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离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模 被引量：10
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作者 王勇刚 马骁宇 +6 位作者 付圣贵 范万德 李强 袁树忠 董孝义 宋晏蓉 张志刚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期1810-1814,共5页
用离子注入的半绝缘GaAs晶片作为吸收体和输出镜 ,在双包层掺镱光纤激光器上实现了调Q锁模 .离子注入的能量为 4 0 0keV的As+ 离子 ,注入剂量为 1 0 1 6 cm2 ,然后在 6 0 0℃下退火 2 0min .当抽运功率为 5W时 ,脉冲平均输出功率为 2 0... 用离子注入的半绝缘GaAs晶片作为吸收体和输出镜 ,在双包层掺镱光纤激光器上实现了调Q锁模 .离子注入的能量为 4 0 0keV的As+ 离子 ,注入剂量为 1 0 1 6 cm2 ,然后在 6 0 0℃下退火 2 0min .当抽运功率为 5W时 ,脉冲平均输出功率为 2 0 0mW ,调Q包络重复频率为 5 0kHz ,半高宽为 4 μs,锁模脉冲重复频率为 1 5MHz . 展开更多
关键词 离子注入砷化镓 掺镱光纤激光器 被动调Q锁模 锁模脉冲
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