphenyl-1，1’-biphenyl-4，4’-diamine（NPB）／DPVBi／tfis-（8-hydroxyquinoline）aluminum（Alq3）／LiF／Al的有机电致发光器件中所表现出来的空穴阻挡特性。通过实验可以看到，当NPB的厚度小于DPVBi的厚度时，DPVBi对空穴的阻挡作用和其自身的厚度有关，厚度越大阻挡能力越强。DPVBi的厚度一定（120nm）且不足以将空穴完全限制于DPVBi层内时，其对空穴的阻挡能力，随着NPB厚度（30—60nm）的增加而相对减弱。当NPB的厚度大于DPVBi的厚度时，进入DPVBi层的空穴，随着它们之间厚度差别的增大而增加，从而使器件的光谱半峰全宽加大。这几条规律对于制作基于DPVBi的有机蓝光和有机白光器件具有-定的指导意义。 展开更多

关键词 有机电致发光材料 空穴 空穴阻挡特性

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超薄层在白色有机电致发光器件中的应用 被引量：6

11

作者 邓召儒 杨盛谊 +1 位作者 孟令川 娄志东 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第4期700-704,共5页

以DCJTB为掺杂剂,以BCP为空穴阻挡层,研究了两种结构的有机电致发光器件ITO/NPB/BCP/Alq3∶DCJTB/Alq3/Al(结构A)和ITO/NPB/BCP/Alq3/Alq3∶DCJTB/Alq3/Al(结构B)的电致发光光谱.实验结果显示,在结构A器件的电致发光光谱中,绿光的相对... 以DCJTB为掺杂剂,以BCP为空穴阻挡层,研究了两种结构的有机电致发光器件ITO/NPB/BCP/Alq3∶DCJTB/Alq3/Al(结构A)和ITO/NPB/BCP/Alq3/Alq3∶DCJTB/Alq3/Al(结构B)的电致发光光谱.实验结果显示,在结构A器件的电致发光光谱中,绿光的相对发光强度较弱,增加Alq3层的厚度对绿光的相对发光强度的影响也很小;而在结构B器件的电致发光光谱中,BCP层与掺杂层(Alq3∶DCJTB)之间的Alq3薄层对绿光的相对发光强度影响显著,用很薄的Alq3层就可以得到强的绿光发射.进一步改变器件结构,利用有机超薄层就可以得到稳定的白光器件ITO/NPB(50nm)/BCP(3nm)/Alq3(3nm)/Alq3∶DCJTB(1%(w))(5nm)/Alq3(7nm)/Al.随着电压的增加(14-18V),该器件的色坐标基本保持在(0.33,0.37)处不动;在432mA·cm-2的电流密度下,该器件的发光亮度可达11521cd·m-2. 展开更多

关键词 白色有机电致发光器件 超薄层 空穴阻挡层

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2-对联苯-8-羟基喹啉锌的合成及其应用于新型白光OLED 被引量：6

12

作者 赵婷 丁洪流 +1 位作者 施国跃 金利通 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1209-1214,共6页

合成了一种全新的有机发光材料2-对联苯-8-羟基喹啉锌(Zn[2-(p-biPh)-8-Q-O]2),通过1HNMR,UV-Vis等对配合物的结构进行表征.利用该材料制备了新型白光有机电致发光器件(OLED),其结构为:ITO/NPB(N,N'-双(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1... 合成了一种全新的有机发光材料2-对联苯-8-羟基喹啉锌(Zn[2-(p-biPh)-8-Q-O]2),通过1HNMR,UV-Vis等对配合物的结构进行表征.利用该材料制备了新型白光有机电致发光器件(OLED),其结构为:ITO/NPB(N,N'-双(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-二苯基-4,4'-二胺)/BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)/Zn[2-(p-biPh)-8-Q-O]2/Al.通过调节空穴阻挡层BCP的厚度,实现了NPB(蓝光发射)和Zn[2-(p-biPh)-8-Q-O]2(黄光发射)作为器件双发光层的有效复合,并研究了其发光机理.当BCP层的厚度为2.0nm时,获得了稳定的白色发光;该器件在6V电压下启亮,20V电压时最大发光亮度达到130cd/m2,电流效率为0.224cd/A。 展开更多

关键词 白光有机电致发光器件 空穴阻挡层 2-对联苯-8-羟基喹啉锌 2 9-二甲基-4 7-二苯基-1 10-菲咯啉

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主客体掺杂和空穴阻挡对蓝色磷光OLED发光性能的影响研究 被引量：5

13

作者 杨少鹏 居秀琴 +3 位作者 赵方超 邱晓丽 王利顺 刘素玲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1422-1424,共3页

以铱配合物蓝色磷光材料Firpic作为掺杂剂,制备了基于CBP为主体的蓝色有机电致发光器件,其结构为ITO/CuPc/FIrpic:CBP(x%)/BCP/Alq3/LiF/Al,其中x%为发光层主客体掺杂浓度。分别研究了主客体掺杂浓度和空穴阻挡层BCP的厚度对器件发光性... 以铱配合物蓝色磷光材料Firpic作为掺杂剂,制备了基于CBP为主体的蓝色有机电致发光器件,其结构为ITO/CuPc/FIrpic:CBP(x%)/BCP/Alq3/LiF/Al,其中x%为发光层主客体掺杂浓度。分别研究了主客体掺杂浓度和空穴阻挡层BCP的厚度对器件发光性能的影响,当掺杂浓度为8%时,主客体间的能量传转移最充分,器件的启亮电压为5V,器件在20V时的亮度为7122.25cd/m2。器件电致发光(EL)光谱出现明显的红移现象,为Alq3部分参与了发光,影响了发光的色纯度,改变BCP的厚度,可以调节载流子复合区域和器件发光的色度坐标,达到改善器件发光性能的目的。 展开更多

关键词 有机电致发光器件 掺杂 空穴阻挡层 发光性能

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具有单调组分渐变空穴存储层和对称组分渐变空穴阻挡层的深紫外激光二极管性能优化 被引量：1

14

作者 张傲翔 张鹏飞 +3 位作者 贾李亚 Muhammad Nawaz Sharif 王芳 刘玉怀 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2023年第7期281-287,共7页

为了优化深紫外激光二极管(DUV-LD)的电光转换效率与输出功率,提出了单调组分渐变空穴存储层(MCGHRL)和对称组分渐变空穴阻挡层(SCG-HBL)结构。使用Crosslight软件对采用基础结构、矩形空穴存储层(R-HRL)、MCG-HRL以及MCG-HRL和SCG-HBL... 为了优化深紫外激光二极管(DUV-LD)的电光转换效率与输出功率,提出了单调组分渐变空穴存储层(MCGHRL)和对称组分渐变空穴阻挡层(SCG-HBL)结构。使用Crosslight软件对采用基础结构、矩形空穴存储层(R-HRL)、MCG-HRL以及MCG-HRL和SCG-HBL的DUV-LD进行了仿真研究。结果表明,采用MCG-HRL和SCG-HBL能够更加有效地提升DUV-LD量子阱(QWs)内的空穴浓度,减少n型区的空穴泄露,增加QWs内的辐射复合率,降低其阈值电压与电阻,提升其电光转换效率与输出功率。 展开更多

关键词 光学器件 激光技术 深紫外激光二极管 ALGAN 空穴存储层 空穴阻挡层

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空穴阻挡层对有机发光二极管寿命的影响(英文) 被引量：5

15

作者 袁永波 连加容 周翔 《电子器件》 CAS 2008年第1期25-28,共4页

为研究空穴阻挡层对有机发光二极管寿命的影响,制备了含有空穴阻挡层的典型双层结构有机发光二极管,其中八羟基喹啉铝(Alq3)为发光层和电子传输层,BCP为空穴阻挡层。器件的寿命随着发光层的厚度减小而降低,实验结果表明积累在发光层的... 为研究空穴阻挡层对有机发光二极管寿命的影响,制备了含有空穴阻挡层的典型双层结构有机发光二极管,其中八羟基喹啉铝(Alq3)为发光层和电子传输层,BCP为空穴阻挡层。器件的寿命随着发光层的厚度减小而降低,实验结果表明积累在发光层的空穴和激子可能是影响器件寿命的主要原因之一。 展开更多

关键词 空穴阻挡层 有机发光二极管 寿命

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利用W形空穴阻挡层降低AlGaN基深紫外激光二极管的空穴泄露

16

作者 贾李亚 张鹏飞 +3 位作者 张傲翔 王芳 刘俊杰 刘玉怀 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2023年第5期105-110,共6页

本文设计了V形和W形的空穴阻挡层(HBL)结构,改善空穴在AlGaN基深紫外激光二极管(DUV-LD)n型区的泄露问题.使用Crosslight软件,将参考型矩形、V形和W形三种空穴阻挡层结构进行仿真研究,分别比较了三种不同结构的DUV-LD能带、n区空穴浓度... 本文设计了V形和W形的空穴阻挡层(HBL)结构,改善空穴在AlGaN基深紫外激光二极管(DUV-LD)n型区的泄露问题.使用Crosslight软件,将参考型矩形、V形和W形三种空穴阻挡层结构进行仿真研究,分别比较了三种不同结构的DUV-LD能带、n区空穴浓度、辐射复合率、电光转换效率、有源区载流子浓度等特性,结果表明,具有W形空穴阻挡层的DUV-LD拥有更高的空穴有效势垒高度、更高的辐射复合率、更低的空穴泄露以及更好的斜率效率,可以有效降低深紫外激光二极管在n型区的空穴泄露,提升其光学和电学性能. 展开更多

关键词 ALGAN 深紫外激光二极管 空穴阻挡层 空穴泄露

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空穴阻挡层BCP对掺杂型有机发光二极管中磁电导效应的影响 被引量：4

17

作者 张巧明 陈平 +5 位作者 雷衍连 刘荣 张勇 宋群梁 黄承志 熊祖洪 《中国科学：物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2010年第12期1507-1513,共7页

通过在器件复合发光区附近插入空穴阻挡层BCP,制备了一种具有非平衡传输性能的荧光染料掺杂型发光二极管,其结构为ITO/CuPc/NPB/NPB:DCM(5wt%)/BCP/Alq3/LiF/Al,并在不同温度和电压下测量了器件的注入电流随外加磁场的变化(即磁电导效... 通过在器件复合发光区附近插入空穴阻挡层BCP,制备了一种具有非平衡传输性能的荧光染料掺杂型发光二极管,其结构为ITO/CuPc/NPB/NPB:DCM(5wt%)/BCP/Alq3/LiF/Al,并在不同温度和电压下测量了器件的注入电流随外加磁场的变化(即磁电导效应).实验结果表现为:当磁场处在0～40mT时,该非平衡发光器件的磁电导随磁场的增加而迅速增大(即表现为快变的正磁电导效应).这一实验现象与具有相对平衡传输性能的发光器件中所观测到的磁电导效应一致;当磁场大于40mT时,非平衡发光器件的磁电导随磁场的进一步增加表现为缓慢下降(即缓变的负磁电导效应成分),而平衡器件的磁电导则变为继续缓慢增加(即为缓变的正磁电导效应).本文对非平衡传输掺杂型发光器件的体系特征进行了讨论,并基于三重态激子-电荷(T-Q)反应受外加磁场的影响对上述实验现象进行了定性解释. 展开更多

关键词 有机磁电导 非平衡传输 空穴阻挡层 掺杂 三重态激子-电荷反应

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利用LiF空穴阻挡/激子限制层提高有机电致发光器件效率 被引量：4

18

作者 连加荣 周翔 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1469-1472,共4页

将厚度为0.5 nm的LiF薄层引入到双层有机电致发光器件（OLEDs）的Alq3发光/电子传输层中作为空穴阻挡/激子限制层,研究其位置对器件光电性能的影响。发现LiF薄层在不同位置均明显提高器件的发光效率,当LiF薄膜距离TPD/Alq3界面20~40 nm... 将厚度为0.5 nm的LiF薄层引入到双层有机电致发光器件（OLEDs）的Alq3发光/电子传输层中作为空穴阻挡/激子限制层,研究其位置对器件光电性能的影响。发现LiF薄层在不同位置均明显提高器件的发光效率,当LiF薄膜距离TPD/Alq3界面20~40 nm时,OLEDs的最大发光效率约为4.5 cd/A,是对比器件（没有LiF薄层）的1.8倍。OLEDs的电流密度随着减小LiF薄层与阴极的距离而增大。研究表明,这是因为LiF薄层可有效阻挡进入复合发光区域未复合的过剩空穴并导致其积累,空穴积累可提高电子传输区域中的电场,提高其中电子的传输和从阴极的注入,从而提高复合发光区域中的载流子平衡及其复合几率;LiF薄层可将激子限制在复合发光区域,减少激子被阴极淬灭的几率。 展开更多

关键词 光学器件 有机电致发光器件 空穴阻挡/激子限制层 LIF 发光效率

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DPVBi空穴阻挡层对OLED性能的优化 被引量：3

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作者 廖亚琴 甘至宏 刘星元 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1041-1045,共5页

研究了宽带隙有机小分子材料DPVBi作为空穴阻挡层对OLED器件效率和亮度的优化作用。DPVBi的引入有效地改善了以PEDOT∶PSS做空穴注入层的OLED器件的空穴过剩问题。实验结果表明:通过优化DPVBi的厚度,插入30 nm厚的DPVBi空穴阻拦层可以... 研究了宽带隙有机小分子材料DPVBi作为空穴阻挡层对OLED器件效率和亮度的优化作用。DPVBi的引入有效地改善了以PEDOT∶PSS做空穴注入层的OLED器件的空穴过剩问题。实验结果表明:通过优化DPVBi的厚度,插入30 nm厚的DPVBi空穴阻拦层可以有效地平衡OLED器件的电子和空穴浓度,降低器件的工作电压,优化器件的各项性能。该器件的效率和亮度分别是器件结构为ITO/PEDOT∶PSS/NPB/Alq3/LiF/Al参比器件的1.2倍和1.87倍。 展开更多

关键词 有机电致发光器件 空穴阻挡层 DPVBI

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利用DPVBi的空穴阻挡和发光特性而制作的白光器件 被引量：3

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作者 姜文龙 丁桂英 +4 位作者 王静 汪津 王立忠 韩强 刘式墉 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期701-703,706,共4页

介绍了结构为：ITO／m-MTDATA（40nm）／NPB（5nm）／DPVBi（10～12nm）／Rubrene（0．5nm）／DPVBi（20～18nm）／Alq（50nm）／LiF（0．5nm）／Al的白光器件。该器件采用了两个DPVBi层中间夹一个Rubrene的薄层，这种结构充分利用了DP... 介绍了结构为：ITO／m-MTDATA（40nm）／NPB（5nm）／DPVBi（10～12nm）／Rubrene（0．5nm）／DPVBi（20～18nm）／Alq（50nm）／LiF（0．5nm）／Al的白光器件。该器件采用了两个DPVBi层中间夹一个Rubrene的薄层，这种结构充分利用了DPVBi的空穴阻挡特性和发光特性，有力地平衡了来自于DPVBi的蓝光、Alq的绿光和Rubrene的黄光，从而使器件发射性能较好的白光。当第一层的DPVBi和第二层的DPVBi的厚度分别是11nm和19nm时，其他层的厚度保持不变，该器件在15V电压下，最大亮度为11290cd／m^2，对应的效率为1．71cd／A，色坐标为（0．25，0．27），属于白光发射；在6V时，其最大效率为3．18cd／A。 展开更多

关键词 有机白光器件 空穴阻挡特性 DPVBI

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