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应用于2G/3G移动通讯的多频多模高谐波抑制功率放大器 被引量：1
1
作者 郑瑞青 章国豪 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期531-536,共6页
介绍一个应用于第二代(2G)与第三代(3G)移动通讯的多频多模磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大模块,模块主要由单片微波集成电路(MMIC)、射频基板与贴片电容(SMD)组成。该模块包含两个功率放大器,工作在824~915... 介绍一个应用于第二代(2G)与第三代(3G)移动通讯的多频多模磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大模块,模块主要由单片微波集成电路(MMIC)、射频基板与贴片电容(SMD)组成。该模块包含两个功率放大器,工作在824~915 MHz的低频段时,功率放大模块支持2G的GSM850与GSM900频段;工作在1 710~2 025 MHz的高频段时,功率放大器模块支持2G的DCS1800、PCS1900频段与3G的TD-SCDMA频段。文中引入一种由二极管、电容和电阻组成的负反馈增益控制电路,用于改变放大器的功率增益大小与增益平坦度。利用射频基板与芯片封装技术,提出了一种易于实现且可调性很大的谐波抑制结构。 展开更多
关键词 功率放大器 多模多频 谐波抑制 磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管 单片微波集成电路
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5.8～6.2GHz高效率InGaP/GaAs HBT J类功率放大器 被引量：1
2
作者 郑瑞青 郑耀华 章国豪 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期340-345,共6页
介绍了一个工作在5.8~6.2GHz的高效率磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管（InGaP/GaAs HBT）功率放大器。设计了具有良好带宽性能的J类输出匹配网络,并通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路（MMIC）技术和射频基板封装技术得以实现。在5.... 介绍了一个工作在5.8~6.2GHz的高效率磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管（InGaP/GaAs HBT）功率放大器。设计了具有良好带宽性能的J类输出匹配网络,并通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路（MMIC）技术和射频基板封装技术得以实现。在5.8~6.2GHz的频率范围内,用连续波（CW）信号测试放大器得到的1dB压缩点输出功率都大于31dBm,饱和输出功率都大于32dBm、最大的附加功率效率（PAE）都大于56%。 展开更多
关键词 J类功率放大器 效率 磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管 单片微波集成电路
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