微波促进陶瓷烧结的微观机制 被引量：5

1

作者 黄向东 李建保 +1 位作者 谢志鹏 黄勇 《应用基础与工程科学学报》 EI CSCD 1997年第2期187-192,共6页

微波能促进陶瓷的烧结，已是不争的事实，但对如何促进的微观机制的理解很不一致，本文从微波电场使带电缺陷，如空位间隙离子，产生定向移动的角度．分析了微波对扩散的促进作用，进而指出在微波烧结中，相对于常规烧结，微波只是促进... 微波能促进陶瓷的烧结，已是不争的事实，但对如何促进的微观机制的理解很不一致，本文从微波电场使带电缺陷，如空位间隙离子，产生定向移动的角度．分析了微波对扩散的促进作用，进而指出在微波烧结中，相对于常规烧结，微波只是促进了平行于电场方向的致密化，在宏观上对于电场方向不随时间转向的偏振电磁波，应能观察到平行电场方向的收缩率大于垂直于电场方向的收缩率． 展开更多

关键词 微波烧结 烧结机制 空位扩散

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反应堆压力容器材料压缩蠕变性能及变形机制研究 被引量：5

2

作者 陶贤超 高永建 +3 位作者 赵鹏 胡靖东 宫建国 轩福贞 《压力容器》 北大核心 2022年第7期1-6,14,共7页

严重事故工况下,反应堆压力容器底封头内侧区域承载高温、压缩应力的共同作用,其压缩蠕变行为及微观变形机制是需要考虑的重要内容。基于此,开展了不同温度(600,700℃)、应力条件下SA-508材料的压缩蠕变试验,结合微观表征手段,分析了材... 严重事故工况下,反应堆压力容器底封头内侧区域承载高温、压缩应力的共同作用,其压缩蠕变行为及微观变形机制是需要考虑的重要内容。基于此,开展了不同温度(600,700℃)、应力条件下SA-508材料的压缩蠕变试验,结合微观表征手段,分析了材料的压缩蠕变变形机制。结果表明,压缩蠕变曲线表现为两阶段特征,未出现蠕变加速阶段;600℃时,随着应力水平的不断降低,压缩蠕变变形机制由位错攀移转变为晶界滑动/空位扩散;700℃时,在所分析应力范围内,蠕变变形机制为位错攀移。 展开更多

关键词 反应堆压力容器 压缩蠕变 变形机制 位错攀移 空位扩散

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Fe_2O_3/TiO_2扩散偶的固相反应 被引量：2

3

作者 任中山 胡晓军 +2 位作者 侯新梅 薛向欣 周国治 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第16期79-82,101,共5页

采用扩散偶的方法研究了Fe2O3和TiO2在1373K空气气氛不同时间下的固相反应。采用场发射扫描电镜对扩散偶表面形貌进行观察和线扫描能谱分析。根据线扫描能谱分析所得的组元扩散浓度曲线,用Den Broeder改进的Boltzmann-Matano法计算出Fe2... 采用扩散偶的方法研究了Fe2O3和TiO2在1373K空气气氛不同时间下的固相反应。采用场发射扫描电镜对扩散偶表面形貌进行观察和线扫描能谱分析。根据线扫描能谱分析所得的组元扩散浓度曲线,用Den Broeder改进的Boltzmann-Matano法计算出Fe2O3/TiO2扩散偶的互扩散系数,结果发现互扩散系数与Fe3+浓度呈一定的线性关系,并随着Fe浓度的升高而增大,同时用空位扩散机理讨论了Fe2TiO5的形成。 展开更多

关键词 扩散偶 Boltzmann-Matano法 互扩散系数 空位扩散

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放矿随机模拟模型的再研究 被引量：3

4

作者 钟叔玉 赵庆和 《有色金属》 CSCD 1990年第4期1-6,共6页

本文在讨论空位扩散数学模型的参数计算及边壁处理的基础上,从随机理论着手,推导出了带边界条件的扩散模型,同时,用λ、ξ两个参数代替了原来的扩散系数D。经达孔量检验,模型的相似度较好。

关键词 随机理论 边界条件 周界 正态曲线 概率密度函数 放矿 松动体 空位扩散 计算机随机模拟

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微量元素Cd对6063合金淬火敏感性的影响

5

作者 陈俊 《铝加工》 CAS 1992年第4期41-44,共4页

Cd在三元系中的空位结合能较大,本文从空位扩散的角度出发,通过改变均匀化处理条件来探讨Cd对Al-Mg-Si系合金淬火敏感性的影响。

关键词 空位扩散 CD 均匀化处理 三元系 过饱和固溶体 扩散速率 淬火时效 固溶处理 时效过程 石相

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Li_5La_3Ta_2O_(12)/Al基高阻尼复合材料的制备和阻尼性能 被引量：1

6

作者 王先平 王伟国 +2 位作者 李春 程帜军 方前锋 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期701-703,共3页

采用粉末冶金法制备Li5La3Ta2O12/Al基陶瓷复合材料,并评价其阻尼性能、硬度和屈服强度.结果表明,复合材料的室温阻尼和力学性能较纯Al具有显著提高.当陶瓷颗粒质量分数为20%时,复合材料的室温内耗值可达0.010,比相同温度范围内Al的内... 采用粉末冶金法制备Li5La3Ta2O12/Al基陶瓷复合材料,并评价其阻尼性能、硬度和屈服强度.结果表明,复合材料的室温阻尼和力学性能较纯Al具有显著提高.当陶瓷颗粒质量分数为20%时,复合材料的室温内耗值可达0.010,比相同温度范围内Al的内耗高约1个量级,对应的屈服强度和硬度值分别比Al提高约43%和28%. 展开更多

关键词 铝复合材料 锂 空位扩散 阻尼性能

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Li6.75La3Zr1.75Nb0.25O12增强的Cu基微振动敏感型高阻尼复合材料的制备和阻尼性能研究 被引量：1

7

作者 王先平 马亮 +1 位作者 鲁卉 方前锋 《安徽师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2017年第4期307-311,共5页

基于Li_(6.75)La_3Zr_(1.75)Nb_(0.25)O_(12)(LLZNO)陶瓷材料的近室温高阻尼特性并与金属Cu复合,设计和制备了高阻尼LLZNO/Cu复合材料,并采用多功能内耗仪和显微硬度测量仪对复合材料的阻尼性能和力学性能进行了评价.研究结果表明:与相... 基于Li_(6.75)La_3Zr_(1.75)Nb_(0.25)O_(12)(LLZNO)陶瓷材料的近室温高阻尼特性并与金属Cu复合,设计和制备了高阻尼LLZNO/Cu复合材料,并采用多功能内耗仪和显微硬度测量仪对复合材料的阻尼性能和力学性能进行了评价.研究结果表明:与相同制备工艺的纯Cu基体材料相比,LLZNO/Cu复合材料的阻尼性能和硬度值均有显著提高,其中,陶瓷颗粒质量分数为30%的LLZNO/Cu复合材料的阻尼峰值高达0.050,比纯Cu阻尼值提高近25倍,硬度值也从纯Cu试样的59MPa提高到近91MPa.进一步的阻尼-振幅依赖性测试表明,即使应变振幅降低到10×10^(-6),LLZNO/Cu复合材料的阻尼性能也基本保持不变,表现出典型的微振动敏感特性,其机制起因于应力作用下LLZNO陶瓷内高浓度Li离子迁移扩散诱导的能量耗散. 展开更多

关键词 铜复合材料 高阻尼 微振动 空位扩散

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基于HSC-Chemistry的316L包埋渗铬过程热力学分析

8

作者 常晟 任国雄 +2 位作者 崔永颢 李艳梅 王昭东 《金属材料与冶金工程》 CAS 2023年第2期16-25,共10页

利用HSC-Chemistry热力学软件探究了包埋渗铬过程中活性铬原子的产生机理和工艺条件对活性含铬物质的影响,并解释了催渗剂的选择和铬原子的扩散方式。结果表明:纯铬在高温下具有很低的饱和蒸汽压,必须借助渗铬剂来增加渗铬过程中的铬势... 利用HSC-Chemistry热力学软件探究了包埋渗铬过程中活性铬原子的产生机理和工艺条件对活性含铬物质的影响,并解释了催渗剂的选择和铬原子的扩散方式。结果表明:纯铬在高温下具有很低的饱和蒸汽压,必须借助渗铬剂来增加渗铬过程中的铬势;对比三种卤化铵催渗剂(NH_(4)Cl、NH_(4)Br、NH_(4)I),NH_(4)I有着最高的活性含铬物质的生成量和生成速率;高温下的实质渗铬物质为CrI,且温度升高或者压强减小均可使得活性CrI的生成量增加,在1050~1150℃范围内,CrI的生成量差别不大;由活性CrI最终在基体表面形成活性Cr原子的反应为Fe的置换反应和H2的还原反应,自身的热分解反应在热力学上不可行;高温下,铬的扩散方式为沿晶界的空位扩散,随温度升高,空位浓度增加,1150℃下单位体积奥氏体γ-Fe中的空位数约为1000℃下的5倍。 展开更多

关键词 HSC-Chemistry软件 固体粉末包埋法 渗铬气氛 空位扩散

原文传递

热力耦合作用下脉冲电流烧结初期驱动力研究

9

作者 张龙 张晓敏 田祖安 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期263-266,共4页

采用L–S型广义热弹性理论,建立了氧化铝粉末非等径三颗粒模型,探究脉冲电流烧结过程的热力耦合传播规律和烧结驱动力。结果表明,三颗粒系统中小颗粒的温度明显高于大颗粒,在颈部形成高温度梯度,由温度梯度形成的热扩散通量与空位扩散... 采用L–S型广义热弹性理论,建立了氧化铝粉末非等径三颗粒模型,探究脉冲电流烧结过程的热力耦合传播规律和烧结驱动力。结果表明,三颗粒系统中小颗粒的温度明显高于大颗粒,在颈部形成高温度梯度,由温度梯度形成的热扩散通量与空位扩散通量共同为脉冲电流烧结初期颈部物质迁移提供驱动力;随着烧结过程的进行,热扩散对烧结驱动力的影响越大;三颗粒系统的计算值小于两颗粒系统,这是由于两颗粒系统产生的热耗散较小。 展开更多

关键词 热力耦合 脉冲电流烧结 烧结驱动力 空位扩散 热扩散

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RE-Fe-B(RE=Pr,Nd)铸锭热形变机理的探讨

10

作者 夏天舒 罗阳 《钢铁研究学报》 CAS CSCD 北大核心 1992年第S1期114-118,共5页

在变形温度为85C～1050℃,变形速率为1×10^(-3)～1s^(-1)的条件下,利用热变形模拟试验机,测量了感应熔炼的Pr_(36.5)Fe_(61.2)B_(0.δ)Cu_(1.5)(％)铸锭和Nd_(34.3)Fe_(64.7)B_(1.0)(％)铸锭的应力—应变曲线。分析表明,Pr-Fe-B-C... 在变形温度为85C～1050℃,变形速率为1×10^(-3)～1s^(-1)的条件下,利用热变形模拟试验机,测量了感应熔炼的Pr_(36.5)Fe_(61.2)B_(0.δ)Cu_(1.5)(％)铸锭和Nd_(34.3)Fe_(64.7)B_(1.0)(％)铸锭的应力—应变曲线。分析表明,Pr-Fe-B-Cu铸锭与Nd-Fe-B铸锭的热形变形为与机理是基本一致的,其热形变行为类似于纯金属,其热形变机理与空位扩散的作用有关。铸锭的塑性取决于变形温度(T)和变形速率(?),若T不够高或(?)不够低,则指数律破碎现象不可避免。铸锭在热形变后获得的织构,看来与晶粒中出现的沿基面的位错扩散滑移有关。 展开更多

关键词 RE-Fe-B RE=Pr Nd 形变机理 变形温度 变形速率 空位扩散 位错扩散 指数律 应变曲线 破碎现象

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强磁场作用下原子扩散行为的研究进展

11

作者 丁亮 牛涛 +3 位作者 张艳苓 覃继宁 范同祥 侯红亮 《航空制造技术》 2016年第11期64-68,共5页

在材料电磁过程研究中,有关强磁场在材料扩散连接领域的研究和实践已取得了巨大成果,强磁场下原子扩散行为的研究可以为其工业应用提供依据。综述了强磁场对间隙扩散和空位扩散影响的研究结果和机制,对存在的问题进行了归纳总结,并对强... 在材料电磁过程研究中,有关强磁场在材料扩散连接领域的研究和实践已取得了巨大成果,强磁场下原子扩散行为的研究可以为其工业应用提供依据。综述了强磁场对间隙扩散和空位扩散影响的研究结果和机制,对存在的问题进行了归纳总结,并对强磁场下扩散连接的研究趋势和发展前景进行了展望。 展开更多

关键词 强磁场 间隙扩散 空位扩散 影响机制

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C空位诱导扩散型高熵陶瓷硬质材料的合成

12

作者 刘兵赛 陈川 +1 位作者 吴一 莫培程 《超硬材料工程》 CAS 2020年第5期30-38,共9页

实验采用机械合金化法(MA)合成了具有面心立方结构,高浓度C空位缺陷的非化学计量比TiC0.5,以TiC0.5为主体,在空位扩散的辅助作用下,利用SPS烧结技术成功烧结制备了空位诱导扩散型高熵陶瓷。研究表明三种组元高熵陶瓷在1600℃烧结温度下... 实验采用机械合金化法(MA)合成了具有面心立方结构,高浓度C空位缺陷的非化学计量比TiC0.5,以TiC0.5为主体,在空位扩散的辅助作用下,利用SPS烧结技术成功烧结制备了空位诱导扩散型高熵陶瓷。研究表明三种组元高熵陶瓷在1600℃烧结温度下均能获得单一的高熵陶瓷物相,陶瓷体内单个晶粒中金属原子分布均匀,而使用TiC替代TiC0.5的对比实验在相同条件下均没有获得想要的单一物相,且烧结体内单个晶粒中存在金属原子偏聚的现象。高熵陶瓷原子密排面不平坦的特性对其断裂韧性改善较大,且不损失材料硬度,其中五组元高熵陶瓷在1800℃条件下,断裂韧性达到7.74 MPa·m^1/2,硬度为23.4 GPa。 展开更多

关键词 高熵陶瓷 TiC0.5 SPS 力学性能 空位扩散

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以TiC0.4为空位源制备高熵陶瓷硬质材料

13

作者 陈川 吴一 +2 位作者 李之凯 钟生林 刘洋 《超硬材料工程》 CAS 2019年第5期7-12,共6页

采用机械合金化法(MA)合成了具有面心立方结构,高浓度C空位缺陷的非化学计量比TiC0.4,以TiC0.4为主体,通过添加过渡金属碳(氮)化物,利用SPS烧结技术在高温条件下烧结制备了高熵陶瓷,应用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(SEM)、能谱分... 采用机械合金化法(MA)合成了具有面心立方结构,高浓度C空位缺陷的非化学计量比TiC0.4,以TiC0.4为主体,通过添加过渡金属碳(氮)化物,利用SPS烧结技术在高温条件下烧结制备了高熵陶瓷,应用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)等方法,研究了不同组元高熵陶瓷的物相、显微结构、元素分布、相对密度和力学性能。研究表明在1600℃高温烧结条件下,不同组元高熵陶瓷的相对密度变化不大,硬度、断裂韧性随新组元NbC、TaC的加入逐渐增大,其中五组元高熵陶瓷维氏硬度达到25.2 GPa,其断裂韧性达到8.2 MPa·m^1/2。 展开更多

关键词 高熵 非化学计量比TiC0.4 过渡金属化合物 SPS烧结 空位扩散

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崩落采场放矿研究的现状与展望 被引量：4

14

作者 赵庆和 《云南冶金》 2002年第3期9-14,17,共7页

文章对崩落采场放矿研究的重要性、与矿损贫化的经济关系、崩落矿岩的流动特性与分类、各种放矿研究方法与理论以及其展望 ,进行了扼要的述评 ,以飨读者。

关键词 崩落采场 崩落矿岩流动性 放矿随机模拟 九块流动模型 空位扩散模型

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铜粉和镍粉烧结体相界面及其性能的试验研究 被引量：5

15

作者 宋玉强 李世春 《理化检验（物理分册）》 CAS 2003年第6期284-287,共4页

利用固相烧结的方法将铜和镍混合粉制成块状烧结体 ,用光镜、电镜和X射线衍射仪研究了铜 镍烧结体的密度和硬度 ,以及烧结过程中铜粉和镍粉颗粒之间界面的迁移情况。研究发现 ,铜粉和镍粉烧结体的密度和硬度随烧结温度的升高和保温时... 利用固相烧结的方法将铜和镍混合粉制成块状烧结体 ,用光镜、电镜和X射线衍射仪研究了铜 镍烧结体的密度和硬度 ,以及烧结过程中铜粉和镍粉颗粒之间界面的迁移情况。研究发现 ,铜粉和镍粉烧结体的密度和硬度随烧结温度的升高和保温时间的延长 ,以及含镍量的增加呈现下降的趋势。铜粉和镍粉在反应过程中 ,只有镍粉颗粒进入铜粉颗粒、铜几乎不进入镍 ,界面单向迁移。 展开更多

关键词 铜粉 镍粉 固相烧结 硬度 烧结温度 界面单向迁移 单向空位扩散

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基于GaAs膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究（英文） 被引量：6

16

作者 田伟男 熊聪 +2 位作者 王鑫 刘素平 马骁宇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期1095-1099,共5页

在红光半导体激光器芯片上采用GaAs介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究。激光器芯片的有源区由一个9 nm厚的GaInP量子阱和两个350 nm厚的AlGaInP量子垒构成,利用MOCVD方法在芯片表面生长GaAs介质膜。在950℃的情况下进行不同... 在红光半导体激光器芯片上采用GaAs介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究。激光器芯片的有源区由一个9 nm厚的GaInP量子阱和两个350 nm厚的AlGaInP量子垒构成,利用MOCVD方法在芯片表面生长GaAs介质膜。在950℃的情况下进行不同时长不同GaAs层厚度的高温快速热退火诱发量子阱混杂。通过光致发光光谱分析样品混杂之后的波长蓝移情况和光谱半峰全宽变化规律。当退火时间达到120 s时,样品获得53.4 nm的最大波长蓝移;在1 min退火时间下获得18 nm的最小光谱半峰全宽。 展开更多

关键词 蓝移 无杂质空位扩散 量子阱混杂 扩散

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铁酸钙与TiO_(2)的扩散反应特征

17

作者 曹晓舟 邵胜琦 岳宏瑞 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期193-200,共8页

钒钛磁铁矿烧结过程中,TiO_(2)会与Fe_(2)O_(3)竞争CaO,抑制铁酸钙(C_(x)F)的形成,进而影响烧结矿品质.通过制备C_(x)F/TiO_(2)扩散偶的方法,直观地研究CaO-Fe_(2)O_(3)-TiO_(2)体系的扩散反应.运用电子探针和X射线衍射分析仪等手段对... 钒钛磁铁矿烧结过程中,TiO_(2)会与Fe_(2)O_(3)竞争CaO,抑制铁酸钙(C_(x)F)的形成,进而影响烧结矿品质.通过制备C_(x)F/TiO_(2)扩散偶的方法,直观地研究CaO-Fe_(2)O_(3)-TiO_(2)体系的扩散反应.运用电子探针和X射线衍射分析仪等手段对反应界面不同位置处的生成物进行分析和表征,研究了在扩散温度为900~1050℃,时间为1~4 h的条件下C_(x)F与TiO_(2)界面的反应特征;分析了温度及时间对生成相的种类、分布及形貌特征的影响.结果表明,从C_(x)F一侧到TiO_(2)一侧,主要的物相有C_(x)F,CF,Fe_(2)O_(3),CaTiO_(3),TiO_(2),其中钙钛矿(CaTiO_(3))是主要的生成产物.随温度从900℃升高至1050℃,CaTiO_(3)的厚度从8.1μm增大至90.2μm;随时间从1 h延长至4 h,CaTiO_(3)的厚度从47.4μm增大至121.4μm.同时,CaTiO_(3)的扩散厚度与扩散时间的平方根呈良好的线性关系,这表明CaTiO_(3)的生成受扩散过程控制.进一步地,使用空位扩散机理解释了CaTiO_(3)在CaO-Fe_(2)O_(3)-TiO_(2)体系的生成过程. 展开更多

关键词 铁酸钙 TiO_(2) 扩散偶 扩散厚度 空位扩散机理

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InGaAs(P)/InP量子阱混合处理对其光电特性的影响 被引量：3

18

作者 赵杰 王永晨 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期540-548,共9页

用离子注入诱导无序(IICD)和无杂质空位扩散诱导无序(IFVD)方法研究了InGaAs(P)/InP量子阱结构的混合造成材料光电特性变化、带隙蓝移的规律。研究结果发现,IICD造成的带隙蓝移与离子注入的种类、剂量、注入后退火温度、时间有关,也和... 用离子注入诱导无序(IICD)和无杂质空位扩散诱导无序(IFVD)方法研究了InGaAs(P)/InP量子阱结构的混合造成材料光电特性变化、带隙蓝移的规律。研究结果发现,IICD造成的带隙蓝移与离子注入的种类、剂量、注入后退火温度、时间有关,也和样品存在的应力有关。具有压应力的样品产生的蓝移量比具有张应力的大。IFVD方法造成的带隙蓝移量与介质膜的种类、后继退火温度、退火时间有关。同时还发现,蓝移量与半导体盖层成分和介质层成分的组合有关,InGaAs与SiO2组合产生的蓝移比InGaAs与Si3N4组合产生的蓝移大;与此相反,InP与Si3N4组合产生的蓝移比InP与SiO2组合的大。介质层的掺杂也影响蓝移量,掺P的SiOxPyNz可以产生高达224meV的蓝移,目前尚未见其他报道。二次离子质谱(SIMS)研究说明,量子阱层元素的互扩散可能是造成带隙蓝移的主要原因。 展开更多

关键词 InGaAs(P)/InP 量子阱 混合处理 光电特性 超晶格 离子注入 无杂质空位扩散 半导体光电器件 砷镓铟三元化合物 磷化铟

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基于循环退火技术的InGaAs/AlGaAs量子阱混杂 被引量：4

19

作者 林盛杰 李建军 +2 位作者 何林杰 邓军 韩军 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期1471-1475,共5页

为了解决由于激光器腔面处的光吸收引起的腔面光学灾变损伤(COD),采用无杂质空位扩散(IFVD)法,研究了由SiO2电介质层诱导的InGaAs/AlGaAs量子阱结构的带隙蓝移。使用等离子化学气相沉积(PECVD)在InGaAs/AlGaAs量子阱的表面生长SiO2电介... 为了解决由于激光器腔面处的光吸收引起的腔面光学灾变损伤(COD),采用无杂质空位扩散(IFVD)法,研究了由SiO2电介质层诱导的InGaAs/AlGaAs量子阱结构的带隙蓝移。使用等离子化学气相沉积(PECVD)在InGaAs/AlGaAs量子阱的表面生长SiO2电介质层;然后采用IFVD在N2环境下进行高温退火实验,从而实现量子阱混杂(QWI)。实验结果表明:蓝移量的大小随退火时间和电介质层厚度的变化而变化,样品覆盖的电介质层越厚,在相同的退火温度下承受的退火时间越长,得到的蓝移量也越大。然而,在高温退火中的时间相对较长时,退火对量子阱造成的损坏相当大。高温短时循环退火,能够在保护量子阱晶体质量的同时实现QWI。通过在850℃退火6min下循环退火5次,得到了46nm的PL蓝移,且PL峰值保持在原样品的80%以上。 展开更多

关键词 半导体激光器 无杂质空位扩散(IFVD) INGAAS ALGAAS 量子阱混杂(QWI) 腔面光学灾变损伤(COD) 无吸收窗口(NAW)

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采用IFVD-QWI技术制备电吸收调制DFB激光器 被引量：3

20

作者 张灿 朱洪亮 +4 位作者 梁松 韩良顺 黄永光 王宝军 王圩 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1451-1455,共5页

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在InGaAsP多量子阱/InP缓冲层/InGaAs层上沉积SiO2薄膜,通过N2气氛下快速热退火(RTA)方法实现无杂质空位扩散(IFVD)的量子阱混杂(QWI)。对不同退火温度下量子阱增益峰值波长的蓝移特性进行了实验... 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在InGaAsP多量子阱/InP缓冲层/InGaAs层上沉积SiO2薄膜,通过N2气氛下快速热退火(RTA)方法实现无杂质空位扩散(IFVD)的量子阱混杂(QWI)。对不同退火温度下量子阱增益峰值波长的蓝移特性进行了实验摸索,在780℃@80s的退火条件下,可以获得最大72.8nm的相对波长蓝移量,并且发现快速热退火RTA温度低于780℃以下时,LD区的波长蓝移量随温度变化基本能控制在10nm以内。通过选取合适退火条件实现了光荧光(PL)峰值波长约50nm的蓝移量,在选区制备出合适带隙波长材料的基础上,在LD区制作全息光栅并二次外延P型掺杂电接触层后,采用标准化浅脊波导电吸收调制(EAM)分布反馈激光器(EML)工艺制备了1.5μm波长的EML管芯,器件阈值为20mA,出光功率达到2mW@90mA,静态消光比在+6V反偏压下为9.5dB。 展开更多

关键词 无杂质空位扩散(IFVD 量子阱混杂(QWI) 电吸收调制(EAM)分布反馈(DBF)激光器 (EML)

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