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题名SiC MOSFET单粒子漏电退化的影响因素
被引量：1
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作者
秦林生
汪波
马林东
万俊珺
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机构
上海精密计量测试研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第11期972-976,984,共6页
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基金
上海市自然科学基金资助项目(20ZR1435700)。
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文摘
高压功率器件是未来航天器进一步发展的关键,对SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)等高压大功率器件的抗辐射研究亟待突破。在不同偏置条件下对器件的单粒子效应(SEE)进行实验,结果表明,SiC MOSFET单粒子漏电退化效应与漏源电压、离子注量以及反向栅源电压呈正相关。为进一步研究SiC MOSFET单粒子效应机理,结合实验数据进行TCAD仿真,发现器件发生单粒子效应时存在两种失效模式,第一种失效模式与Si基MOSFET类似,而第二种失效模式与SiC器件的特有结构密切相关,容易形成更高的分布电压,导致栅氧化层烧毁失效。该结果为抗辐照加固器件的研究提供了理论支撑。
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关键词
SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)
单粒子效应(SEE)
漏电退化
漏源电压
离子注量
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Keywords
SiC metal-oxide-semiconductor field effect transistor(MOSFET)
single event effect(SEE)
leakage degradation
drain-source voltage
ion injection quantity
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
TN306
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