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磁性[Co（t）／Cu]n周期多层膜的结构与巨磁电阻效应 被引量：1
1
作者 吴小山 谭伟石 +5 位作者 游彪 陈佐子 蒋树声 王俊 丁永凡 吴忠华 《北京同步辐射装置年报》 2001年第1期122-126,共5页
用磁控溅射方法制备了一系列[C(t)/Cu(2.04nm))In(n＝20,30)周期多层膜，利用四端点法、振动样品磁强计研究了多层膜的电磁性质，样品的磁电阻随钴亚层厚度的增大有一最佳值t＝1.2nm。利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术在不同的X... 用磁控溅射方法制备了一系列[C(t)/Cu(2.04nm))In(n＝20,30)周期多层膜，利用四端点法、振动样品磁强计研究了多层膜的电磁性质，样品的磁电阻随钴亚层厚度的增大有一最佳值t＝1.2nm。利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术在不同的X射线能量下研究了耦合多层腹的界面结构，探索了耦合多层膜中磁电阻增强的可能原因。 展开更多
关键词 磁性[co(t)/cu]n周期多层膜 结构 巨磁电阻 磁控溅射 同步辐射掠入射X射线散射
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