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频率源中低相噪VCO的研究与设计
被引量：
1
1
作者
李旺
唐俊
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期533-537,共5页
在频率源芯片窄带应用时,输出信号有较好的积分均方根抖动性能(RMS jitter),需要压控振荡器(VCO)有较出色的相噪特性。通过分析VCO的结构特点,确定电感是影响片上VCO相位噪声的关键性因素,通过HFSS软件建模的方式,将高品质因素(Q)值的...
在频率源芯片窄带应用时,输出信号有较好的积分均方根抖动性能(RMS jitter),需要压控振荡器(VCO)有较出色的相噪特性。通过分析VCO的结构特点,确定电感是影响片上VCO相位噪声的关键性因素,通过HFSS软件建模的方式,将高品质因素(Q)值的键合线电感引入到片上VCO设计中。采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了整块频率源芯片,并着重优化了VCO输出信号的相位噪声。经过实测,在开环状态下,VCO输出信号为2.2GHz,在1 MHz频偏处的相位噪声为-136dBc/Hz;在环路带宽80kHz,芯片输出信号相噪2.2GHz时,整颗芯片输出信号的带内本底噪声为-220dBc/Hz,杂散为-70dBc,积分均方根抖动为207.666fs。
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关键词
频率综合器
压控振荡器
键合线电感
相位噪声
本底噪声
积分
均
方根
抖动
下载PDF
职称材料
题名
频率源中低相噪VCO的研究与设计
被引量：
1
1
作者
李旺
唐俊
机构
成都国腾电子技术股份有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期533-537,共5页
文摘
在频率源芯片窄带应用时,输出信号有较好的积分均方根抖动性能(RMS jitter),需要压控振荡器(VCO)有较出色的相噪特性。通过分析VCO的结构特点,确定电感是影响片上VCO相位噪声的关键性因素,通过HFSS软件建模的方式,将高品质因素(Q)值的键合线电感引入到片上VCO设计中。采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了整块频率源芯片,并着重优化了VCO输出信号的相位噪声。经过实测,在开环状态下,VCO输出信号为2.2GHz,在1 MHz频偏处的相位噪声为-136dBc/Hz;在环路带宽80kHz,芯片输出信号相噪2.2GHz时,整颗芯片输出信号的带内本底噪声为-220dBc/Hz,杂散为-70dBc,积分均方根抖动为207.666fs。
关键词
频率综合器
压控振荡器
键合线电感
相位噪声
本底噪声
积分
均
方根
抖动
Keywords
frequency synthesizer
voltage controlled oscillator（VCO）
bonding wire inductor
phase noise
phase noise floor
RMS jitter
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN75
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
频率源中低相噪VCO的研究与设计
李旺
唐俊
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
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职称材料
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