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基于磁场闪络抑制技术的真空沿面闪络实验研究 被引量：4
1
作者 刘瑜 王勐 +4 位作者 杨尊 周良骥 邹文康 章乐 徐乐 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期559-562,共4页
为解决脉冲功率系统中击穿电压最低的部分,即真空固体绝缘界面,采用磁场闪络抑制技术提高闪络电压,为研究磁场和沿面闪络电压的关系,针对不同介电常数的样品开展了一系列相关实验。实验结果表明:采用电容器对通电螺线管充电产生的脉冲... 为解决脉冲功率系统中击穿电压最低的部分,即真空固体绝缘界面,采用磁场闪络抑制技术提高闪络电压,为研究磁场和沿面闪络电压的关系,针对不同介电常数的样品开展了一系列相关实验。实验结果表明:采用电容器对通电螺线管充电产生的脉冲强磁场稳定可靠,并且当施加在绝缘子表面磁场强度为1.1T时,PMMA材料的闪络电压可以提高至1.8倍。 展开更多
关键词 真空沿面闪络 磁场闪络抑制 介电常数 二次电子发射系数
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考虑磁场闪络抑制效应的真空绝缘堆闪络概率计算 被引量：4
2
作者 李逢 王勐 +3 位作者 王传伟 何勇 陈林 邹文康 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期2542-2546,共5页
基于统计学闪络经验公式,计算绝缘堆闪络概率,结果显示:绝缘堆电压峰值越低、电压有效作用时间越短、材料常数越小,则闪络概率越低;在一定绝缘堆电压范围内,绝缘堆半径越小,闪络概率越低。考虑磁场闪络抑制效应,计算了绝缘堆闪络概率。... 基于统计学闪络经验公式,计算绝缘堆闪络概率,结果显示:绝缘堆电压峰值越低、电压有效作用时间越短、材料常数越小,则闪络概率越低;在一定绝缘堆电压范围内,绝缘堆半径越小,闪络概率越低。考虑磁场闪络抑制效应,计算了绝缘堆闪络概率。通过电场强度与磁感应强度之比得到磁场开始闪络抑制作用的临界比值。根据绝缘体与电极的夹角以及阴极三相点电场强度与平均电场强度的关系,得到不同的临界比值,比较闪络概率计算结果的差异。计算结果表明:在磁场闪络抑制效应作用下,绝缘堆闪络概率下降。 展开更多
关键词 真空 绝缘堆 闪络概率 磁场闪络抑制效应 统计学闪络经验公式
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自磁场下绝缘子沿面闪络特征 被引量：2
3
作者 李逢 王勐 +2 位作者 杨尊 任靖 康军军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期2925-2929,共5页
基于磁场闪络抑制原理,研究回路电流产生的自磁场效应对固体材料绝缘性能的影响。通过计算电场强度与磁感应强度的临界比值,设计了同轴电极结构,确定了满足闪络抑制判据的电极尺寸,开展自磁场闪络抑制实验、自磁场闪络促进实验以及无磁... 基于磁场闪络抑制原理,研究回路电流产生的自磁场效应对固体材料绝缘性能的影响。通过计算电场强度与磁感应强度的临界比值,设计了同轴电极结构,确定了满足闪络抑制判据的电极尺寸,开展自磁场闪络抑制实验、自磁场闪络促进实验以及无磁场绝缘闪络实验,对比三种条件下绝缘材料的沿面闪络规律,分析磁场位形对材料绝缘特性的影响情况。实验结果表明:绝缘样品在自磁场闪络抑制效应影响下闪络电压提高了约15%,在自磁场促进闪络效应下闪络电压降低了约18%。 展开更多
关键词 绝缘 沿面闪络 自磁场闪络抑制 回路电流
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不同E/cB值下同轴绝缘子闪络特性
4
作者 李逢 王勐 +4 位作者 任靖 康军军 杨尊 徐乐 夏明鹤 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期3055-3059,共5页
基于磁场闪络抑制原理,研究了由回路电流产生的同轴自磁场对径向真空固体绝缘界面沿面闪络特性的影响规律。根据同轴结构电场E和磁场B的比值与半径无关、只与电路参数相关的特点,分别设计了E/cB(c为光速)为0.041,0.05,0.056和0.062的四... 基于磁场闪络抑制原理,研究了由回路电流产生的同轴自磁场对径向真空固体绝缘界面沿面闪络特性的影响规律。根据同轴结构电场E和磁场B的比值与半径无关、只与电路参数相关的特点,分别设计了E/cB(c为光速)为0.041,0.05,0.056和0.062的四种同轴电极结构,开展了有磁场和无磁场两种条件下电介质的真空沿面闪络实验研究。实验结果表明,在有利于磁场闪络抑制条件的自磁场位形下,真空沿面闪络耐压水平相比无磁场情况有明显提高,且比值E/cB越小闪络电压提高幅度越大。当E/cB比值为0.041时,沿面闪络电压可提高约1.3倍;而当自磁场位形反向时,沿面闪络电压相比于无磁场情况有所降低。 展开更多
关键词 绝缘子 沿面闪络 自磁场闪络抑制效应 回路电流 同轴电极
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