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InSb磁敏无接触电位器
1
作者
黄新平
黄鹏
陈浩
《传感器世界》
2000年第4期28-29,共2页
本文介绍半导体InSb磁敏无接触电位器的工作原理、结构、特点、技术特性、封装及应用。
关键词
磁
阻效应
磁
敏
无
接触电位
器
锑化铟
下载PDF
职称材料
题名
InSb磁敏无接触电位器
1
作者
黄新平
黄鹏
陈浩
机构
浙江永康市传感器厂
出处
《传感器世界》
2000年第4期28-29,共2页
文摘
本文介绍半导体InSb磁敏无接触电位器的工作原理、结构、特点、技术特性、封装及应用。
关键词
磁
阻效应
磁
敏
无
接触电位
器
锑化铟
Keywords
Magneto-resistance effect,Semiconductor InSb magneto-resistor,InSb magnetic-sensing contact less potentiometer.
分类号
TM547 [电气工程—电器]
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作者
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1
InSb磁敏无接触电位器
黄新平
黄鹏
陈浩
《传感器世界》
2000
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