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CVT法生长GaP多晶
被引量：
1
1
作者
王向阳
何莉
+2 位作者
田鸿昌
东艳萍
蔡以超
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期860-862,共3页
阐述了CVT(化学气相输运)法生长GaP的基本反应和输运速度,采用CVT法生长出了GaP多晶。设计了石英管的结构以制造出一个局部的低温区域,防止了CaP在管壁的生长。生长出的GaP多晶相对密度为98％,红外透过率达到30％,努普硬度为611kg／mm2...
阐述了CVT(化学气相输运)法生长GaP的基本反应和输运速度,采用CVT法生长出了GaP多晶。设计了石英管的结构以制造出一个局部的低温区域,防止了CaP在管壁的生长。生长出的GaP多晶相对密度为98％,红外透过率达到30％,努普硬度为611kg／mm2。散射颗粒测试表明主要的光散射颗粒为多晶中存在的孔隙。
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关键词
化学气相输运法
磷化镓
多晶
晶体生长
红外窗口材料
半导体材料
下载PDF
职称材料
大投料量磷化镓多晶的工业生产
2
作者
王泽树
鹿亮
+1 位作者
许村
孙明海
《山东电子》
1998年第1期37-38,共2页
本文简要介绍了英国MR公司生产的PGR3000型磷化镓多晶合成炉的工作原理,简述了我们利用该设备研制生产大投料量磷化镓多晶的工艺,报道了产品目前所达到的技术水平,并指出了进行工业生产应解决的关键问题。
关键词
磷化镓
多晶
三温区加热炉
时频感应加热
制备
下载PDF
职称材料
题名
CVT法生长GaP多晶
被引量：
1
1
作者
王向阳
何莉
田鸿昌
东艳萍
蔡以超
机构
人工晶体研究院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期860-862,共3页
文摘
阐述了CVT(化学气相输运)法生长GaP的基本反应和输运速度,采用CVT法生长出了GaP多晶。设计了石英管的结构以制造出一个局部的低温区域,防止了CaP在管壁的生长。生长出的GaP多晶相对密度为98％,红外透过率达到30％,努普硬度为611kg／mm2。散射颗粒测试表明主要的光散射颗粒为多晶中存在的孔隙。
关键词
化学气相输运法
磷化镓
多晶
晶体生长
红外窗口材料
半导体材料
Keywords
CVT( chemical vapor transport)
polycrystalline GaP
infrared windows materials
分类号
O614.371 [理学—无机化学]
O782 [理学—化学]
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职称材料
题名
大投料量磷化镓多晶的工业生产
2
作者
王泽树
鹿亮
许村
孙明海
机构
淄博金晶材料厂
出处
《山东电子》
1998年第1期37-38,共2页
文摘
本文简要介绍了英国MR公司生产的PGR3000型磷化镓多晶合成炉的工作原理,简述了我们利用该设备研制生产大投料量磷化镓多晶的工艺,报道了产品目前所达到的技术水平,并指出了进行工业生产应解决的关键问题。
关键词
磷化镓
多晶
三温区加热炉
时频感应加热
制备
Keywords
GaP Polycrystal
Three-zone furnace
RF induction heating
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CVT法生长GaP多晶
王向阳
何莉
田鸿昌
东艳萍
蔡以超
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
下载PDF
职称材料
2
大投料量磷化镓多晶的工业生产
王泽树
鹿亮
许村
孙明海
《山东电子》
1998
0
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职称材料
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