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氟金云母衬底上C_(60)薄膜的光学性质 被引量：3
1
作者 邹云娟 张兴旺 +2 位作者 宋雪梅 严辉 陈光华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期299-303,共5页
用热壁外延法在氟金云母衬底上生长出了高质量 C6 0 薄膜 ,用原子力显微镜观察了样品的表面形貌 .测量并分析了不同厚度 C6 0 薄膜的紫外 -可见吸收光谱 .由测量的透射及反射光谱 ,经计算得到了吸收系数与入射光子能量的关系 .利用结晶... 用热壁外延法在氟金云母衬底上生长出了高质量 C6 0 薄膜 ,用原子力显微镜观察了样品的表面形貌 .测量并分析了不同厚度 C6 0 薄膜的紫外 -可见吸收光谱 .由测量的透射及反射光谱 ,经计算得到了吸收系数与入射光子能量的关系 .利用结晶半导体的带间跃迁理论 ,对禁戒的带间直接跃迁 hu→ t1 u和电偶极允许的带间直接跃迁 hu→ t1 展开更多
关键词 碳60薄膜 吸收光谱 光学带隙 氟金元衬底 光学性质
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荷能离子在C_(60)薄膜中引起的辐照效应 被引量：1
2
作者 金运范 杨茹 +4 位作者 王衍斌 刘昌龙 刘杰 侯明东 姚江宏 《原子核物理评论》 CAS CSCD 2000年第3期134-139,共6页
用 Raman散射和 XPS技术分析了能量为几百 ke V到几百 Me V的多种离子在 C60 薄膜中引起的辐照效应 .分析结果表明 ,在低能重离子辐照的 C60 薄膜中 ,其晶态向非晶态的转变过程是由核碰撞主导的 .在快离子 (1 2 0 ke V的 H离子和 1 71 .... 用 Raman散射和 XPS技术分析了能量为几百 ke V到几百 Me V的多种离子在 C60 薄膜中引起的辐照效应 .分析结果表明 ,在低能重离子辐照的 C60 薄膜中 ,其晶态向非晶态的转变过程是由核碰撞主导的 .在快离子 (1 2 0 ke V的 H离子和 1 71 .2 Me V的 S离子 )辐照的情况下 ,电子能损起主导作用 .发现在 H离子辐照过程中 ,电子能损有明显的退火效应 ,致使 C60 由晶态向非晶态转变的过程中 ,经历了一个石墨化的中间过程 ;而在 S离子辐照的情况下 ,电子能损的破坏作用超过了退火效应 ,因此 ,在 C60 由晶态向非晶态转变的过程中 。 展开更多
关键词 辐照效应 荷能离子 退火效应 碳60薄膜
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室温和液氮温度Si基底C60薄膜的微观结构与光学特性比较研究
3
作者 段金霞 黄新堂 +3 位作者 甘仲维 高建明 黄祥平 吕海峰 《应用光学》 CAS CSCD 2003年第1期28-30,共3页
　在室温和液氮温度(77K)下用蒸镀法在Si(111)衬底上制备C60薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)研究两种不同基底上制备薄膜的微观结构,并用椭圆偏振光谱仪测量了光学参数(包括吸收光谱、折射率及光频介电常数)。结果表明,衬底温度降低,薄膜... 　在室温和液氮温度(77K)下用蒸镀法在Si(111)衬底上制备C60薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)研究两种不同基底上制备薄膜的微观结构,并用椭圆偏振光谱仪测量了光学参数(包括吸收光谱、折射率及光频介电常数)。结果表明,衬底温度降低,薄膜更均匀,颗粒更细,光学吸收峰位置出现蓝移且在整个光频范围吸收增强。 展开更多
关键词 室温 液氮温度 光学特性 比较研究 C60薄膜 微观结构 蓝移 椭偏谱 硅衬底 薄膜制备 吸收光谱 碳60薄膜
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C_(60)薄膜的热处理性能研究 被引量：1
4
作者 刘波 王豪 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期957-960,共4页
通过对Ｓｉ（１００）衬底上Ｃ６０薄膜在不同温度处理后的ＡＥＳ谱线研究发现，Ｃ６０分子于９７３Ｋ时开始分解，生成石墨类碳碎片，１０７３Ｋ时Ｃ原子已与Ｓｉ原子键合形成ＳｉＣ，１１２３Ｋ时Ｃ６０分子全部分解，这一研究结果对... 通过对Ｓｉ（１００）衬底上Ｃ６０薄膜在不同温度处理后的ＡＥＳ谱线研究发现，Ｃ６０分子于９７３Ｋ时开始分解，生成石墨类碳碎片，１０７３Ｋ时Ｃ原子已与Ｓｉ原子键合形成ＳｉＣ，１１２３Ｋ时Ｃ６０分子全部分解，这一研究结果对解释Ｃ６０分子促进金刚石成核将起到重要作用． 展开更多
关键词 碳60薄膜 热处理 性能
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低能离子在C_(60)薄膜中引起的辐照效应 被引量：1
5
作者 金运范 杨茹 +1 位作者 刘昌龙 姚江宏 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 2000年第1期82-86,共5页
用 Ｒａｍａｎ（拉曼）散射技术分析了 １２０ｋｅＶ的 Ｈ， Ａｒ和 Ｆｅ离子在 Ｃ６０薄膜中引起的辐照效应，主要指由晶态向非晶态的转变．分析结果表明，在Ｆｅ和Ａｒ离子辐照的Ｃ６０薄膜中，核碰撞主导了由晶态向非晶态的转变过程... 用 Ｒａｍａｎ（拉曼）散射技术分析了 １２０ｋｅＶ的 Ｈ， Ａｒ和 Ｆｅ离子在 Ｃ６０薄膜中引起的辐照效应，主要指由晶态向非晶态的转变．分析结果表明，在Ｆｅ和Ａｒ离子辐照的Ｃ６０薄膜中，核碰撞主导了由晶态向非晶态的转变过程．而在Ｈ离子辐照的情况下，电子能损起主导作用，并发现在Ｈ离子辐照过程中，电子能损有明显的退火效应，致使由晶态向非晶态转变的过程中，经历了一个石墨化的中间过程。 展开更多
关键词 辐照效应 低能离子 退火效应 碳60薄膜
原文传递
氩气氛下制备的C_(60)薄膜的形貌、结构和光学性质
6
作者 伍春燕 张海燕 +3 位作者 王金华 陈易明 何艳阳 朱燕娟 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第6期440-444,共5页
用原子力显微镜 (AFM)、X射线衍射 (XRD)、红外光谱 (IR)及紫外 可见光谱 (UV/VIS)研究了在氩 (Ar)气氛下制备的C60 薄膜的表面形貌、结构及光吸收特性。发现其UV/VIS的强度和吸收峰位置明显不同于在真空中制备的C60 薄膜。与真空中制... 用原子力显微镜 (AFM)、X射线衍射 (XRD)、红外光谱 (IR)及紫外 可见光谱 (UV/VIS)研究了在氩 (Ar)气氛下制备的C60 薄膜的表面形貌、结构及光吸收特性。发现其UV/VIS的强度和吸收峰位置明显不同于在真空中制备的C60 薄膜。与真空中制备的C60 薄膜比较 ,所研究薄膜的红外谱没有变化 ,但X射线衍射表明其结构从面心立方 (fcc)相变成fcc相与六角密堆(hcp)相的混合相。AFM表明 ,在Ar气氛中制备的C60 薄膜有较大的表面粒子 ,并且表面生长岛更尖锐。这将有利于C60 薄膜的场电子发射。 展开更多
关键词 C60薄膜 氩气氛 紫外-可见光吸收谱 形貌 结构 碳60薄膜 富勒烯 光学性质
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快离子在C_(60)薄膜中电子能损效应 被引量：1
7
作者 金运范 杨茹 +5 位作者 刘昌龙 王衍斌 程松 刘杰 侯明东 姚江东 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第20期2150-2153,共4页
用Raman散射技术分析了 1 71 .2MeVS9+和 1 2 0keV的H+离子在C60 薄膜中电子能损引起的效应 ,即晶态→非晶态转变 .在H+离子辐照的情况下 ,发现电子能损有明显的退火效应 ,致使C60 晶态→非晶态转变过程中 ,经过一个石墨化的中间过程 .... 用Raman散射技术分析了 1 71 .2MeVS9+和 1 2 0keV的H+离子在C60 薄膜中电子能损引起的效应 ,即晶态→非晶态转变 .在H+离子辐照的情况下 ,发现电子能损有明显的退火效应 ,致使C60 晶态→非晶态转变过程中 ,经过一个石墨化的中间过程 .而在S9+离子辐照的情况下 ,电子能损的破坏作用超过了退火效应 ,不存在石墨化的中间过程 . 展开更多
关键词 电子能损效应 快离子 退火效应 碳60薄膜
原文传递
掺锡C60薄膜材料的电子结构与电导性研究
8
作者 伍春燕 张海燕 +3 位作者 何艳阳 梁礼正 朱艳娟 张春华 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第3期92-94,共3页
本文报道了锡掺杂C6 0 薄膜样品的扫描电镜 ,X射线衍射 ,紫外可见吸收光谱和电阻随温特性的测量结果 ;显示样品由纳米级颗粒组成 ,为面心立方结构 ,掺杂锡原子在禁带中形成施主能级 ,电阻随温度增加呈指数衰减 ,霍耳效应证实为N型半导体。
关键词 锡掺杂 紫外可见光吸收 电阻 C60薄膜 碳60薄膜 半导体 电子结构 电导性
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C_(60)薄膜硅衬底过渡层对金刚石薄膜的生成
9
作者 刘大军 《郑州大学学报（自然科学版）》 1997年第3期31-33,共3页
用微波等离子体化学气相淀积方法，以Ｃ６０薄膜作为在硅衬底上的过渡层，无衬底负偏压．采用通常淀积金刚石薄膜的生长条件。
关键词 金刚石薄膜 MPCVD 硅 过渡层 碳60薄膜
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研究者用碳60制造出高性能场效应晶体管
10
作者 Paul O’Shea 《今日电子》 2008年第4期35-35,共1页
佐治亚理工大学的研究者采用碳60薄膜利用常温工艺成功制造出高性能场效应晶体管，碳60也称为富勒烯。该场效应晶体管可以应用在显示器、有源电子广告牌、RFID标签以及其他需要柔性基底的应用中。
关键词 场效应晶体管 碳60薄膜 性能 制造 RFID标签 电子广告牌 常温工艺 柔性基底
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