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室温下磁场对基于Alq_3的有机电致发光器件的影响 被引量：2
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作者 姜文龙 丛林 +6 位作者 孟昭晖 汪津 韩强 孟凡超 王立忠 丁桂英 张刚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期3571-3576,共6页
制备了ITO/NPB/LiF/Alq3/LiF/Al的器件,测量了该组器件效率和亮度的磁效应.结果表明,在50mT磁场中,当LiF缓冲层厚度为0.8nm时,器件的效率最大增加了12.4%,磁致亮度最大变化率17%.同时,制备的磷光器件ITO/NPB/LiF/CBP:6wt%Ir(ppy)3/BCP/A... 制备了ITO/NPB/LiF/Alq3/LiF/Al的器件,测量了该组器件效率和亮度的磁效应.结果表明,在50mT磁场中,当LiF缓冲层厚度为0.8nm时,器件的效率最大增加了12.4%,磁致亮度最大变化率17%.同时,制备的磷光器件ITO/NPB/LiF/CBP:6wt%Ir(ppy)3/BCP/Alq3/LiF/Al,在50mT磁场作用下,当LiF缓冲层的厚度为0.8nm时,器件的效率最大增加12.1%.在Alq3的荧光器件中,由于发光材料在磁场的作用下产生了塞曼效应,超精细耦合作用减弱,单重态的极化子对向三重态的极化子对的转移受到了抑制,从而使单重态激子的数量增加,发光增强;与荧光器件类似,在Ir(ppy)3的磷光器件中,效率增加的原因是由于荧光主体材料CBP在磁场的作用下单重态激子数量增加,而间接的导致了磷光材料系间窜越现象的加剧所引起的. 展开更多
关键词 有机发光 磁场 效率 磁致亮度
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