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一种改进的InP HBT小信号模型的直接提取法
1
作者 戚军军 吕红亮 +2 位作者 张玉明 张义门 张金灿 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期295-299,共5页
提出了一种改进的直接提取方法来提取InP HBT小信号等效电路中的模型参数,并将其成功地应用InP异质结双极晶体管(HBT)小信号等效电路。在所采用的模型中考虑了分布式基极-集电极电容效应。与其他直接参数提取方法相比,该方法从外围寄生... 提出了一种改进的直接提取方法来提取InP HBT小信号等效电路中的模型参数,并将其成功地应用InP异质结双极晶体管(HBT)小信号等效电路。在所采用的模型中考虑了分布式基极-集电极电容效应。与其他直接参数提取方法相比,该方法从外围寄生元件到内部本征元件依次进行参数提取,提取过程较为清晰。除寄生参数外,其余所有的参数计算均未经过任何简化近似。该方法依赖于S参数的测量,所有等效电路参数直接从S参数数据中提取,而无需任何基于初始值的近似。在0.1~40 GHz的频率范围内,直接提取法在InP HBT上得到了成功的验证,并在整个频率范围内得到了较好的测量结果与计算结果的一致性。 展开更多
关键词 直接提取法 磷化铟异质结双极型晶体管 小信号模型 参数提取
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基于虚拟仪器的HBT器件自动测试系统
2
作者 欧阳思华 武锦 +1 位作者 李艳奎 刘新宇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期8-11,共4页
由材料特性和结构特点所决定,异质结双极型晶体管(HBT)具有高的开关速度、截止频率、电流增益和输出功率。但是,在实际测量的过程中,涉及多台仪器间的协同工作,仪器的手动操作、测试数据的采集、保存和共享成为横亘在评估HBT器件性能间... 由材料特性和结构特点所决定,异质结双极型晶体管(HBT)具有高的开关速度、截止频率、电流增益和输出功率。但是,在实际测量的过程中,涉及多台仪器间的协同工作,仪器的手动操作、测试数据的采集、保存和共享成为横亘在评估HBT器件性能间的一道屏障。在改进传统测试的基础上,通过搭建基于LAN的虚拟仪器构架,介绍了一种自动化整体评估HBT器件性能的方法。这套系统很好地解决了测试数据的快捷传输,实现了测试过程的自动化,加快了测试速度。 展开更多
关键词 一键式测量 虚拟仪器 自动测试系统 磷化铟异质结双极型晶体管
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国外InP HEMT和InP HBT的发展现状及应用 被引量：3
3
作者 姚立华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1053-1057,共5页
在毫米波段,InP基器件由于其具有高频、高功率、低噪声及抗辐射等特点,成为人们的首选,尤其适用于空间应用。InP HEMT和InP HBT已在卫星、雷达等军事应用中表现出了优异的性能。分别介绍了InP HEMT和InP HBT器件及电路的发展现状,现在... 在毫米波段,InP基器件由于其具有高频、高功率、低噪声及抗辐射等特点,成为人们的首选,尤其适用于空间应用。InP HEMT和InP HBT已在卫星、雷达等军事应用中表现出了优异的性能。分别介绍了InP HEMT和InP HBT器件及电路的发展现状,现在能达到的最高性能及主要生产公司等,其中InP HEMT又分别按低噪声和功率进行了详细介绍。介绍了它们在军事上的主要应用,以具体的应用实例介绍了在卫星相控阵雷达系统天线中的T/R模块中、航天器和地面站的接收机中、以及雷达和通信系统中的应用情况、达到的性能及可靠性等。并根据国外InP器件和电路的发展现状总结了其未来发展趋势。 展开更多
关键词 磷化铟高电子迁移率晶体管 磷化铟异质结双极晶体管 T/R模块
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基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器
4
作者 王伯武 于伟华 +4 位作者 侯彦飞 余芹 孙岩 程伟 周明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期197-200,共4页
基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测... 基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测试结果表明,该放大器的最大增益在115 GHz达到11.98 dB,相对带宽为134.98%,增益平坦度为±2 dB,工作频段内增益均好于10 dB,输出功率均好于1 dBm。 展开更多
关键词 磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT) 单片微波集成电路(MMIC) 共源共栅放大器 宽带
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101.6 mm(4英寸)0.7μm InP HBT工艺及其应用 被引量：2
5
作者 戴鹏飞 李征 +4 位作者 戴姜平 常龙 姚靖懿 程伟 任春江 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第4期301-305,共5页
报道了采用多层布线的101.6mm(4英寸)0.7μm InP HBT圆片工艺.器件工艺中台面均采用湿法腐蚀工艺,结合自对准光刻和BCB互联平坦化工艺,并集成了金属薄膜电阻和MIM电容.研制得到的0.7μm InPHBT器件电流增益截止频率(fT)为330GHz,最大振... 报道了采用多层布线的101.6mm(4英寸)0.7μm InP HBT圆片工艺.器件工艺中台面均采用湿法腐蚀工艺,结合自对准光刻和BCB互联平坦化工艺,并集成了金属薄膜电阻和MIM电容.研制得到的0.7μm InPHBT器件电流增益截止频率(fT)为330GHz,最大振荡频率(fmax)为300GHz,可满足100GHz以下各频段的混频、倍频、放大等微波集成电路以及20GHz以下数模混合集成电路的设计需求. 展开更多
关键词 磷化铟异质结双极晶体管 制造工艺 高集成度 多层布线
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太赫兹InP DHBT器件研究
6
作者 陈卓 何庆国 +1 位作者 崔雍 周国 《微波学报》 CSCD 北大核心 2022年第2期76-79,85,共5页
InP DHBT器件具有优异的高频特性、良好的散热、击穿和噪声性能,是实现超高频、低噪声功率放大电路设计的最具性能优势的器件之一。文中简要介绍和分析了影响高频器件电性能参数的主要因素,优化了材料结构和版图设计,最终采用三台面湿... InP DHBT器件具有优异的高频特性、良好的散热、击穿和噪声性能,是实现超高频、低噪声功率放大电路设计的最具性能优势的器件之一。文中简要介绍和分析了影响高频器件电性能参数的主要因素,优化了材料结构和版图设计,最终采用三台面湿法化学腐蚀工艺、自终止工艺、自对准光刻工艺和空气桥工艺等加工工艺研制得到发射极线宽0.7μm的InP DHBT器件,并配套集成了平行板电容和金属薄膜电阻,片内器件一致性良好。不断缩小器件基区台面面积,器件电性能最终实现:最大直流增益β为30,10μA下的集电极-发射极击穿电压BV_(CEO)为3.2 V,截止频率f(fr)为358 GHz,最大振荡频率f(fmax)为407 GHz。测试结果表明,该器件可应用于220 GHz放大器、100 GHz以下压控振荡器等数模混合集成电路。 展开更多
关键词 磷化铟双异质结双极型晶体管 制造工艺 高频器件 空气桥
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4英寸f_(max)=620 GHz的0.25μm InP DHBT
7
作者 戴姜平 常龙 +3 位作者 李征 王学鹏 林浩 程伟 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第3期191-195,共5页
报道了一款在101.6 mm(4英寸)InP晶圆上制备的特征尺寸为0.25μm的磷化铟双异质结双极型晶体管。采用发射极自对准技术和介质钝化工艺,器件的发射极典型尺寸为0.25μm×3.00μm,最大电流增益为25,当发射极电流密度为10μA/μm^(2)时... 报道了一款在101.6 mm(4英寸)InP晶圆上制备的特征尺寸为0.25μm的磷化铟双异质结双极型晶体管。采用发射极自对准技术和介质钝化工艺,器件的发射极典型尺寸为0.25μm×3.00μm,最大电流增益为25,当发射极电流密度为10μA/μm^(2)时,器件的击穿电压达到了4.2 V,电流增益截止频率为390 GHz,最高振荡频率为620 GHz。建立了用于提取器件寄生参数的小信号等效电路模型,模型的仿真结果与高频实测数据具有很好的拟合精度。 展开更多
关键词 磷化铟双异质结双极型晶体管 自对准 介质钝化 小信号模型
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基于InP DHBT 220 GHz高增益功率放大器TMIC设计
8
作者 黎雨坤 张勇 +3 位作者 李骁 陈亚培 靳赛赛 崔建行 《微波学报》 CSCD 北大核心 2018年第A01期263-265,共3页
基于0.5μmInPDHBT工艺设计了一款工作在220GHz的两级太赫兹单片集成电路。该电路采用共发射极共基级结构与薄膜微带线工艺,保证了该功率放大器具有紧凑的结构的同时又具有较高的增益,该功率放大器芯片面积为1400μm×1400μm,在215... 基于0.5μmInPDHBT工艺设计了一款工作在220GHz的两级太赫兹单片集成电路。该电路采用共发射极共基级结构与薄膜微带线工艺,保证了该功率放大器具有紧凑的结构的同时又具有较高的增益,该功率放大器芯片面积为1400μm×1400μm,在215～225 GHz频率范围内增益大于20 dB,在215 GHz处小信号增益达到最大值为23.3 dB,此外,在220 GHz处的饱和输出功率为3.45 dBm。该功率放大器芯片的成功研制将对构建一个220 GHz发射前端具有重要的意义,目前电路正在流片制作当中。 展开更多
关键词 磷化铟双异质结双极晶体管 太赫兹单片集成电路 功率放大器 共发射极共基级
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