-
题名单晶SiC磁流变弹性抛光垫的磁控抛光性能研究
- 1
-
-
作者
李晖龙
路家斌
胡达
雒梓源
-
机构
广东工业大学机电工程学院
-
出处
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第9期64-72,共9页
-
基金
国家自然科学基金项目(52175385)
广东省自然科学基金项目(2023A1515010923)
广东省攀登计划一般项目(pdjh2024b145)。
-
文摘
将智能可控材料磁流变弹性体(MRE)作为化学机械抛光中的抛光垫,研究不同磁控参数(颗粒类型、颗粒质量分数、颗粒粒径、固化磁场强度)的MRE抛光垫对单晶SiC的磁控抛光效果,并分析MRE抛光垫的磁控材料去除机制。结果表明:相比四氧化三铁磁性颗粒,羰基铁粉(CIP)磁性颗粒制备的MRE抛光垫,在抛光SiC时材料去除率(MRR)提高了52.2%;CIP质量分数越大,抛光的MRR越大,表面粗糙度越小,抛光的表面质量越好,因为CIP质量分数高时具有更大的材料模量和更多的CIP颗粒接触;不同磁性颗粒粒径的MRE抛光垫磁控抛光效果差异并不大,粒径通过颗粒的大小和接触概率影响着抛光加工的去除效果,这和表面的接触状态有关;相比各向同性MRE,施加固化磁场制备的各向异性MRE能获得更好的磁控抛光效果;在固化磁场为140 mT时制备的MRE抛光垫具有最好的抛光效果,其在抛光磁场为335 mT的条件下,可使SiC的MRR相比无磁场抛光时提升31.0%,表面粗糙度下降50.0%。MRE抛光垫磁控抛光材料的去除机制为,外加磁场增加了MRE抛光垫的机械力学性能,磨料对SiC表面具有更大的切削力和正压力,从而能够获得更大的材料去除。
-
关键词
单晶SiC
磁流变弹性体抛光垫
磁控抛光
材料去除率
表面粗糙度
化学机械抛光
-
Keywords
single-crystal SiC
magnetorheological elastomer polishing pads
magnetron polishing
material removal rate
surface roughness
chemical mechanical polishing
-
分类号
TH117.1
[机械工程—机械设计及理论]
TG356.28
[金属学及工艺—金属压力加工]
-
-
题名磁控式气囊抛光实验研究
被引量：2
- 2
-
-
作者
张才
计时鸣
金明生
张利
-
机构
特种装备制造与先进加工技术教育部/浙江省重点实验室(浙江工业大学)
-
出处
《轻工机械》
CAS
2012年第5期16-20,共5页
-
基金
国家自然科学基金项目(50575208)
浙江省自然科学基金项目(M503099)
浙江省科技厅重点科研工业资助项目(2006C21041)
-
文摘
基于磁控式气囊抛光实验平台,对抛光中的不同加工区域进行针对性的实验研究。首先,以材料去除率和加工工件表面粗糙度为目标,通过正交试验法获取加工接触区各个相应参数的影响程度以及优选方案;其次,对加工非接触区以不同的抛光形式进行实验对比,得到各自的抛光效果,以及粗糙度随时间变化曲线。
-
关键词
磁控式气囊抛光
材料去除率
正交试验
-
Keywords
magnetic control gasbag abrasive polishing
material removal rate
orthogonal experiment method
-
分类号
TH161
[机械工程—机械制造及自动化]
-
