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Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究(英文)
1
作者
郑泽伟
沈波
+11 位作者
刘杰
周慧梅
钱悦
张荣
施毅
郑有火斗
蒋春萍
郭少令
郑国珍
褚君浩
Someya T
Arakawa Y
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第z1期67-70,共4页
在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的...
在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为 7 2× 1 0 12 cm-2 。通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究 ,说明在 1 5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用。
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关键词
磁
传输特性
二维电子气
AlxG1-xN/GaN
下载PDF
职称材料
Al
x
Ga
1-x
N/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究（英文）
2
作者
郑泽伟
沈波
+11 位作者
刘杰
周慧梅
钱悦
张荣
施毅
郑有炓
蒋春萍
郭少令
郑国珍
褚君浩
Someya T
Arakawa Y
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第S1期67-70,共4页
在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的...
在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为 7 2× 1 0 12 cm-2 。通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究 ,说明在 1 5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用。
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关键词
磁
传输特性
二维电子气
AlxG1-xN/GaN
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职称材料
题名
Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究(英文)
1
作者
郑泽伟
沈波
刘杰
周慧梅
钱悦
张荣
施毅
郑有火斗
蒋春萍
郭少令
郑国珍
褚君浩
Someya T
Arakawa Y
机构
南京大学物理系
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
Research Center for Advanced Science and Technology and Institute of Industrial Science
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第z1期67-70,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1)
国家高技术研究和发展计划项目
日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~
文摘
在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为 7 2× 1 0 12 cm-2 。通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究 ,说明在 1 5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用。
关键词
磁
传输特性
二维电子气
AlxG1-xN/GaN
Keywords
magnetotransport property
tw o dimenlional electron gas
Al xGa 1-xN/GaN
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Al
x
Ga
1-x
N/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究（英文）
2
作者
郑泽伟
沈波
刘杰
周慧梅
钱悦
张荣
施毅
郑有炓
蒋春萍
郭少令
郑国珍
褚君浩
Someya T
Arakawa Y
机构
南京大学物理系
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
Research Center for Advanced Science and Technology and Institute of Industrial Science
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第S1期67-70,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1)
国家高技术研究和发展计划项目
日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~
文摘
在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为 7 2× 1 0 12 cm-2 。通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究 ,说明在 1 5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用。
关键词
磁
传输特性
二维电子气
AlxG1-xN/GaN
Keywords
magnetotransport property
tw o dimenlional electron gas
Al xGa 1-xN/GaN
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
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操作
1
Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究(英文)
郑泽伟
沈波
刘杰
周慧梅
钱悦
张荣
施毅
郑有火斗
蒋春萍
郭少令
郑国珍
褚君浩
Someya T
Arakawa Y
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
下载PDF
职称材料
2
Al
x
Ga
1-x
N/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究（英文）
郑泽伟
沈波
刘杰
周慧梅
钱悦
张荣
施毅
郑有炓
蒋春萍
郭少令
郑国珍
褚君浩
Someya T
Arakawa Y
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
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已选择
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