期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Fe-(Co_6Ag_(94))颗粒膜磁光芯片的制备及研究
1
作者 魏仑 王长征 +4 位作者 蔡英文 李爱国 张桂林 王松有 李建国 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第10期771-775,共5页
采用二分掩膜技术向溅射沉积的Co_6Ag_(94)薄膜中组合注入Fe离子,制备成具有不同Fe含量的16单元Fe-(Co_6Ag_(94))颗粒膜磁光芯片。对制备态和退火态的Fe-(Co_6Ag_(94))颗粒膜的物相进行了XRD研究。不同退火温度下,物相的演变反映出了退... 采用二分掩膜技术向溅射沉积的Co_6Ag_(94)薄膜中组合注入Fe离子,制备成具有不同Fe含量的16单元Fe-(Co_6Ag_(94))颗粒膜磁光芯片。对制备态和退火态的Fe-(Co_6Ag_(94))颗粒膜的物相进行了XRD研究。不同退火温度下,物相的演变反映出了退火过程中Co、Fe相和FeCo相纳米微晶的析出长大过程。采用原子力显微镜(AFM)对薄膜表面的研究结果表明,在退火过程中形成了嵌于基底中的纳米颗粒相。对制备态和不同温度退火后芯片各单元的磁光性能进行了测量,结果表明极向Kerr旋转角θ_k随着注入Fe含量的增加而增大,这可归因于颗粒膜中铁磁相的增多。在500℃以下,随着退火温度的增加,Fe-(Co_6Ag_(94))颗粒膜的克尔磁光效应增加。对不同温度退火的样品进行穆斯堡尔谱测量,结果证明一定尺寸纳米Fe微晶颗粒的出现是磁光效应提高的主要原因之一。 展开更多
关键词 芯片 组合离子注入 Fe-(Co6Ag94)颗粒膜 克尔效应
下载PDF
六元磁光材料芯片的制备与检测
2
作者 蔡英文 顾明 +4 位作者 冯兰 张桂林 王松有 李晶 陈良尧 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期291-294,共4页
推广和发展了一种二分掩膜方法,采用这种方法,使得通过n次实验可以既不重复也不遗漏地得到所用n种元素的所有可能组合,即2n个全不相同的芯片单元,并论证了其惟一性.对于离子束溅射沉积的CoAg薄膜,采用组合离子注入技术制备了由Fe、Mn、G... 推广和发展了一种二分掩膜方法,采用这种方法,使得通过n次实验可以既不重复也不遗漏地得到所用n种元素的所有可能组合,即2n个全不相同的芯片单元,并论证了其惟一性.对于离子束溅射沉积的CoAg薄膜,采用组合离子注入技术制备了由Fe、Mn、Ga、Cu4种元素所组成的磁光芯片.在1T的恒定磁场条件下,系统地测试了芯片各单元在不同退火条件下的磁光克尔谱.结果表明,采用薄膜与组合离子注入相结合的方法,可以快速、有效、低成本地发现新型磁光存储颗粒膜材料候选体系. 展开更多
关键词 二分掩膜 芯片 克尔效应
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部