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稀释剂含量对自蔓延高温合成Si_3N_4-SiC-TiN陶瓷的影响 被引量：9
1
作者 张学军 郑永挺 +1 位作者 韩杰才 周立娟 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期708-712,共5页
以TiSi2和SiC为原料,利用自蔓延高温合成(self-propagation high-temperature synthesis,SHS)方法合成直径为24mm的Si3N4-SiC-TiN陶瓷。通过理论计算和实验研究了不同孔隙率压坯中稀释剂SiC含量对反应物TiSi2转化率的影响。结果表明:Si... 以TiSi2和SiC为原料,利用自蔓延高温合成(self-propagation high-temperature synthesis,SHS)方法合成直径为24mm的Si3N4-SiC-TiN陶瓷。通过理论计算和实验研究了不同孔隙率压坯中稀释剂SiC含量对反应物TiSi2转化率的影响。结果表明:SiC在一定范围内增加有利于TiSi2的氮化, 且含40%(质量分数,下同)SiC和50％SiC的压坯在燃烧合成过程中发生了SiC的氮化反应。压坯孔隙率为50%(体积分数,下同)时,反应物TiSi2 氮化充分,最终产物为Si3N4-SiC-TiN。孔隙率为45%,含量为30％SiC和40％SiC压坯的合成产物中残留游离Si,50％SIC压坯的合成产物中未发现游离Si。在稀释剂含量为35％SiC,氮气压力为150 MPa条件下,所得的Si3N4-SiC-TiN复相陶瓷抗弯强度达430 MPa,断裂韧性为3．6 MPa·m1/2。 展开更多
关键词 稀释剂:氮化硅-碳化硅-氮化钛陶瓷 自蔓延高温合成 氮化
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