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脉冲控制忆阻模拟存储器 被引量：14
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作者 胡小方 段书凯 +1 位作者 王丽丹 李传东 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期642-647,共6页
推导了忆阻器的电荷控制和磁通量控制数学模型,在该基础上研究了其电导状态连续可变的性质和记忆功能。提出了用脉冲控制忆阻器实现模拟信息存储的方案,通过理论分析、实验仿真验证了方案的有效性。结合交叉阵列结构,该方案有望实现大... 推导了忆阻器的电荷控制和磁通量控制数学模型,在该基础上研究了其电导状态连续可变的性质和记忆功能。提出了用脉冲控制忆阻器实现模拟信息存储的方案,通过理论分析、实验仿真验证了方案的有效性。结合交叉阵列结构,该方案有望实现大规模模拟存储阵列,推进人工神经网络和模拟式计算机的发展。 展开更多
关键词 模拟存储器 交叉阵列 电荷控制模型 磁通量控制模型 忆阻器
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