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基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器
1
作者
王伯武
于伟华
+4 位作者
侯彦飞
余芹
孙岩
程伟
周明
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第2期197-200,共4页
基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测...
基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测试结果表明,该放大器的最大增益在115 GHz达到11.98 dB,相对带宽为134.98%,增益平坦度为±2 dB,工作频段内增益均好于10 dB,输出功率均好于1 dBm。
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关键词
磷化铟
双
异质
结
双
极
晶体管
(
inp
DHBT)
单片微波集成电路(MMIC)
共源共栅放大器
宽带
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职称材料
题名
基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器
1
作者
王伯武
于伟华
侯彦飞
余芹
孙岩
程伟
周明
机构
北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室
北京理工大学重庆微电子研究院
北京无线电测量研究所
南京电子器件研究所单片集成电路与模块实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第2期197-200,共4页
基金
Supported by National Natural Science Foundation of China(61771057)。
文摘
基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测试结果表明,该放大器的最大增益在115 GHz达到11.98 dB,相对带宽为134.98%,增益平坦度为±2 dB,工作频段内增益均好于10 dB,输出功率均好于1 dBm。
关键词
磷化铟
双
异质
结
双
极
晶体管
(
inp
DHBT)
单片微波集成电路(MMIC)
共源共栅放大器
宽带
Keywords
inp
dual-heterojunction bipolar transistor(
inp
DHBT)
monolithic microwave integrated circuit(MMIC)
cascode amplifiers
wide band
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器
王伯武
于伟华
侯彦飞
余芹
孙岩
程伟
周明
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
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