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应变层超晶格GaN-AlN的电子结构 被引量：1
1
作者 何国敏 王仁智 郑永梅 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期13-19,共7页
采用有效质量理论６带模型，计算了应变层超晶格ＧａＮＡｌＮ（００１）的电子结构，具体计算不同应变状态的价带子能带色散曲线、光吸收曲线。分析了应变状态以及重轻空穴和自旋轨道分裂带相互作用对子带结构的影响。
关键词 有效质量理论 空穴子带 应变层超晶格
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电场下GaAs/G_(a1-x)Al_xA_s量子阱中的激子
2
作者 唐道华 《零陵学院学报》 1989年第3期18-26,共9页
本文利用有限势垒（左、右垒高不等）模型,研究了电场对GaAs/Ga<sub>1-x</sub>A1xAs量阱中各子带所对应的激子之影响.采用级数展法开求得于带所对应的电子——空穴重叠函数.通过变分计算得到激子结合能.对阱宽为105（?）的G... 本文利用有限势垒（左、右垒高不等）模型,研究了电场对GaAs/Ga<sub>1-x</sub>A1xAs量阱中各子带所对应的激子之影响.采用级数展法开求得于带所对应的电子——空穴重叠函数.通过变分计算得到激子结合能.对阱宽为105（?）的GaAs/Ga<sub>0.66</sub>A1<sub>0.34</sub>As量子阱,电场由0至1.2×10<sup>5</sup>V/cm,我们计算了（电子和空穴的）子带对应的激子之结合能.基于上述计算结果,所得激子峰的能移与实验测量符合得较好,体现出有限势阱模型比无限势阱模型好得多. 展开更多
关键词 激子结合能 电场变化 空穴子带 激子峰 重空穴 量子阱 GAAS 重叠函数 有效质量 能子
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