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题名三代管MCP离子阻挡膜研究
被引量:11
- 1
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作者
李晓峰
张景文
高鸿楷
侯洵
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机构
中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室
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出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第12期1496-1499,共4页
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文摘
三代管中 Ga As光电阴极的表面 Cs- O层经不住正离子的轰击 ,但在 MCP的通道内 ,由于二次电子倍增 ,在 MCP通道的输出端 ,电子密度较大 ,所以 MCP通道内的残余气体分子就会被电离 ,正离子在电场的作用下向阴极方向运动 ,最终轰击阴极的表面 Cs- O层 ,使阴极的灵敏度衰退 .所以在 MCP的输入端制作一层 Al2 O3 离子阻挡膜对延长阴极的寿命是至关重要的作用 .本文介绍了 MCP离子阻挡膜的离子阻挡和电子透射原理 ,离子阻挡膜厚度的确定以及离子阻挡膜的制作工艺 .
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关键词
GaAs
MCP
光电阴极
离子阻挡膜
三代管
砷化镓
电子透射
AL2O3
三氧化二铝
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Keywords
GaAs
AlGaAs
MCP
Photocathode
Ionbarrier
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分类号
TN13
[电子电信—物理电子学]
O484.5
[理学—固体物理]
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题名无膜微通道板第三代像增强器的可行性及技术途径探究
被引量:5
- 2
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作者
潘京生
吕景文
李燕红
周建勋
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机构
长春理工大学材料科学和工程学院
北方夜视技术股份有限公司南京分公司
北京理工大学光电学院
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出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期273-279,共7页
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文摘
砷化镓光阴极的量子效率大大优于超二代多碱光阴极,但由于微通道板(MCP)输入面上的离子阻挡膜的存在,第三代像增强器,即使是薄膜第三代像增强器,相比于同时期技术水平的超二代像增强器,在标准测试条件下的信噪比和分辨力等参数上并无明显优势。通过引入MCP噪声因子的概念,对像增强器光阴极量子效率的有效利用率进行了评价。强调了实现无膜MCP第三代像增强器的必要性,并指明了目前的无膜MCP第三代像增强器开发中所存在的问题,对改善MCP耐电子清刷除气能力及进一步地减少MCP中的有害物种含量的有效方法进行了研究,进而明确了实现高可靠性高性能无膜MCP第三代像增强器的可行性和有效技术途径。
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关键词
探测器
像增强器
无膜MCP第三代像增强器
微通道板(MCP)
离子阻挡膜
砷化镓光阴极
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Keywords
detectors
image intensifier
unfilmed MCP generation third image intensifier
microchannel plate(MCP)
ion barrier film (IBF)
gallium arsenic photocathode
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分类号
TN223
[电子电信—物理电子学]
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题名微通道板离子阻挡膜
被引量:4
- 3
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作者
闫金良
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机构
北京理工大学
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出处
《应用光学》
CAS
CSCD
1996年第1期12-14,共3页
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文摘
微通道板离子阻挡膜在第三代微光像增强器中起着重要作用,本文在分析离子阻挡膜形成原理的基础上,给出了实验方案。最后,测量和分析了带膜微通过板的性能。
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关键词
微通道板
离子阻挡膜
微光技术
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Keywords
microchannel plate (MCP)
ion barrier film
Al_2O_3
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分类号
TN223
[电子电信—物理电子学]
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题名微通道板离子阻挡膜对三代像管分辨率的影响
被引量:3
- 4
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作者
闫金良
向世明
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机构
北京理工大学
西安应用光学研究所
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出处
《应用光学》
CAS
CSCD
1997年第6期24-26,43,共4页
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文摘
分析传统的微通道板离子阻挡膜对三代像管分辨率的影响,指出离子阻挡膜衰减碰撞通道壁的一次电子数及其工艺引起的通道内壁碳污染是导致带膜三代像管分辨率下降的主要原因,提出降低离子阻挡膜对三代像管分辨率影响的主要技术途径。
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关键词
离子阻挡膜
三代像管
分辨率
微通道板
MCP
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Keywords
ion barrier film, generation Ⅲ image tube, resolution
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分类号
TN223
[电子电信—物理电子学]
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题名微光像增强管离子阻挡膜质量测试技术研究
被引量:1
- 5
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作者
贺英萍
张太民
石峰
朱宇峰
拜晓锋
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机构
微光夜视技术国防科技重点实验室
西安应用光学研究所
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出处
《应用光学》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期482-485,共4页
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文摘
鉴于通常制作的离子阻挡膜存在通孔,在阴极低电压下,经MCP电子倍增在荧光屏上显示为亮孔,为测试出规则与不规则亮孔的大小和数量,提出了一种像管的离子阻挡膜质量测试方法。该方法是在规定电压和光阴极照度的条件下,使像管光阴极接收约2lx的光照射,给像管各极施加电压使像管荧光屏上离子阻挡膜亮孔清晰可见,用10倍显微镜或相机拍照,观察荧光屏所成的离子阻挡膜通孔图像。试验结果表明:在相同的测试条件下,离子阻挡膜的制作工艺不同,离子阻挡膜质量亦不同。
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关键词
微光像管
微通道板
离子阻挡膜
膜质量测试
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Keywords
image intensifier tube
MCP
ion barrier film
testing of ion barrier film quality
-
分类号
TN15-34
[电子电信—物理电子学]
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题名一种新型MCP离子阻挡膜制备工艺研究
- 6
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作者
汪述猛
唐光华
杨炳辰
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机构
中国电子科技集团公司第五十五研究所
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出处
《光电子技术》
CAS
2021年第2期132-134,142,共4页
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文摘
三代微光像增强管需在所使用的微通道板(microchannel plate,MCP)输入面制备离子阻挡膜,以阻挡正离子轰击NEA光电阴极,维持和提高器件使用寿命。为此,研究开发了一种新的MCP离子阻挡膜制备工艺,先采用专用胶体填充MCP微孔,再用电子束蒸发Al_(2)O_(3)膜,蒸发速率为0.05 nm/s,蒸镀后用异丙醇去除微孔中的胶体。实验结果表明,该工艺制备的MCP离子阻挡膜具有膜基结合强度高、通孔面积小、成像质量一致性高等优点,满足三代像增强管对MCP离子阻挡膜的要求。
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关键词
离子阻挡膜
电子束蒸发
微通道板
Al_(2)O_(3)膜
胶体填孔
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Keywords
ion barrier
electron beam evaporation
microchannel plate
Alumina film
filling pore with colloid
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分类号
TN223
[电子电信—物理电子学]
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题名光放大、控制及器件
- 7
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出处
《中国光学》
EI
CAS
1997年第4期73-74,共2页
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文摘
TN144 97042620微通道板离子阻挡膜=Microchannel plate ionbarrier film[刊,中]/闫金良(北京理工大学.北京(100081))//应用光学.—1996,17(1).—12-14在分析离子阻挡膜形成原理的基础上,给出了实验方案。测量和分析了带膜微通道板的性能。图2表1参2(严兰)
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关键词
应用光学
带膜微通道板
离子阻挡膜
光电倍增管
理工大学
西安
形成原理
等效背景
实验方案
研究所
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分类号
TN144
[电子电信—物理电子学]
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题名带膜微通道板的探测效率
- 8
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作者
闫金良
孟素英
姜德龙
李野
卢耀华
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机构
西安应用光学研究所
长春光学精密机械学院
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出处
《长春光学精密机械学院学报》
1996年第4期17-20,共4页
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文摘
本文介绍了微通道板离子阻挡膜在成像器件中的作用,测量了带膜微通道板的探测效率。实验发现,带膜微通道板的探测效率不是膜厚的单调函数。最后,从理论上对带膜微通道板的探测效率进行了半定量分析。
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关键词
微通道板
离子阻挡膜
探测效率
光电器件
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Keywords
Microchannel plate
Ion barrier film
Detection efficiency
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分类号
TN203
[电子电信—物理电子学]
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题名其他
- 9
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出处
《中国光学》
EI
CAS
2002年第6期58-59,共2页
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文摘
O462.3 2002064379三代管 MCP 离子阻挡膜研究=Ion barrier of MCP inthe third generation image intensifier[刊,中]/李晓峰,张景文,高鸿楷,侯洵(中科院西安光机所光电子学研究室.陕西,西安(710068))∥光子学报.—2001,30(12).—1496-1499介绍了 MCP 离子阻挡膜的离子阻挡和电子透射原理,离子阻挡膜厚度的确定以及离子阻挡膜的制作工艺。
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关键词
离子阻挡膜
滤波器
响应保持功能
光电子学
制作工艺
透射原理
光电管
西安
中科院
硅光电负阻器件
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分类号
TN144
[电子电信—物理电子学]
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题名一种新型的高性能微通道板离子阻挡膜
- 10
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作者
闫金良
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机构
烟台师范学院物理系
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出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期1023-1025,共3页
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基金
国防科技重点项目资助课题 (No .2 .2 .3 .1 )
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文摘
微通道板 (MCP)离子阻挡膜在Ⅲ代微光像管中起到延长寿命的关键作用 .分析了目前离子阻挡膜制备方法的优缺点 ,提出一种在MCP输入面制备离子阻挡膜的新型工艺 ,此工艺不造成MCP通道壁内表面碳污染 .在MCP输入面制备了 4nm厚Al2 O3 离子阻挡膜 ,测量了MCP离子阻挡膜的离子阻挡特性和电子透过特性 .实验表明 ,4nm厚Al2 O3 离子阻挡膜能有效地阻止反馈离子 ,透过电子 .
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关键词
微通道板
离子阻挡膜
像管
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Keywords
microchannel plate
ion barrier film
image tube
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分类号
TN105.1
[电子电信—物理电子学]
TN223
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题名微通道板及其发展趋势
被引量:4
- 11
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作者
刘术林
邓广绪
张继胜
王长骏
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机构
西安应用光学研究所
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出处
《应用光学》
CAS
CSCD
2003年第B08期61-64,共4页
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文摘
回顾微通道板发展历史及各阶段的主要技术特征。综述自90年代以来国内外微通道板的研发和生产情况.
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关键词
微通道板
微光像增强器
噪声
分辨率
离子阻挡层膜
发展趋势
技术特征
电真空器件
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分类号
TN144
[电子电信—物理电子学]
TN223
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