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不同气氛下SiO_x纳米线的制备及形貌、红外、光致发光研究 被引量:4
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作者 郑立仁 黄柏标 尉吉勇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期2306-2312,共7页
以N2/H2、N2或NH3为载气,利用碳辅助化学气相沉积法,常压1140℃下在石英衬底上制备了大量直径为20—300nm,长数百微米的非晶SiOx纳米线.制备得到的纳米线具有高度定向生长的特性.利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜及电子能谱对SiOx纳... 以N2/H2、N2或NH3为载气,利用碳辅助化学气相沉积法,常压1140℃下在石英衬底上制备了大量直径为20—300nm,长数百微米的非晶SiOx纳米线.制备得到的纳米线具有高度定向生长的特性.利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜及电子能谱对SiOx纳米线的形貌及组分进行了分析,Si与O原子之比为1∶1.8.傅里叶红外吸收谱显示了非晶氧化硅的三个特征峰(482,806和1095cm-1)及1132cm-1无序氧化硅结构的强吸收峰.SiOx纳米线光致发光光谱(PL)在440nm(2.83eV)处具有较强的荧光峰;N2为载气生长的SiOx纳米线的PL峰强比NH3为载气生长的SiOx纳米线峰强大四个数量级. 展开更多
关键词 SiOx纳米线 辅助化学气相沉积 傅里叶红外吸收 光致发光
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气溶胶辅助CVD法制备F掺杂SnO_2薄膜及其性能 被引量:6
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作者 王轩 梁波 +2 位作者 邸庆银 赵洪力 杨静凯 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期243-249,共7页
采用气溶胶辅助化学气相沉积法(AACVD)在玻璃衬底上沉积F掺杂SnO_2(FTO)薄膜,研究了前驱液中不同F/Sn摩尔比制备的FTO薄膜的结构、表面形貌、光学、电学及光致发光性能。结果表明:所制备FTO薄膜均为(200)面择优取向的多晶四方金红石相结... 采用气溶胶辅助化学气相沉积法(AACVD)在玻璃衬底上沉积F掺杂SnO_2(FTO)薄膜,研究了前驱液中不同F/Sn摩尔比制备的FTO薄膜的结构、表面形貌、光学、电学及光致发光性能。结果表明:所制备FTO薄膜均为(200)面择优取向的多晶四方金红石相结构;前驱液中F/Sn摩尔比的增加,会导致(110)面的衍射峰强度增加,薄膜表面堆积颗粒形状发生变化,薄膜样品光学透过率提升;当F/Sn摩尔比=40%时,FTO薄膜具有最大的载流子浓度1.031×10^(21) cm^(–3)以及最小的电阻率3.42×10^(–4)?·cm,这可归结为适量F的存在产生不同的缺陷影响。(200)面择优取向FTO薄膜光致发光谱可用于表征不同缺陷形式的跃迁。 展开更多
关键词 气溶胶辅助化学气相沉积 氟掺杂二氧化锡薄膜 氟掺杂量 电学性能 光致发光
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双源气溶胶辅助化学气相沉积制备AZO薄膜 被引量:3
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作者 秦秀娟 王晓娟 +2 位作者 张丽茜 王丽欣 柳林杰 《燕山大学学报》 CAS 北大核心 2016年第2期158-164,共7页
采用双源气溶胶辅助化学气相沉积法制备了Al掺杂Zn O薄膜。研究了不同的乙醇和甲醇溶液比例对AZO薄膜各种性能的影响。通过紫外-可见光吸收光谱、原子力显微镜、扫描电子显微镜和X射线衍射对薄膜性能进行表征。结果表明通过使用双源AACV... 采用双源气溶胶辅助化学气相沉积法制备了Al掺杂Zn O薄膜。研究了不同的乙醇和甲醇溶液比例对AZO薄膜各种性能的影响。通过紫外-可见光吸收光谱、原子力显微镜、扫描电子显微镜和X射线衍射对薄膜性能进行表征。结果表明通过使用双源AACVD法可以获得具有明显(002)择优取向AZO薄膜,并且在15 m L乙醇和20 m L甲醇时具有最佳的结晶性能,同时具有最优的光电学性能。不同乙醇和甲醇比例下薄膜的形貌不同。 展开更多
关键词 气溶胶辅助化学气相沉积 掺杂 AZO薄膜
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非磁性元素Ca掺杂AlN稀磁半导体纳米棒阵列 被引量:2
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作者 娄阳 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2012年第2期56-59,共4页
采用无催化剂辅助化学气相沉积法,以无水AlCl3、NH3气和无水CaCl2分别作为Al源、N源和Ca源,首次获得Ca掺杂AlN纳米棒阵列。纳米棒的长度约为几百纳米,直径为200~500nm。能谱(EDS)证明Ca掺杂的原子分数约为4.4%;光致发光光谱(PL)表明N... 采用无催化剂辅助化学气相沉积法,以无水AlCl3、NH3气和无水CaCl2分别作为Al源、N源和Ca源,首次获得Ca掺杂AlN纳米棒阵列。纳米棒的长度约为几百纳米,直径为200~500nm。能谱(EDS)证明Ca掺杂的原子分数约为4.4%;光致发光光谱(PL)表明N空位引起在359nm的发光中心;在磁性能测试中观察到明晰的磁滞回线,表明样品具有室温铁磁性。 展开更多
关键词 无催化剂辅助化学气相沉积 纳米棒阵列 Ca掺杂AlN 室温铁磁性
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纳米光学金刚石薄膜的分析与改进(英文) 被引量:1
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作者 胡广 王林军 +4 位作者 祝雪丰 刘建民 黄健 徐金勇 夏义本 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期548-552,共5页
由于极其优良的热学和光学性能,纳米金刚石薄膜极有可能应用于背投电视的激光光学窗口。文章通过在热丝辅助化学气相沉积法中采用偏压增强成核(BEN-HFCVD) ,成功地在(100)硅衬底上制得了适于作为光学窗口的高质量的光学级纳米金刚石薄膜... 由于极其优良的热学和光学性能,纳米金刚石薄膜极有可能应用于背投电视的激光光学窗口。文章通过在热丝辅助化学气相沉积法中采用偏压增强成核(BEN-HFCVD) ,成功地在(100)硅衬底上制得了适于作为光学窗口的高质量的光学级纳米金刚石薄膜,采用的偏压为-30 V。通过表征制备的纳米金刚石薄膜,发现它具有光滑的表面,表面均方根粗糙度(RMS)约为10 nm,并且对自支撑纳米金刚石薄膜进行透射光谱分析得到其透射率达到了50 %。 展开更多
关键词 纳米金刚石 光学性质 表面粗糙度 偏压增强成核-热丝辅助化学气相沉积
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脉冲辉光PECVD制备DLC薄膜的结构和性能研究 被引量:6
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作者 苟伟 李剑锋 +2 位作者 楚信谱 张礼平 李国卿 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期33-37,共5页
类金刚石碳膜以其优异的性能,诸如高电阻率、高硬度、低摩擦系数、良好的光学特性等显示出良好的应用前景,越来越受到人们的关注。本文利用脉冲辉光PECVD在不同的脉冲电压下成功地制备了DLC薄膜。采用拉曼光谱仪、原子力显微镜、纳米压... 类金刚石碳膜以其优异的性能,诸如高电阻率、高硬度、低摩擦系数、良好的光学特性等显示出良好的应用前景,越来越受到人们的关注。本文利用脉冲辉光PECVD在不同的脉冲电压下成功地制备了DLC薄膜。采用拉曼光谱仪、原子力显微镜、纳米压痕仪等设备对薄膜的相结构、表面形貌和力学性能进行了综合分析。 展开更多
关键词 脉冲放电 等离子体辅助化学气相沉积 类金刚石 RAMAN光谱 表面形貌
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ZnO基紫外探测器的制作与研究 被引量:7
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作者 杨晓天 刘博阳 +7 位作者 马艳 赵佰军 张源涛 杨天鹏 杨洪军 李万程 刘大力 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期156-158,共3页
利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO薄膜。利用ZnO的宽禁带与高光电导特性,结合MSM(金属-半导体-... 利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO薄膜。利用ZnO的宽禁带与高光电导特性,结合MSM(金属-半导体-金属)结构器件响应度高、速度快、随偏压变化小、工艺简单、易于单片集成等优点,制作了ZnO基紫外探测器,器件规格为80 μm×100μm,电极为叉指式电极。测试中采用500 W的氙灯做测试光源,探测器的Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示;正向偏压下探测器的暗电流及光照电流与外加偏压呈线性增长。不同波长下的响应曲线显示:探测器对紫外波段有响应,响应峰值在375nm附近。 展开更多
关键词 等离子体辅助金属有机化学气相沉积 氧化锌薄膜 紫外探测器 半导体材料 禁带宽度
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GPCVD法低温合成纳米金刚石薄膜 被引量:1
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作者 葛大勇 赵庆勋 +1 位作者 杨保柱 何雷 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2011年第8期22-24,共3页
为了在低温衬底(<500℃)上制备出高品质纳米金刚石薄膜,使用辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积法,用甲烷、高纯氢为源气体,P型Si(100)为衬底材料,在低温条件下合成了纳米金刚石薄膜,利用Langmuir探针对合成过程进行了实时原位诊断,... 为了在低温衬底(<500℃)上制备出高品质纳米金刚石薄膜,使用辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积法,用甲烷、高纯氢为源气体,P型Si(100)为衬底材料,在低温条件下合成了纳米金刚石薄膜,利用Langmuir探针对合成过程进行了实时原位诊断,研究了电子温度Te和电子密度ne的空间变化规律,探讨薄膜生长机理。对所合成的样品,利用扫描电子显微镜、Raman光谱仪、X射线衍射进行了分析。结果表明,实验所得样品为高品质、结晶完善、表面光滑的纳米金刚石薄膜,SEM形貌表明薄膜中晶粒的粒度为40~90 nm,Raman光谱在1 331.5 cm-1处出现了金刚石的(111)特征声子峰。XRD谱在2θ=43.907、5.30处出现了金刚石的(111)(、220)特征衍射峰。实验得出了低温合成纳米金刚石薄膜的最佳工艺条件:①甲烷体积百分比浓度为0.6%;②反应室气压为5 kPa;③气体流量在1 100~1 300 mL/min范围内成核密度较高,并以(100)(、111)面为主,晶粒的平均粒度小于100 nm;在流量为1 300 mL/min时,晶粒的生长表现为一定的定向生长。 展开更多
关键词 纳米 金刚石薄膜 辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积
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等离子平板显示中冷阴极纳米金刚石膜的制备(英文)
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作者 祝雪丰 王林军 +4 位作者 胡广 刘建敏 黄建 徐金勇 夏义本 《电子器件》 CAS 2008年第1期72-76,共5页
讨论大面积4cm×4cm纳米金刚石膜制备工艺.采用电子辅助-热丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)在硅片上沉积纳米金刚石膜.生长过程中,预先加6安培偏流生长1小时,然后在0.8千帕条件下,无偏流生长3小时.原子力镜表征晶粒尺寸为30纳米.样品上... 讨论大面积4cm×4cm纳米金刚石膜制备工艺.采用电子辅助-热丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)在硅片上沉积纳米金刚石膜.生长过程中,预先加6安培偏流生长1小时,然后在0.8千帕条件下,无偏流生长3小时.原子力镜表征晶粒尺寸为30纳米.样品上任意三点采用原子力镜表征,表现出良好均匀性.采用偏振光椭圆率测量仪和分光计分别表征样品的折射率和透射率.红外波段透过率超过50%.金刚石膜表面分别进行氢化和氧化处理.通过表征,氢化处理后膜比氧化处理后膜对应的γ值大,约为0.45 . 展开更多
关键词 纳米金刚石膜 高γ 透过率 电子辅助-热丝化学气相沉积(EA-HFCVD)
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