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有开放约束磁场磁控溅射系统等离子体引出 被引量：3
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作者 牟宗信 李国卿 +2 位作者 柳翠 贾莉 张成武 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2003年第4期243-247,共5页
在磁控溅射系统阴极靶施加同轴可调约束磁场显著改善了系统放电特性。研究了在Ar气放电系统伏安特性随不同的气压、溅射电压变化规律。采用同轴平面探针诊断距阴极 60mm、1 1 0mm和 2 30mm三个不同位置收集电流密度 ,负偏压 1 50V。实... 在磁控溅射系统阴极靶施加同轴可调约束磁场显著改善了系统放电特性。研究了在Ar气放电系统伏安特性随不同的气压、溅射电压变化规律。采用同轴平面探针诊断距阴极 60mm、1 1 0mm和 2 30mm三个不同位置收集电流密度 ,负偏压 1 50V。实验结果表明存在不同的开放约束磁场和气压下放电特性符合I∝Vn(n≈ 1 2～ 1 5) ,开放约束磁场降低了系统的放电电压 ,增强了等离子体的引出效果 ,提高了系统在较低真空度的放电稳定性。轴向开放约束磁场显著提高了收集电流密度 ,离子收集通量在距阴极 2 30mm的位置达到 9 5mA/cm2 。收集电流密度达到饱和值后不再受轴向开放约束磁场强度和工作电流的影响。根据磁流体理论讨论了引起系统中伏安放电特性的变化原因。 展开更多
关键词 等离子体 薄膜 磁控溅射/非平衡
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